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本申请实施例提供了一种晶体管，涉及半导体器件技术领域，以解决目前的晶体管中金属氧化物中的带隙结构会引起源极和漏极之间的开态电流的下降，即会造成晶体管开态电流的衰减，从而会对半导体器件的稳定性和实用性产生影响的问题。该晶体管包括：有源层；源极...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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