阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，制备方法包括提供基板，沉积第一透明金属氧化物导电层；采用第一道光罩对第一透明金属氧化物导电层图案化，形成公共电极与透明导电层；采用等离子还原性气体对透明导电层还原形成底栅；沉积缓冲层和有源层；采用第二道光罩对有源层图案化形成导电沟道；沉积第二透明金属氧化物导电层；采用第三道光罩对第二透明金属氧化物导电层图案化形成第一导电层和第二导电层；采用等离子还原性气体对第一导电层和第二导电层还原得到源极和漏极；沉积第一钝化层与栅极金属层；采用第四道光罩对栅极金属层图案化形成顶栅。通过上述方法，解决了现有技术中无法在兼顾成本的条件下保证器件稳定性的问题。稳定性的问题。稳定性的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)作为液晶显示领域中不可或缺的一种氧化物器件，如何使其本身的性能更加稳定优越成了人们在开发新型液晶显示器的重要关注点之一。传统薄膜晶体管一般为底栅结构或顶栅结构，都是单栅极结构，具有不稳定性，容易受环境影响，例如导电沟道易受到环境光照影响，导致漏电流变大，使液晶显示装置工作异常。
[0003]为了解决单栅极结构存在的稳定性差等问题，现有改善方法一般为使用低温多晶硅(LTPS)或者单晶硅替代现有的非晶结构材料，然而，由于其多晶结构或单晶结构造成器件性能的均匀性较差，不适合制备大尺寸显示面板，同时由于现有材料技术限制，使用低温多晶硅(LTPS)或者单晶硅作为有源层，其成本将会大大提高。

技术实现思路

[0004]本申请主要提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，以解决现有技术中的显示装置无法在兼顾成本的条件下保证器件稳定性的问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，用于制备应用于液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上沉积第一透明金属氧化物导电层；采用第一道光罩对所述第一透明金属氧化物导电层图案化处理，形成相互间隔的公共电极与透明导电层；采用等离子还原性气体对所述透明导电层进行还原，形成底栅；依次沉积缓冲层和有源层；采用第二道光罩对所述有源层图案化处理，形成导电沟道；沉积第二透明金属氧化物导电层；采用第三道光罩对所述第二透明金属氧化物导电层图案化处理，形成像素电极、第一导电层和第二导电层；采用等离子还原性气体对所述第一导电层和所述第二导电层进行还原，形成源极和漏极；依次沉积第一钝化层与栅极金属层；采用第四道光罩对所述栅极金属层图案化处理，形成顶栅；沉积第二钝化层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用第一道光罩对所述第一透明金属氧化物导电层图案化处理，形成相互间隔的公共电极与透明导电层的步骤包括：在所述第一透明金属氧化物导电层上沉积第一光阻层；采用第一道光罩对所述第一光阻层图案化处理，形成相互间隔的第一光阻段和第二光阻段；所述第一光阻段的厚度大于所述第二光阻段的厚度；以所述第一光阻段和所述第二光阻段为阻挡层，对所述第一透明金属氧化物导电层进行蚀刻，得到对应于所述第一光阻段的所述公共电极与对应于所述第二光阻段的所述透明导电层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用等离子还原性气体对所述透明导电层进行还原，形成底栅的步骤包括：对所述第一光阻段和所述第二光阻段进行灰化处理；薄化所述第一光阻段的同时去除所述第二光阻段，以露出所述透明导电层；以所述第一光阻段为阻挡层，采用等离子还原性气体对所述透明导电层进行还原，形成所述底栅；去除所述第一光阻段，以露出所述公共电极。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用第二道光罩对所述有源层图案化处理，形成导电沟道的步骤包括：在所述有源层上沉积第二光阻层；采用第二道光罩对所述第二光阻层图案化处理，形成第三光阻段；以所述第三光阻段为阻挡层，对所述有源层进行蚀刻，得到对应于所述第三光阻段的导电沟道；去除所述第三光阻，以露出所述导电沟道。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用第三道光罩对所述第二透明金属氧化物导电层图案化处理，形成像素电极、第一导电层和第二导电层的步骤包括：在所述第二透明金属氧化物导电层上沉积第三光阻层；
采用第三道光罩对所述第三光阻层图案化处理，形成第四光阻段和第五光阻段；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨依林，康报虹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：