【技术实现步骤摘要】
一种异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层及其制备方法
[0001]本专利技术属于传感器
,具体涉及一种应用于异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层及其制备方法。
技术介绍
[0002]目前,陆海空军事领域飞速发展,对动力装置提出了更高的性能要求,为了配合性能设计优化与安全可靠性验证,对动力装置的实时健康监控成为了关键步骤。传统的传感器芯片是单独制备,再通过粘贴、埋入等方式集成在待测结构部件上。这种方法在目前情况下有很大的局限性:一方面,粘贴的方法需要用到的胶材由国外垄断,且长时间恶劣环境会老化导致测量误差;另一方面,传统传感器芯片宏观的体积较大,对待测结构部件的物理性能具有一定的影响,性能损耗得不偿失。原位传感器技术可以完美克服以上的问题,它直接在待测结构上制备,一体成型,不需要胶材粘贴,同时在厚度上低至微米尺寸,对待测结构部件的力学性能影响几乎可以忽略不计。
[0003]然而,通常的结构部件为金属材质,在制备时需要考虑传感器芯片与金属结构部件之间的绝缘性问题,防止短路带来的测量误差。而金属结构部件通常并非平面,具有 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层,其特征在于所述绝缘层是在异形金属基底(1)的需要探测的区域上原位制备的,所述绝缘层包括位于所述异形金属基底(1)上的保形氧化铝薄膜层(2),和位于保形氧化铝薄膜层(2)上的致密氧化铝薄膜层(3),其中保形氧化铝薄膜层(2)覆盖的区域大于致密氧化铝薄膜层(3)覆盖的区域。2.按照权利要求1所述的异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层,其中保形氧化铝薄膜层(2)覆盖异形金属基底(1)表面绝大部分区域。3.按照权利要求1所述的异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层,其中保形氧化铝薄膜层(2)厚度为1~10μm,采用溶胶凝胶法结合浸渍提拉法制备。4.按照权利要求1或3所述的异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层,其中致密氧化铝薄膜层(3)厚度为100nm~1μm,采用原子层沉积、双离子束溅射或磁控溅射制备。5.按照权利要求1所述的异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层,其中异形金属基底原位传感器芯片包括原位应变传感器芯片、原位温度传感器芯片或原位热流传感器芯片。6.一种按照权利要求1所述的异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层的制备方法,所述方法包括以下步骤:S1,对异形金属基底(1)进行超声清洗和烘干;S2,将异形金属基底(1)放入氧化铝溶胶溶液中,静置后以10~50...
【专利技术属性】
技术研发人员:张梅菊,刘德峰,黄漫国,梁晓波,张丛春,闫博,高云端,吴怀昊,
申请(专利权)人:北京长城航空测控技术研究所有限公司北京瑞赛长城航空测控技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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