【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有对比校正透镜系统的多粒子束系统
[0001]本专利技术关于以多个粒子束操作的粒子束系统。
技术介绍
[0002]就像单束粒子显微镜一样，多束粒子显微镜可用于在微观尺度上分析物体。举例来说，可使用这些粒子显微镜来记录代表物体表面的物体图像。举例来说，通过这种方式，可分析表面的结构。在单束粒子显微镜中，使用带电粒子(例如电子、正电子、介子或离子)的单一粒子束来分析物体，而在多束粒子显微镜中，则使用多个粒子束来实现此目的。多个粒子束(也称为波束(bundle))同时指向物体的表面，因此，与同一时间段内的单束粒子显微镜相比，可取样和分析物体表面的明显更大的区域。
[0003]WO 2005/024 881 A2揭露了形式为电子显微镜系统的多粒子束系统，该系统使用多个电子束进行操作，以使用一束平行的电子束扫描待检查的物体。电子束的波束由电子源产生的电子束所产生，其指向具有多个开口的多孔板。电子束的一部分电子撞击多孔板并在该处被吸收，另一部分的电子束穿过多孔板中的开口，因此电子束在每个开口下游的光束路径中被塑形，该电子束的截...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多粒子束系统，包含以下：多束粒子源，其配置为产生多个带电的第一个别粒子束的第一场；具有第一粒子光束路径的第一粒子光学单元，其配置为将所产生的个别粒子束成像到物平面上，使得所述第一个别粒子束在形成第二场的入射位置撞击物体；检测系统，其具有形成第三场的多个检测区域，具有第二粒子光束路径的第二粒子光学单元，其配置为将从该第二场中的所述入射位置发出的第二个别粒子束成像到该检测系统的所述检测区域的该第三场上；磁物镜，特别是磁浸没透镜，所述第一和所述第二个别粒子束都通过该磁物镜；束开关，其配置在该多束粒子源和该物镜之间的该第一粒子光束路径中，并配置在该物镜和该检测系统之间的该第二粒子光束路径中；以及控制器；其中在该束开关和该检测系统之间的该第二粒子光束路径中存在所述第二个别粒子束的交叉，其中用于切断所述第二个别粒子束的具有中心切口的对比孔径配置于该交叉的区域中，其中具有第一磁对比校正透镜的对比校正透镜系统配置于该物镜和该对比孔径之间的该第二粒子光束路径中，该对比校正透镜系统配置为产生具有可调整强度的磁场并校正在该交叉中的所述第二个别粒子束相对于该多粒子束系统的光轴的束倾斜，以及其中该控制器配置为控制该对比校正透镜系统的激发。2.如权利要求1所述的多粒子束系统，其中该第一磁对比校正透镜配置在所述第二个别粒子束在该多粒子束系统的操作过程中以会聚或发散方式运行的区域中。3.如前述权利要求中任一项所述的多粒子束系统，其中该对比校正透镜系统的激发被控制为使得在通过该对比校正透镜系统之后，所述第二个别粒子束在该第二粒子光束路径的后续像平面或中间像平面中基本上没有方位角速度分量。4.如前述权利要求中任一项所述的多粒子束系统，其中该对比校正透镜系统的激发被控制为使得所有的第二个别粒子束相对于该系统的光轴居中地穿过该交叉。5.如前述权利要求中任一项所述的多粒子束系统，其中该第一对比校正透镜的磁场基本上平行于该系统的光轴对准。6.如前述权利要求中任一项所述的多粒子束系统，其中该第一对比校正透镜的长度L大于该对比校正透镜的半径r，即L>r。7.如权利要求6所述的多粒子束系统，其中该第一对比校正透镜的长度L至少为该对比校正透镜的半径r的两倍，即L≥2r。8.如前述权利要求中任一项所述的多粒子束系统，其中该第一对比校正透镜的长度L至少为15cm，特别是至少为20cm和/或至少30cm。9.如前述权利要求中任一项所述的多粒子束系统，其中该物镜为磁浸没透镜。10.如权利要求9所述的多粒子束系统，其中该浸没透镜提供聚焦磁场，该聚焦磁场在该物平面中的磁场强度大于10mT，特别是大于20mT、50mT和/或150mT。11.如前述权利要求中任一项所述的多粒子束系统，其中该第二粒子光学单元包含投射透镜系统，其包含第一投射透镜系统和第二投射透
镜系统，以及其中该第一对比校正透镜配置于该投射透镜系统的该第一投射透镜系统与该第二投射透镜系统之间。12.如前述权利要求中任一项所述的多粒子束系统，其中该第二粒子光学单元包含投射透镜系统，以及其中该第一对比校正透镜在与该粒子光束路径相反的方向上配置于该对比孔径和与其最靠近的该投射透镜之间。13.如权利要求11及12中任一项所述的多粒子束系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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