半导体装置及其制作方法制造方法及图纸

一种半导体装置，包含基底、栅极介电层、栅极电极、场板、源极电极和漏极电极。栅极介电层设置于基板上，且包含具有第一厚度的第一部分、具有第二厚度的第二部分、及具有第三厚度的第三部分，第一厚度、第二厚度和第三厚度彼此不同，且第一厚度小于第二厚度和第三厚度。栅极电极设置在栅极介电层的第一部分上，场板设置在栅极介电层的第二部分和第三部分上，场板与栅极电极分离并且电耦接到栅极电极，源极电极和漏极电极分别设置在栅极电极和场板的侧边。侧边。侧边。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置的领域，特别是涉及一种包含横向扩散金属氧化物半导体(laterally
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diffused metal
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oxide semiconductor,LDMOS)装置的半导体装置及其制作方法。

技术介绍

[0002]LDMOS装置是一种金属氧化物半导体(MOS)功率晶体管，其在栅极和漏极区之间包含漂移区(drift region)，漂移区是相对于源极区和漏极区的掺杂浓度较轻的轻掺杂区，用于避免或抑制源极区和漏极区之间的高电场。由于LDMOS装置适合用于传输高频和高功率电性信号，因此被广泛使用于高压功率的应用。
[0003]导通电阻(on
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state resistance,Ron)是LDMOS装置的一个重要指标，导通电阻与LDMOS装置的功率消耗成正比。随着对电子装置的节能和更好性能的需求不断增加，制造商持续寻求降低LDMOS装置的漏电流和导通电阻的方法。虽然已经观察到当漂移区的掺杂浓度增加时，已知的LDMOS装置的导通电阻会降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基底；一栅极介电层，设置于所述基板上，其中所述栅极介电层包括具有一第一厚度的一第一部分、具有一第二厚度的一第二部分和具有一第三厚度的一第三部分，所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度彼此不同，且所述第一厚度小于所述第二厚度和所述第三厚度；一栅极电极，设置在所述栅极介电层的所述第一部分上；一场板，设置在所述栅极介电层的所述第二部分和所述第三部分上，其中所述场板与所述栅极电极分离且电耦接到所述栅极电极；一源极电极，设置于所述栅极电极的一侧；以及一漏极电极，设置于所述场板的一侧。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二厚度小于所述第三厚度。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极介电层的所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分互相连接。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极电极与所述场板之间具有一间隙，且所述间隙位于所述栅极介电层的所述第一部分或所述第二部分的正上方。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极电极和所述场板具有相同的电位。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极电极具有一第一长度，所述场板具有一第二长度，且所述第二长度大于所述第一长度。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述源极电极与所述栅极电极之间具有一第一距离，所述漏极电极与所述场板之间具有一第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述场板的一边缘或所述栅极电极的一边缘与所述栅极介电层的所述第二部分的一边缘对齐。9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极介电层的所述第三部分从所述场板朝向所述漏极电极突出，且所述栅极介电层的所述第三部分与一漏极区之间具有一距离。10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：一第一栅极间隙壁，设置于所述栅极电极的一侧壁上；一第二栅极间隙壁，填充于所述栅极电极与所述场板之间的一间隙中；以及一第三栅极间隙壁，设置于所述场板的一侧壁上。11.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成一栅极介电层，其中所述栅极介电层包括具有一第一厚度的一第一部分、具有一第二厚度的一第二部分和具有一第三厚度的一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赛沙瓦尔，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：