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一种半导体装置，包含基底、栅极介电层、栅极电极、场板、源极电极和漏极电极。栅极介电层设置于基板上，且包含具有第一厚度的第一部分、具有第二厚度的第二部分、及具有第三厚度的第三部分，第一厚度、第二厚度和第三厚度彼此不同，且第一厚度小于第二厚度和...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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