一种AlN薄膜保护硅衬底Micro-LED阵列键合转移的方法技术

本发明专利技术公开了一种AlN薄膜保护硅衬底Micro

【技术实现步骤摘要】
一种AlN薄膜保护硅衬底Micro
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LED阵列键合转移的方法


[0001]本专利技术涉及半导体显示器件领域，尤其是涉及一种AlN薄膜保护硅衬底Micro
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LED阵列键合转移的方法。

技术介绍

[0002]微发光二极管(Micro
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LED)一般是由单个芯片尺寸小于50μm的LED阵列组成，是新型显示技术与发光二极管(LED)技术二者复合集成的综合性技术。与液晶显示(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示相比，其具有低功耗、高效率、高集成、长寿命和全天候工作等潜在优点，被认为是最有前途的下一代新型显示和发光器件之一，可被广泛应用于平板显示、空间显示、增强显示(AR)/虚拟现实(VR)和可穿戴器件等领域。
[0003]制备Micro
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LED的GaN基外延片大多生长于蓝宝石衬底、硅衬底上，如果不去除蓝宝石衬底，那么由于蓝宝石衬底的光波导效应，会导致像素间的光串扰非常严重。如果是硅衬底GaN基外延片，必须去除硅衬底才能实现微显示器件制备，去除硅衬底可以有两种方式，第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种AlN薄膜保护硅衬底Micro
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LED阵列键合转移的方法，其特征在于：包括以下步骤：1)在硅衬底上制备由若干个Micro
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LED构成的GaN基Micro
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LED阵列，其中相邻两个Micro
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LED之间的GaN层被完全刻穿，直至暴露硅衬底；2)在制备好的Micro
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LED阵列上生长一层AlN薄膜，且AlN薄膜须覆盖Micro
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LED阵列之间的沟槽；3)通过光刻及刻蚀工艺去除Micro
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LED的N型金属电极层和P型金属电极层表面的AlN薄膜，将N型金属电极层和P型金属电极层的表面暴露出来；4)将Micro
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LED阵列键合转移到驱动基板上；5)通过电感耦合等离子体设备干法刻蚀去除硅衬底。2.根据权利要求1或2所述的AlN薄膜保护硅衬底Micro
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LED阵列键合转移的方法，其特征在于：在所述步骤4、5）之间还包括以下步骤：4.1)在步骤4键合转移后的器件表面再长第二层AlN薄膜；4.2)通过机械减薄的方法将硅衬底减薄至80μm以下。3.根据权利要求1所述的AlN薄膜保护硅衬底Micro
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LED阵列键合转移的方法，其特征在于：在所述步骤2）中生长AlN薄膜的方法为：采用原子层沉积设备生长AlN薄膜，生长温度低于400℃。4.根据权利要求1所述的AlN薄膜保护硅衬底Micro
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LED阵列键合转移的方法，其特征在于：在所述步骤3）中，去除N型金属电极层和P型金属电极层表面的AlN薄膜方法为：通过光刻及等离子体干法刻蚀暴露出N型金属电极层和P型金属电极层表面，刻蚀气体为Cl2+BCl3，刻蚀方法是以下的任...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立，彭如意，李新华，蒋恺，陈芳，黄超，谢欣宇，胡民伟，
申请(专利权)人：南昌硅基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：