一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法技术

本申请涉及LED芯片技术领域。一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法包括清理AlGaInP基红色LED的晶圆表面的油污；利用等离子体增强化学沉积，在晶圆的表面沉积预设厚度的二氧化硅；将稀释的光刻胶涂覆在晶圆表面，在第一预设温度下烘烤；利用干涉曝光，对晶圆进行第一次曝光，调整晶圆角度，再对调整角度后的晶圆进行第二次曝光；将第二次曝光后的晶圆，在第二预设温度下烘烤，使光刻胶在晶圆表面形成半球形阵列图形；利用等离子体刻蚀，将半球形阵列图形的光刻胶转移至二氧化硅上；利用LED制备方法制成LED芯片。本申请具备纳米级二氧化硅半球阵列的LED芯片的光提取效率得到提高，且不会影响器件的电学特性。且不会影响器件的电学特性。且不会影响器件的电学特性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法


[0001]本申请涉及LED芯片
，尤其涉及一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法。

技术介绍

[0002]基于AlGaInP的红色LED具有很强的电流承载能力耐高温，尤其在照明、显示屏和指示灯领域中发挥着不可替代的作用。在LED芯片(以下简称LED)中，并非所有的光子都能由LED中发射出来，此种情况，大多使用光提取效率(LEE)作为LED发光特性的指标。光提取效率(LEE)反映了光子发射到LED外的光子数量和产生的光子数量之间的比率。由于边界菲涅尔反射的存在，使得基于AlGaInP的LED的光提取效率通常很低，即使有100％的内部量子效率，光提取效率仍被限制在4％左右。
[0003]目前，已经存在多种方法来提高LED的光提取效率，例如，通过处理LED的封装、图案衬底、嵌入式反射器、共振腔、表面织构和光子晶体等方式来增加光提取效率。其中，表面结构的处理相较于其他提高光提取效率的方式，具有更低成本和适于大规模生产的优势。LED的表面结构的处理可采用干法刻蚀或湿法刻蚀等方式。其中，湿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，包括：S1：清理AlGaInP基红色LED的晶圆表面的油污；S2：利用等离子体增强化学沉积，在所述晶圆的表面沉积预设厚度的二氧化硅；S3：将稀释的光刻胶涂覆在所述晶圆表面，在第一预设温度下烘烤；S4：利用干涉曝光，对所述晶圆进行第一次曝光，调整所述晶圆角度，再对调整角度后的所述晶圆进行第二次曝光；S5：将第二次曝光后的所述晶圆，在第二预设温度下烘烤，使所述光刻胶在所述晶圆表面形成半球形阵列图形；S6：利用等离子体刻蚀，将半球形阵列图形的所述光刻胶转移至所述二氧化硅上；S7：利用LED制备方法，在具有所述二氧化硅的所述AlGaInP基红色LED外延的顶部和底部分别制作电极，以及隔离沟道。2.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，所述S2中，所述二氧化硅的预设厚度为250～350nm。3.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，所述S3中，稀释的光刻胶包括光刻胶以及正胶稀释液，其中，所述光刻胶与所述正胶稀释液的比例为1∶4。4.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，所述S3中，所述第一预设温度为80～95℃；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐先胜，刘伟业，谭新辉，韩丽丽，王兆伟，宫卫华，张伟，
申请(专利权)人：山东省科学院激光研究所，
类型：发明
国别省市：