一种优化气体流场的石墨基座制造技术

本实用新型专利技术公开了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座的上部开设有安装凹槽，所述安装凹槽的中部设置有调节螺杆，所述调节螺杆的上端设置有与安装凹槽相匹配的托盘，所述托盘的外侧均匀设置有导向条，所述石墨基座开设有与导向条相匹配的导向滑槽，所述石墨基座的一侧设置有驱动调节螺杆旋转调节的驱动机构，所述托盘的上端活动设置有用于安装晶圆的固定衬套。本实用新型专利技术能够根据实际的使用需要调整承载晶圆的平面的高度，使得晶圆的上表面与石墨基座的上表面齐平，避免了气体从石墨基座流到晶圆表面时发生绕流现象，从而提高晶圆的生产质量。从而提高晶圆的生产质量。从而提高晶圆的生产质量。

【技术实现步骤摘要】
一种优化气体流场的石墨基座


[0001]本技术涉及气相沉积
，具体为一种优化气体流场的石墨基座。

技术介绍

[0002]气相沉积的基本原理涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。主要以金属蒸汽、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等蒸汽为原料，进行气相热分解反应，以及两种以上单质或化合物的反应，再凝聚生成各种形态的材料。化学气相沉积工艺中，沉积薄膜的均匀性极为重要，薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程，气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等产生较大影响。通常来说化学气相沉积受气体流场等工艺因素影响均匀性难以保证，为了提高涂层均匀性一般采用石墨盘旋转工艺，可以达到稳定生产的目的。
[0003]现有技术中，由于石墨基座的晶圆安装凹槽无法根据晶圆的规格尺寸进行快的上表面与晶圆的上表面不登高，气体从石墨基座流到晶圆表面时容易发生气体绕流现象，从而对气相沉积造成不良影响。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种优化气体流场的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座(1)，其特征在于：所述石墨基座(1)的上部开设有安装凹槽(2)，所述安装凹槽(2)的中部设置有调节螺杆(3)，所述调节螺杆(3)的上端设置有与安装凹槽(2)相匹配的托盘(4)，所述托盘(4)的外侧均匀设置有导向条(5)，所述石墨基座(1)开设有与导向条(5)相匹配的导向滑槽，所述石墨基座(1)的一侧设置有驱动调节螺杆(3)旋转调节的驱动机构(6)，所述托盘(4)的上端活动设置有用于安装晶圆的固定衬套(7)。2.根据权利要求1所述的一种优化气体流场的石墨基座，其特征在于：所述驱动机构(6)包括传动套(60)、蜗轮(61)、蜗杆(62)、支撑板(63)和传动轴(64)，所述调节螺杆(3)的外侧螺纹套设有传动套(60)，传动套(60)与石墨基座(1)转动连接，所述传...

【专利技术属性】
技术研发人员：何少龙，周李伟，盛锋锋，丁柳宁，
申请(专利权)人：浙江六方碳素科技有限公司，
类型：新型
国别省市：