光电半导体器件及其制造的方法技术

提出了一种光电半导体器件(16)，包括：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电半导体器件及其制造的方法


[0001]本专利技术提出了一种光电半导体器件及其制造方法。光电半导体器件例如是倒装芯片。

技术介绍

[0002]在倒装芯片中，第一和第二导电性类型的电荷载流子通常在倒装芯片的半导体层之下、即不在倒装芯片的外表面上馈送和分布。在此，有源区上方的半导体层的接触需要器件中的重新布线。倒装芯片是众所周知的，它使用蚀刻的盲孔使半导体层在电气上是可接触的。然而，这导致倒装芯片的面积效率降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是，给出一种面积优化的光电半导体器件。另一个要解决的技术问题是，给出一种用于制造面积优化的光电半导体器件的方法。
[0004]上述技术问题除其他外由具有独立权利要求的特征的光电半导体器件和用于制造光电半导体器件的方法来解决。
[0005]根据光电半导体器件的至少一个实施方式，其包括层堆，该层堆具有第一导电性类型的第一半导体区域、第二导电性类型的第二半导体区域以及布置在第一和第二半导体区域之间的有源(active)区。例如，第一半导体区域是p掺杂区域，第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电半导体器件(16)，包括
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层堆(9)，包括
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第一导电性类型的第一半导体区域(4)，
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第二导电性类型的第二半导体区域(5)，
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布置在所述第一和第二半导体区域(4，5)之间的有源区(6)，
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在侧向上限制层堆(9)的至少一个侧表面(9A)，
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第一主表面(9B)和与所述第一主表面(9B)相对的第二主表面(9C)，其中所述第一和第二主表面(9B，9C)分别横向于所述侧表面(9A)布置；
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布置在所述第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，所述第一接触装置被设置为用于电接触所述第一半导体区域(4)；
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布置在所述第二主表面(9C)上的第二接触装置(17)，所述第二接触装置被设置为用于电接触所述第二半导体区域(5)并且具有辐射透射性；和
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布置在所述层堆(9)上的导电的边缘层(11)，所述导电的边缘层从所述第二接触装置(17)经由所述侧表面(9A)延伸至所述第一主表面(9B)，并且所述导电的边缘层具有布置在所述第二主表面(9C)上的端部区域(11B)，其中所述端部区域(11B)具有相应于导电的边缘层(11)的厚度(d1)的侧向延展(b1)；和
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布置在所述边缘层(11)与所述层堆(9)之间第一介电层(10)，其中所述第二主表面(9C)未被所述第一介电层(10)覆盖。2.一种光电半导体器件(16)，包括
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层堆(9)，包括
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第一导电性类型的第一半导体区域(4)，
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第二导电性类型的第二半导体区域(5)，
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布置在所述第一和第二半导体区域(4，5)之间的有源区(6)，
‑
在侧向上限制所述层堆(9)的至少一个侧表面(9A)，
‑
第一主表面(9B)和与所述第一主表面(9B)相对的第二主表面(9C)，其中所述第一和第二主表面(9B，9C)分别横向于所述侧表面(9A)布置；
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布置在所述第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，所述第一接触装置被设置为用于电接触所述第一半导体区域(4)；
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布置在所述第二主表面(9C)上的第二接触装置(17)，所述第二接触装置被设置为用于电接触所述第二半导体区域(5)并且具有辐射透射性；和
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布置在所述层堆(9)上的导电的边缘层(11)，所述导电的边缘层从所述第二接触装置(17)经由所述侧表面(9A)延伸至所述第一主表面(9B)；以及
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布置在所述边缘层(11)和所述层堆(9)之间第一介电层(10)，其中所述第二主表面(9C)未被第一介电层(10)覆盖，并且其中所述第一介电层(10)与第二主表面(9C)齐平。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述边缘层(11)共形地布置在所述至少一个侧表面(9A)上。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述第二主表面(9C)未被所述边缘层(11)覆盖。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述边缘层(11)在所
述第二主表面(9C)的背向所述层堆(9)的一侧上不突出于所述第二主表面(9...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：