制造具有金属嵌体和顶部触点的发光器件的方法技术

本文描述了制造发光器件的方法。一种方法包括：获得封装衬底，该封装衬底包括嵌入式金属嵌体和在封装衬底的顶表面上的多个第一触点；形成混合器件；将混合器件的底表面附接到金属嵌体的顶表面；以及使用多个导电连接器将混合器件的顶表面引线接合到封装衬底的顶表面。面。面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造具有金属嵌体和顶部触点的发光器件的方法

技术介绍

[0001]精确控制照明应用可能需要生产和制造小型可寻址发光二极管(LED)照明系统。这种系统的较小尺寸可能需要非常规的部件和制造工艺。

技术实现思路

[0002]本文描述了制造发光器件的方法。一种方法包括：获得封装衬底，该封装衬底包括嵌入式金属嵌体(inlay)和在封装衬底的顶表面上的多个第一触点；形成混合器件；将混合器件的底表面附接到金属嵌体的顶表面；以及使用多个导电连接器将混合器件的顶表面引线接合到封装衬底的顶表面。
附图说明
[0003]可以从以下描述中获得更详细的理解，以下描述通过示例的方式结合所附附图给出，其中：
[0004]图1为示例LED阵列的俯视图；
[0005]图2A为示例混合器件的截面图；
[0006]图2B是结合了图2A的示例混合器件的示例LED照明系统的截面图；
[0007]图3A为结合了图2B的LED照明系统的一个示例应用系统的截面图；
[0008]图3B为结合了图2B的LED照明系统的另一示例应用系统的截面图；
[0009]图4A是图2B的示例LED照明系统的俯视图；
[0010]图4B为图3A和图3B的示例应用系统的俯视图；
[0011]图5为可以结合图2B的LED照明系统的一个示例车辆头灯系统的示意图；
[0012]图6为另一示例车辆头灯系统的图解；以及
[0013]图7是制造LED照明系统(诸如图2B的LED照明系统)的示例方法的流程图。/>具体实施方式
[0014]下文将参考所附附图更全面地描述不同光照明系统和/或发光二极管实施方式的示例。这些示例不相互排斥，并且在一个示例中发现的特征可以与在一个或多个其他示例中发现的特征相组合，以实现另外的实施方式。因此，将被理解，所附附图中所示的示例仅为了说明的目的而提供，并且它们不旨在以任何方式限制本公开。类似的数字始终指代类似的元件。
[0015]将被理解，尽管术语第一、第二、第三等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应该被这些术语所限制。这些术语可以用于区分一个元件与另一个元件。例如，第一元件可以被称为第二元件并且第二元件可以被称为第一元件，而不脱离本专利技术的范围。如本文所使用的，术语“和/或”可以包括一个或多个相关联列出项目的任何和所有组合。
[0016]将被理解，当诸如层、区域或衬底的元件被称为“在”或“延伸到”另一个元件上时，它可以直接在或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当一个元件被
称为“直接在”或“直接延伸到”另一个元件上时，可能没有中间元件的存在。还将被理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦合到另一个元件和/或经由一个或多个中间元件连接或耦合到另一个元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一个元件时，在该元件和另一个元件之间没有中间元件的存在。将被理解，除了图中描绘的任何取向之外，这些术语旨在涵盖元件的不同取向。
[0017]诸如“下面”、“上面”、“上边”、“下边”、“水平”或“垂直”的相对术语在本文可以用于描述一个元件、层或区域与图中所图示的另一个元件、层或区域的关系。将被理解，除了图中描绘的取向之外，这些术语旨在涵盖器件的不同取向。
[0018]此外，LED、LED阵列、电气部件和/或电子部件是否被容纳在一个、两个或更多个电子板上也可以取决于设计约束和/或应用。
[0019]半导体发光器件(LED)或光学功率发射器件(诸如发射紫外(UV)或红外(IR)光功率的器件)是当前可用的最有效的光源之一。这些器件(以下称为“LED”)可以包括发光二极管、谐振腔发光二极管、垂直腔激光二极管、边缘发射激光器等。例如，由于其紧凑的尺寸和较低的功率要求，LED可能是许多不同应用的有吸引力的候选。例如，它们可以用作手持式电池供电设备(诸如相机和手机)的光源(例如，闪光灯和相机闪光灯)。它们还可以用于例如机动车照明、抬头显示(HUD)照明、园艺照明、街道照明、视频手电筒(torch for video)、一般光照(例如，家庭、商店、办公室和工作室照明，剧院/舞台照明和建筑照明)、增强现实(AR)照明、虚拟现实(VR)照明、作为显示器的背光、以及IR光谱仪。单个LED可能提供不如白炽光源亮的光，并且因此，多结器件或LED阵列(诸如单片LED阵列、微型LED阵列等)可以用于期望或需要更高亮度的应用。
[0020]对于一些应用，LED可以布置成阵列。例如，LED阵列可以支持从光分布的细粒度强度、空间和时间控制中受益的应用。这可以包括但不限于从像素块或各个像素发射的光的精确空间图案化。取决于应用，发射的光可以是光谱上截然不同的、随时间自适应的、和/或环境响应的。LED阵列可以以各种强度、空间、或时间图案提供预编程的光分布。发射的光可以至少部分地基于接收的传感器数据并且可以用于光学无线通信。相关的电子器件和光学器件可以在发射器、发射器块、或器件级别上截然不同。
[0021]LED阵列可以由LED、VCSEL、OLED或其他可控发光系统的一维、二维或三维阵列形成。LED阵列可以形成为单片衬底上的发射器阵列，其通过部分或完全分割衬底形成，使用光刻、减成法或加成法形成，或者通过使用拾取和放置或其他合适的机械放置的组装形成。LED阵列可以均匀地布局在网格图案中，或者替代地可以定位成限定几何结构、曲线、随机或不规则的布局。
[0022]图1是示例LED阵列102的顶视图。在图1所图示的示例中，LED阵列102是发射器120的阵列。LED阵列102中的发射器120可以是单独可寻址的或者可以是分组/分子集可寻址的。
[0023]图1中还示出了LED阵列102的3
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3部分的分解视图。如3
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3部分分解视图所示，LED阵列102可以包括发射器120，每个发射器具有宽度w1。在实施例中，宽度w1可以是大约100μm或更小(例如，40μm)。发射器120之间的通道122的宽度可以是w2。在实施例中，宽度w2可以是大约20μm或更小(例如，5μm)。在一些实施例中，宽度w2可以小到1μm。通道122可以在相邻发射器之间提供气隙，或者可以包含其他材料。从一个发射器120的中心到相邻发射器
120的中心的距离d1可以是大约120μm或更小(例如，45μm)。将理解，本文提供的宽度和距离仅仅是示例并且实际的宽度和/或尺寸可以变化。
[0024]将理解，尽管在图1中示出了以对称矩阵布置的矩形发射器，但是任何形状和布置的发射器都可以应用于本文描述的实施例。例如，图1的LED阵列102可以包括超过20000个处于任意适用布置(诸如200
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100矩阵、对称矩阵、非对称矩阵等)的发射器。还将理解，多组发射器、矩阵和/或板可以以任何适用的形式被布置，以实现本文描述的实施例。
[0025]如上所述，LED阵列(如LED阵列102)可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：获得封装衬底，所述封装衬底包括嵌入式金属嵌体和在所述封装衬底的顶表面上的多个第一触点；形成混合器件；将所述混合器件的底表面附接到所述金属嵌体的顶表面；以及使用多个导电连接器将所述混合器件的顶表面引线接合到所述封装衬底的顶表面。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述多个导电连接器之上分配阻光密封剂。3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述多个导电连接器之上模制阻光密封剂。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成混合管芯包括将至少一个分段单片发光阵列的底表面附接到硅背板的顶表面。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述将至少一个分段单片发光阵列的底表面附接到硅背板的顶表面包括将各个驱动器电耦合到所述分段单片发光阵列中的多个发光段中的每一个或者所述分段单片发光阵列中的多个发光段中的每个段。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述电耦合包括铜柱凸块将所述硅背板上的铜柱凸块阵列附接到所述至少一个分段单片发光阵列的底表面。7.根据权利要求1所述的方法，其中将混合管芯的底表面附接到所述金属嵌体的顶表面包括：在所述金属嵌体的顶表面上分配一层导热材料，以及将混合管芯管芯附接到该层导热材料。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述引线接合包括将导线、带状导线或柔性电路的一端附接到所述封装衬底的顶表面上的其他触点，并将所述导线、带状导线或柔性电路的相反端附接到混合管芯的顶表面上的触点。9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述封装衬底的顶表面上、在所述封装衬底的顶表面上的所述触点和所述其他触点之间形成至少一个金属化层。10.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述封装衬底的顶表...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：亮锐有限责任公司，
类型：发明
国别省市：