一种焊垫延伸LED芯片及包含其的封装LED装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种焊垫延伸LED芯片及包含其的封装LED装置；该封装LED装置包含：一焊垫延伸LED芯片，该焊垫延伸LED芯片包含：至少一LED芯片，具有一基板、一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；一第一焊垫，电连接至第一半导体层，及一第二焊垫，电连接至第二半导体层；及一个连接至第一焊垫的第一延伸金属层，及一个连接至第二焊垫的第二延伸金属层。个连接至第二焊垫的第二延伸金属层。个连接至第二焊垫的第二延伸金属层。

【技术实现步骤摘要】
一种焊垫延伸LED芯片及包含其的封装LED装置


[0001]本专利技术关于一种封装装置，特别是有关于一种具有蝙蝠翼状光图案的发光二极管封装及制备方法。

技术介绍

[0002]最近几年来MiniLED背光源应用于LCD引起很大关注，MiniLED背光源可以提供优于其他平板显示技术的优点，特别在高亮度、高对比度、较低功率消耗、高速局部调光及较佳效率的方面。先进性能使得MiniLED背光源在从高分辨率TV到IT装置(例如监视器、平板、智能型手机、智能型手表、智能型手环应用)的各种应用具有吸引力。MiniLED背光技术由于其较高亮度及较高对比度，也有利于汽车及工业应用。
[0003]MiniLED的尺寸可被理想地设计成整合进入具有局部调光能力的LCD背光源。通过增加局部调光区间的数目，MiniLED背光源LCD面板可在不需要牺牲亮度的情况下，达成在1,000,000：1以上的对比度及较佳效率。因此，MiniLED背光源LCD面板可符合高动态范围(High Dynamic Range，HDR)规格，且与使用熟知全数组局部调光的显示器比较而言，面板的厚度也被减少。
[0004]一般而言，MiniLED背光源模块具有多个LED，其焊接在背板及扩散模塑成形及/或透镜上，用以传播扩散光以达成均匀的面板光。背板具有设计好的用以驱动LED的电路布局。一般而言，LED芯片或封装LED具有在远场中的朗伯光图案(Lambertian light pattern)。LED芯片或封装LED的中心光强度高。因此，需要较厚的扩散模塑成形来散开光以供均匀光面板使用。对于例如笔记本电脑、平板、小尺寸屏幕、智能型手机、智能型手表、智能型手环的智能型携带装置而言，尽可能薄的面板厚度在制造显示面板的应用中是最受到关心的议题。因此，期望在远场中具有蝙蝠翼状光图案的封装LED来提供横向均匀的光。预制横向均匀的光分配图案可以有助于更佳地减少扩散模塑成形的厚度，更进一步预先减少背光源模块的厚度以达到所需要的应用。

技术实现思路

[0005]本
技术实现思路
的一个实施例是有关于一种焊垫延伸LED芯片，其包含：一LED芯片，该LED芯片具有一基板、一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；及一个电连接至第一半导体层的第一焊垫及一个电连接至第二半导体层的第二焊垫；及一个连接至第一焊垫的第一延伸金属层及一个连接至第二焊垫的第二延伸金属层；其中，一第一延伸焊垫连接至第一延伸金属层，一第二延伸焊垫连接至第二延伸金属层；其中，第一延伸焊垫的尺寸大于第一延伸金属层的尺寸；第二延伸焊垫的尺寸大于第二延伸金属层的尺寸。
[0006]本
技术实现思路
的另一实施例是有关于一种封装LED装置，其包含：一焊垫延伸LED芯片，该焊垫延伸LED芯片包括：至少一LED芯片，具有一基板、一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；及一个电连接至第一半导体层的第一焊垫及一个电连接至第二半导体层的第二焊垫；及一个连接至第一焊垫的第一延伸金属层，和一个连接至第二焊垫的第二延伸
金属层。封装LED装置进一步包含：一聚合物层，其覆盖除了第一延伸金属层的第二表面及第二延伸金属层的第二表面以外的焊垫延伸LED芯片的大部分的表面；一个电连接至第一延伸金属层的第一延伸焊垫及一个电连接至聚合物层及第二延伸金属层的第二延伸焊垫；其中：一不透光层配置于聚合物层的顶部上。
[0007]本
技术实现思路
的另一实施例是有关于一种封装LED装置，其包含：一焊垫延伸LED芯片，该焊垫延伸LED芯片包含：至少一LED芯片，具有一基板、一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；及一个电连接至第一半导体层的第一焊垫，和一个电连接至第二半导体层的第二焊垫；及一个连接至第一焊垫的第一延伸金属层，和一个连接至第二焊垫的第二延伸金属层。封装LED装置进一步包含：一聚合物层，其覆盖除了第一延伸金属层的第二表面及第二延伸金属层的第二表面以外的焊垫延伸LED芯片的大部分的表面；及一不透光层配置于聚合物层的顶部上；及一第一延伸焊垫，与聚合物层接触并配置于第一延伸金属层的第二表面上且电连接至第一半导体层；及一第二延伸焊垫，与聚合物层接触并配置于第二延伸金属层的第二表面上且电连接至第二半导体层。
附图说明
[0008]例示实施例是参考附图而显示。意图将于此所揭露的实施例与图视为例示性而非限制性。
[0009]图1A为LED芯片10的结构示意图。
[0010]图1B为LED芯片10的俯视图(第一侧视图)。
[0011]图1C为LED芯片10的背视图(第二侧视图)。
[0012]图2A为焊垫延伸LED芯片20的结构示意图。
[0013]图2B为焊垫延伸LED芯片20的第一侧视图。
[0014]图2C为LED芯片的图片。
[0015]图3为配置于载体上的多个焊垫延伸LED芯片20示意图。
[0016]图4为配置在LED芯片之上的具有厚度d
T
的聚合物层30示意图。
[0017]图5为在聚合物层中具有多个焊垫延伸LED芯片的聚合物内芯片(Chip In Polymer，CIP)1000示意图。
[0018]图6为倒置安装在载体的黏着层上的多个LED芯片示意图。
[0019]图7为被模塑或分配以覆盖LED芯片与载体的黏着层的具有厚度d
t1
的首次聚合物层30示意图。
[0020]图8为配置于LED芯片的焊垫上的延伸金属层25示意图。
[0021]图9为聚合物内芯片CIP 1001示意图。
[0022]图10为配置于载体的黏着层上的多个焊垫延伸LED(Pad
‑
Extended LED，PE
‑
LED)芯片的基板侧示意图。
[0023]图11为具有d
t3
的厚度的首次使用的聚合物层30示意图，其被模塑或分配以覆盖焊垫延伸LED芯片，且延伸金属层的底面露出。
[0024]图12为聚合物内芯片CIP 1002示意图。
[0025]图13为配置于聚合物层30的顶部上的具有厚度d
D
的扩散层40示意图。
[0026]图14为扩散层40示意图，其可被图案化以具有一个透光区域的一部分及一个半透
光区域的一部分。
[0027]图15为配置于延伸金属层的底面(第二表面)上的延伸焊垫55示意图。
[0028]图16为配置于扩散层40上的具有厚度d
R
的不透光层50示意图。
[0029]图17A为在切割之后的单颗封装LED 100示意图。
[0030]图17B为封装LED 100的第一侧视图。
[0031]图17C为封装LED 100的图片。
[0032]图17D为封装LED 100的光图案。
[0033]图18为在切割之后的单颗封装LED 101示意图。
[0034]图19A为具有与6wt％的TiO2混合的扩散层的封装LED 101的光图案。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种焊垫延伸LED芯片，其包含：一LED芯片，该LED芯片具有一基板、一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；一个电连接至所述第一半导体层的第一焊垫，及一个电连接至所述第二半导体层的第二焊垫；及一个连接至所述第一焊垫的第一延伸金属层，及一个连接至所述第二焊垫的第二延伸金属层。2.如权利要求1所述的焊垫延伸LED芯片，其中：一第一延伸焊垫连接至所述第一延伸金属层；及一第二延伸焊垫连接至所述第二延伸金属层。3.如权利要求2所述的焊垫延伸LED芯片，其中：所述第一延伸焊垫的尺寸大于所述第一延伸金属层的尺寸；及所述第二延伸焊垫的尺寸大于所述第二延伸金属层的尺寸。4.如权利要求1所述的焊垫延伸LED芯片，其中：所述第一延伸金属层的厚度与所述第二延伸金属层的厚度具有实质上相同高度水平。5.如权利要求1所述的焊垫延伸LED芯片，其中：所述第一延伸金属层的厚度与所述第二延伸金属层的厚度分别大于10μm。6.一种封装LED装置，其包含：一焊垫延伸LED芯片，该焊垫延伸LED芯片包含：至少一LED芯片，该LED芯片具有一基板、一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；及一个电连接至所述第一半导体层的第一焊垫，及一个电连接至所述第二半导体层的第二焊垫；及一个连接至所述第一焊垫的第一延伸金属层，及一个连接至所述第二焊垫的第二延伸金属层；一聚合物层，覆盖除了所述第一延伸金属层的第二表面及所述第二延伸金属层的第二表面以外的所述焊垫延伸LED芯片的大部分的表面；及一个电连接至所述第一延伸金属层的第一延伸焊垫及一个电连接至所述第二延伸金属层的第二延伸焊垫。7.如权利要求6所述的封装LED装置，其中：一不透光层，配置于所述聚合物层的顶部上。8.如权利要求7所述的封装LED装置，其中：所述不透光层具有一种光反射特性，用于反射照射到所述不透光层的底面的光。9.如权利要求7所述的封装LED装置，其中：所述不透光层具有一种光反射特性，用于反射照射到所述不透光层的上表面的光。10.如权利要求7所述的封装LED装置，其中：所述不透光层配置于所述聚合物层的顶端的一部分上，用于形成一不透...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱振甫，段忠，
申请(专利权)人：台湾半导体照明股份有限公司，
类型：发明
国别省市：