【技术实现步骤摘要】
一种晶体管
[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种晶体管。
技术介绍
[0002]由于金属氧化物中存在一定的带隙缺陷，且非晶态金属氧化物中的带隙缺陷更明显。而较深的带隙缺陷结构可以捕获较多的自由电子，从而引起电荷补偿现象。因此，在通过金属氧化物作为有源层制备薄膜晶体管的情况下，在向晶体管施加正偏置栅压，金属氧化物中的带隙结构会引起源极和漏极之间的开态电流的下降，即会造成晶体管开态电流的衰减，从而会对半导体器件的稳定性和实用性产生影响。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供了一种晶体管及其制备方法，以解决目前的晶体管中金属氧化物中的带隙结构会引起源极和漏极之间的开态电流的下降，即会造成晶体管开态电流的衰减，从而会对半导体器件的稳定性和实用性产生影响的问题。
[0004]本申请实施例的第一方面提供了一种晶体管，包括：
[0005]有源层；
[0006]源极，所述源极与所述有源层的一端电连接；
[0007]漏极，所述漏极与所述有源层的另一端电连接；
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：有源层；源极，所述源极与所述有源层的一端电连接；漏极，所述漏极与所述有源层的另一端电连接；第一栅极，设置于所述有源层的一侧，所述第一栅极包括至少两个电极块，至少两个所述电极块用于接入同一个栅极信号，每个所述电极块在所述有源层上的正投影相离；第二栅极，设置于所述有源层的另一侧，所述第二栅极用于接入偏置电压，所述第二栅极在所述有源层上的正投影与所述有源层交叠。2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，至少一个所述电极块在所述有源层上的正投影至少部分覆盖第一区域，至少一个所述电极块在所述有源层上的正投影至少部分覆盖第二区域；其中，所述第一区域为所述源极与所述有源层的接触区域，所述第二区域为所述漏极与所述有源层的接触区域。3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一栅极在所述有源层上的正投影落入沟道区域的边缘，其中，所述沟道区域为所述源极和所述漏极在所述有源层上的正投影之间的区域。4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述第一区域覆盖所述沟道区域的边缘；所述第二区域覆盖所述沟道区...
【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉玮，开媛，卢年端，王桂磊，赵超，李泠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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