一种磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法技术

本发明专利技术涉及磁传感器技术领域，提供了一种磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法，包括：设置第一磁阻元件和第二磁阻元件均位于所述磁通聚集元件的下方，所述磁通聚集元件使外磁场产生扭曲，以使Z轴的分量转变为垂直于Z轴的分量；所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件灵敏方向相反、且不与磁场垂直于Z轴分量垂直，灵敏系数大小相等；设置所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件各自所处的点位处垂直于Z轴的磁场分量方向相反、且随与磁通聚集元件在Z轴方向的中心轴的距离变化的变化率大小相同、趋势相反。本发明专利技术提供的技术方案能够消除磁通聚集元件位置误差带来的测量误差的技术问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法


[0001]本专利技术涉及磁传感器
，尤其是涉及一种磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法。

技术介绍

[0002]在现有的磁传感器中，设置有磁通聚集元件，该磁通聚集元件对磁场有扭曲作用，将垂直于片状磁通聚集元件平面的Z轴磁场分量转变成XY平面内的磁场分量，从而实现Z轴方向上磁信号的测量。由于磁场在磁通聚集元件的边缘处扭曲程度较大，因此一般在靠近磁通聚集元件的边缘处设置磁阻元件，从而对XY平面内的磁场分量进行感测。
[0003]但由于工艺问题磁通聚集元件的生长可能不符合预期，比如磁通聚集元件的尺寸不变但位置发生偏移，导致其边缘位置发生变化，边缘位置的变化，会导致磁阻元件感测到的X方向或者Y方向的磁场分量变大或变小，以此变大或变小的磁场分量再去推算Z轴方向上的磁信号大小，必然会存在误差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法，以解决了现有技术中存在的因磁通聚集元件位置误差导致的，对垂直于该磁通聚集元件的磁信号测量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法，其特征在于，包括：在磁通聚集元件下方设置第一磁感应对，所述磁通聚集元件使外磁场产生扭曲，以使Z轴的分量转变为垂直于Z轴的分量；所述第一磁感应对包括第一磁阻元件和第二磁阻元件，所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件在Z轴方向上均位于所述磁通聚集元件的下方；所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件的所在位置处，垂直于Z轴的磁场分量方向相反，且磁场分量随与磁通聚集元件在Z轴方向的中心轴的距离变化的位置距离的变化率大小相同、但趋势相反；所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件灵敏方向相反、且不与磁场垂直于Z轴分量垂直，灵敏系数大小相等。2.根据权利要求1所述的磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法，其特征在于，还包括第二磁感应对，所述第二磁感应对包括第三磁阻元件和第四磁阻元件；所述第三磁阻元件和所述第四磁阻元件在Z轴方向上均位于所述磁通聚集元件的下方；所述第三磁阻元件和所述第四磁阻元件的所在位置处，垂直于Z轴的磁场分量方向相反，且磁场分量随与磁通聚集元件在Z轴方向的中心轴的距离变化的位置距离的变化率大小相同、但趋势相反；所述第三磁阻元件和所述第四磁阻元件灵敏方向相反、且不与磁场垂直于Z轴分量垂直，灵敏系数大小相等；所述第一至第四磁阻元件所在位置处磁场分量随位置距离的变化率大小相同。3.根据权利要求2所述的磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法，其特征在于，所述第一磁阻元件和第二磁阻元件串联或并联成第一桥臂；所述第三磁阻元件和第四磁阻元件串联或并联成第二桥臂；所述第一桥臂和所述第二桥臂构成第一半桥电路输出信号。4.根据权利要求3所述的磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法，其特征在于，还包括第三磁感应对和第四磁感应对，所述第三磁感应对包括第五磁阻元件和第六磁阻元件，所述第五磁阻元件和所述第六磁阻元件灵敏方向相反、且不与磁场垂直于Z轴分量垂直，灵敏系数大小相等；所述第四磁感应对包括第七磁阻元件和第八磁阻元件，所述第七磁阻元件和所述第八磁阻元件灵敏方向相反、且不与磁场垂直于Z轴分量垂直，灵敏系数大小相等。5.根据权利要求4所述的磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法，其特征在于，所述第一至第八磁阻元件所在位置处磁场分量随位置距离的变化率大小相同；所述第五磁阻元...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭海平，徐杰，宋晨，顾蕾，陶刚，黄贤峰，沈卫锋，薛松生，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：