一种氮化镓器件及其制造方法、电子设备技术

本申请实施例公开了一种氮化镓器件及其制造方法、电子设备，氮化镓器件可以包括氮化镓层、氮化镓层一侧表面的势垒层以及势垒层的背离氮化镓层一侧的栅极，氮化镓层具有栅极区域和栅极区域外围的非栅区域，势垒层的组成材料的元素包括铝(Al)、镓(Ga)和氮(N)，势垒层位于栅极区域和非栅区域，在沿垂直氮化镓层的表面的方向上，位于栅极区域的势垒层的尺寸大于位于非栅区域的势垒层的尺寸，且位于栅极区域的势垒层朝向氮化镓层的一侧的铝浓度高于朝向栅极的一侧的铝浓度，这样在栅极区域背离氮化镓层的方向上势垒层中的铝浓度递减，基于极化效应使势垒层天然可以等效为p型掺杂而无需Mg掺杂，从而使栅极区域的AlGaN/GaN界面的电子可以被天然的耗尽，而非栅区域的二维电子气沟道不被耗尽，且在构成常关型氮化镓器件的同时，不会由于Mg掺杂而在非栅区域的势垒层中形成缺陷态，因此降低器件的动态电阻退化和HTOL后电阻退化的风险，利于得到性能优异的氮化镓器件。器件。器件。器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐高飞，上田大助，孙辉，包琦龙，王汉星，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：