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本发明关于多粒子束系统,其包含磁浸没透镜并包含检测系统。在此处,在束开关和检测系统之间的二次路径中提供第二个别粒子束的交叉,并在交叉区域中配置用于切断二次束的具有中心切口的对比孔径。具有第一磁对比校正透镜的对比校正透镜系统配置于物镜和对比孔...该专利属于卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司授权不得商用。
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本发明关于多粒子束系统,其包含磁浸没透镜并包含检测系统。在此处,在束开关和检测系统之间的二次路径中提供第二个别粒子束的交叉,并在交叉区域中配置用于切断二次束的具有中心切口的对比孔径。具有第一磁对比校正透镜的对比校正透镜系统配置于物镜和对比孔...