功率模块及具有其的电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种功率模块及具有其的电子设备，功率模块包括塑封体、多个功率芯片、框架和多个驱动芯片。多个驱动芯片包括低压驱动芯片和高压驱动芯片，高压驱动芯片集成有自举升压模块，多个控制侧引脚分别与低压驱动芯片和高压驱动芯片电连接且从控制侧伸出塑封体，多个功率侧引脚分别与低压功率芯片和高压功率芯片电连接且从功率侧伸出塑封体。多个控制侧引脚包括至少一个高侧悬浮供电引脚，高侧悬浮供电引脚分别与高压驱动芯片电连接，高侧悬浮供电引脚的正投影的背向控制侧的边沿与所述封装体的控制侧的边沿的正投影之间的距离为L1，L1满足：1.4mm≤L1≤2.05mm。根据本发明专利技术的功率模块，提升了功率模块的散热性能和可靠性，并且降低了使用成本。并且降低了使用成本。并且降低了使用成本。

【技术实现步骤摘要】
功率模块及具有其的电子设备


[0001]本专利技术涉及电子设备
，尤其是涉及一种功率模块及具有其的电子设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，功率模块的自举升压芯片通常独立设置，需要占据功率模块较大的宽度，同时高侧悬浮供电引脚占用的空间也较大，使得功率模块的散热性能受到限制，从而降低了功率模块的可靠性。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种功率模块，节约了框架的空间，从而提升了功率模块的散热性能和可靠性，并且高侧悬浮供电引脚占用的空间也较小，降低了高侧悬浮供电引脚的成本。
[0004]本专利技术的另一目的在于提出一种采用上述功率模块的电子设备。
[0005]根据本专利技术第一方面实施例的功率模块，包括：塑封体，所述塑封体的相对两侧分别为控制侧和功率侧；多个功率芯片，多个所述功率芯片设在所述塑封体内，多个所述功率芯片包括低压功率芯片和高压功率芯片；框架，所述框架包括控制侧引线框架和功率侧引线框架，所述控制侧引线框架具有低压芯片焊本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块，其特征在于，包括：塑封体，所述塑封体的相对两侧分别为控制侧和功率侧；多个功率芯片，多个所述功率芯片设在所述塑封体内，多个所述功率芯片包括低压功率芯片和高压功率芯片；框架，所述框架包括控制侧引线框架和功率侧引线框架，所述控制侧引线框架具有低压芯片焊盘、高压芯片焊盘和多个控制侧引脚，所述功率侧引线框架具有多个功率侧引脚；多个驱动芯片，多个所述驱动芯片包括低压驱动芯片和高压驱动芯片，所述低压驱动芯片设在所述低压芯片焊盘上，所述高压驱动芯片设在所述高压芯片焊盘上，所述高压驱动芯片集成有自举升压模块，所述低压驱动芯片与所述低压功率芯片电连接，所述高压驱动芯片与所述高压功率芯片电连接，多个所述控制侧引脚分别与所述低压驱动芯片和所述高压驱动芯片电连接且从所述控制侧伸出所述封装体，多个所述功率侧引脚分别与所述低压功率芯片和所述高压功率芯片电连接且从所述功率侧伸出所述封装体；其中，多个所述控制侧引脚包括至少一个高侧悬浮供电引脚，所述高侧悬浮供电引脚分别与所述高压驱动芯片电连接，在垂直于所述封装体厚度方向的平面内，所述高侧悬浮供电引脚的正投影的背向所述控制侧的边沿与所述封装体的所述控制侧的边沿的正投影之间的距离为L1，其中，所述L1满足：1.4mm≤L1≤2.05mm。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述高侧悬浮供电引脚与所述高压驱动芯片通过连接线电连接，所述连接线的长度为L，其中，所述L满足：0.4mm≤L≤3.2mm。3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述自举升压模块的焊盘面积为s，其中，所述s满足：0.95mm2≤s＜3.7mm2。4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，多个所述控制侧引脚还包括至少一个高压驱动芯片连接引脚，所述高压驱动芯片连接引脚与所述高侧悬浮供电引脚之间彼此间隔设置，所述高压驱动芯片连接引脚与所述高侧悬浮供电引脚之间的最小距离小于或等于2.7倍所述高侧悬浮供电引脚的厚度。5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述高侧悬浮供电引脚与所述高压芯片焊盘之间仅具有间隙。6.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，在垂直于所述封装体厚度方向的平面内，所述高压芯片焊盘的正投影的朝向所述控制侧的边沿与所述封装体的所述控制侧的边沿的正投影之间的距离为L2，其中，所述L2满足：1.8mm≤L2≤2.45mm。7.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，多个所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：成章明，周文杰，李正凯，谢地林，刘剑，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：