异质结双极晶体管和异质结双极晶体管的形成方法技术

一种异质结双极晶体管和异质结双极晶体管的形成方法，异质结双极晶体管包括：衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间；位于第一区上和第二区上的基座，所述基座在第二方向上依次包括：集电极层、位于集电极层上的基极层以及位于基极层上的发射极层；位于第一区发射极层上的发射极金属层以及位于发射极金属层上的第一连接层；位于第二区上的基极金属层，所述基极金属层贯穿所述发射极层与基极层接触；位于衬底第三区上的集电极金属层以及位于集电极金属层上的第二连接层；所述第一连接层、第二连接层与基极金属层的相同。所述异质结双极晶体的性能得到提升。异质结双极晶体的性能得到提升。异质结双极晶体的性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
异质结双极晶体管和异质结双极晶体管的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种异质结双极晶体管和异质结双极晶体管的形成方法。

技术介绍

[0002]异质结双极晶体管(Hetero
‑
junction Bipolar Transistor，简称HBT)是由发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collect)组成的晶体管，发射区采用轻掺杂的宽带隙，基区采用重掺杂的窄带隙，发射效率由禁带能差决定，主要功能为电流增益，如增益集电区电流或增益基区电流，异质结双极晶体管器件有性能稳定、高速度及高频率等特点。异质结双极晶体管技术已成为RF集成电路市场的主流技术之一，并对现代通信技术的发展产生了深远的影响。
[0003]然而，现有的异质结双极晶体管的形成过程还有待改善。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种异质结双极晶体管和异质结双极晶体管的形成方法，以改善异质结双极晶体管的性能。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种异质结双极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于所述第一区上和所述第二区上的基座，所述基座在第二方向上依次包括：集电极层、位于所述集电极层上的基极层以及位于所述基极层上的发射极层，所述第二方向垂直于衬底表面，且所述第二方向与所述第一方向垂直；位于所述发射极层上的发射极金属层以及位于所述发射极金属层上的第一连接层，所述发射极金属层和所述第一连接层位于所述第一区上方；位于所述第二区上方的基极金属层，所述基极金属层贯穿所述发射极层，与所述基极层接触；位于所述衬底上的集电极金属层以及位于所述集电极金属层上的第二连接层，所述集电极金属层和所述第二连接层位于所述第三区上；所述第一连接层、所述第二连接层与所述基极金属层相同。2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一连接层、所述第二连接层与所述基极金属层的结构包括多层金属结构，所述多层金属结构包括：在所述第二方向上依次堆叠的第一金属层、粘附层、第二金属层和第三金属层。3.如权利要求2所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一金属层的材料包括含有铂元素的合金；所述粘附层的材料包括钛；所述第二金属层的材料包括含有铂元素的合金；所述第三金属层的材料包括金。4.如权利要求3所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一金属层材料中铂的原子百分比含量范围为20％～50％。5.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，还包括：位于所述发射极金属层与所述发射极层之间的第一外延层；所述发射极金属层在所述衬底上的投影位于所述第一外延层在所述衬底上的投影范围内。6.如权利要求5所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第一外延层的导电类型包括N型；所述第一外延层的材料包括砷化镓。7.如权利要求5所述的异质结双极晶体管，其特征在于，还包括：位于所述第三区表面、所述基座侧壁表面、位于所述第二区上方的所述发射极层表面、位于所述第一区上方的所述发射极层表面、所述第一外延层侧壁表面和顶部表面以及所述发射极金属层侧壁表面的保护层，所述保护层暴露出所述集电极金属层顶部表面、所述基极金属层顶部表面以及所述发射极金属层顶部表面。8.如权利要求7所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硅。9.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述集电极层内掺杂有第一离子；所述基极层内掺杂有第二离子，所述第一离子的电学类型和所述第二离子的电学类型不同，所述第二离子的掺杂浓度大于所述第一离子的掺杂浓度。10.如权利要求9所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述发射极层内掺杂有第三离子，所述第三离子的电学类型与所述第二离子的电学类型不同，所述第三离子的电学类型与所述第一离子的电学类型相同，所述第三离子的掺杂浓度大于所述第一离子的掺杂浓
度，且所述第三离子的掺杂浓度小于所述第二离子的掺杂浓度。11.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述衬底包括：基底以及位于基底上的第二外延层，所述第二外延层内具有掺杂离子。12.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述发射极金属层的材料包括金属，所述金属包括钛或铂；所述集电极金属层的材料包括金属，所述金属包括金、锗或镍。13.一种异质结双极晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；在所述衬底上形成基座和发射极金属层，所述基座在第二方向上依次包括：集电极层、位于所述集电极层上的基极层以及位于所述基极层上的发射极层，所述基座位于所述第一区上和所述第二区上，所述发射极金属层位于所述发射极层上，所述发射极金属层位于所述第一区上方，所述第二方向垂直于衬底表面，且所述第二方向与所述第一方向垂直；在所述第三区上形成集电极金属层；在所述发射极金属层上形成第一连接层；在所述第二区上方形成基极金属层，所述基极金属层贯穿所述发射极层与所述基极层接触；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘林，杨磊，袁海旭，何鹏，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：