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一种磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法技术
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文档序号:37792854
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本发明涉及磁传感器技术领域,提供了一种磁传感器中磁通聚集元件位置误差的校正方法,包括:设置第一磁阻元件和第二磁阻元件均位于所述磁通聚集元件的下方,所述磁通聚集元件使外磁场产生扭曲,以使Z轴的分量转变为垂直于Z轴的分量;所述第一磁阻元件和所述...
该专利属于江苏多维科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏多维科技有限公司授权不得商用。
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