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本发明涉及一种异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层及其制备方法。所述绝缘层是在异形金属基底(1)的需要探测的区域上原位制备的，所述绝缘层包括位于所述异形金属基底(1)上的保形氧化铝薄膜层(2)，和位于保形氧化铝薄膜层(2)上的致密氧化铝薄膜层...该专利属于北京长城航空测控技术研究所有限公司北京瑞赛长城航空测控技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京长城航空测控技术研究所有限公司北京瑞赛长城航空测控技术有限公司授权不得商用。