阵列基板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板包括依次叠设的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和半导体层；其中，第一金属层包括数据线，第二金属层包括栅极、扫描线和公共电极，栅极电连接于扫描线，公共电极在衬底基板上的投影覆盖数据线在衬底基板上的投影；半导体层包括有源层和像素电极，有源层包括沟道区、源极和漏极，以与栅极重叠设置形成驱动晶体管，源极通过导电过孔与数据线电连接，像素电极与漏极电连接。该阵列基板能够有效减小寄生电容，有利于提升刷新率和分辨率。有利于提升刷新率和分辨率。有利于提升刷新率和分辨率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transisitor Liquid Crystal Display，TFT
‑
LCD）因其低辐射、低功耗、低空间占用率以及轻便、美观等优点，成为主流的显示产品。
[0003]目前，传统的阵列基板上，数据线位于相邻像素之间，用于向像素提供数据信号，而数据线与像素电极之间往往存在较大的侧向寄生电容Cpd，极易产生信号串扰，这对于提高显示装置的刷新率和分辨率极为不利。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，旨在解决现有技术中阵列基板上数据线与像素电极之间存在较大寄生电容，易产生信号串扰，不利于提高刷新率和分辨率的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种阵列基板。所述阵列基板包括：衬底基板；第一金属层，设置于所述衬底基板的一侧；第一绝缘层，设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；第一金属层，设置于所述衬底基板的一侧；第一绝缘层，设置于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；第二金属层，设置于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧；第二绝缘层，设置于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；半导体层，设置于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧；其特征在于，所述第一金属层包括数据线，所述第二金属层包括栅极、扫描线和公共电极，所述栅极电连接于所述扫描线，所述公共电极在所述衬底基板上的投影覆盖所述数据线在所述衬底基板上的投影；所述半导体层包括有源层和像素电极，所述有源层包括沟道区、源极和漏极，以与所述栅极重叠设置形成驱动晶体管，所述源极通过导电过孔与所述数据线电连接，所述像素电极与所述漏极电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括一体的所述沟道区、所述源极和所述漏极，所述沟道区的材料为金属氧化物半导体，所述源极、所述漏极和所述像素电极的材料为导体化的金属氧化物半导体。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道区的长度范围为1.5~5.0微米；所述阵列基板还包括钝化保护层，所述钝化保护层设置于所述半导体层远离所述衬底基板的一侧且覆盖所述半导体层。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线包括第一部分和第二部分，所述数据线与所述驱动晶体管对应的部分为第二部分，其余部分为所述第一部分；所述公共电极在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一部分在所述衬底基板上的投影；所述导电过孔位于所述第二部分所在区域且贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，以使所述漏极通过所述导电过孔电连接于所述数据线。5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板的一侧制作第一金属层，并图案化所述第一金属层，形成数据线；在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制作第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制作第二金属层，并图案化所述第二金属层，形成栅极、扫描线和公共电极；所述栅极电连接于所述扫描线，所述公共电极在所述衬底基板上的投影覆盖所述数据线在所述衬底基板上的投影；在所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧制作第二绝缘层；在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧制作半导体层，在所述半导体层形成像素电极和有源层；且使所述有源层包括沟道层、源极和漏极，与所述栅极重叠设置形成驱动晶体管，所述源极通过导电过孔与所述数据线电连接，所述像...

【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，刘振，张捷，叶利丹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：