一种磁栅传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种高精度且抗干扰的磁栅传感器。该磁栅传感器至少包括一个由两个等效磁电阻串联或并联而成的磁阻单元。以磁栅磁极任一个周期排布方向为参考方向，所述磁阻单元的两个等效磁电阻的磁敏系数大小相等，其中一个等效磁电阻的磁敏方向平行于该参考方向，另一个等效磁电阻的灵敏方向则反平行于该参考方向。所述磁阻单元的两个等效磁电阻沿着预设方向设置，使所述磁阻单元的电阻值随着该预设方向上、自身所处位置上磁栅磁场的变化而变化。本发明专利技术提供的磁栅传感器不仅能够削弱外部磁场的干扰，而且结合两个等效磁电阻之间的位置设置还能够消除磁栅传感器中的特定谐波，改善输出的测量信号，提高测量精度。提高测量精度。提高测量精度。

【技术实现步骤摘要】
一种磁栅传感器


[0001]本专利技术涉及磁场感测/测量的
，具体涉及一种高精度、抗干扰的磁栅传感器。

技术介绍

[0002]在现有的磁传感器中，磁栅传感器是专门用于测量周期性磁场的一类磁传感器，其广泛应用在齿轮测量，距离测量等方面。
[0003]图1为常见种磁栅传感器配合磁栅尺的检测示意图。整个检测系统主要包括N、S磁极交替排布的磁栅尺1和位于磁栅上方的磁头3。通常情况下磁头3中包含8个磁电阻2。如图2所示，8个磁电阻2分成四组构成两路并联的惠斯通全桥，四组磁电阻分别为R1、R2、R3、R4。第一路惠斯通全桥由R1、R3两组磁电阻构成，第二路惠斯通全桥由R2，R4两组磁电阻构成。在理想情况下，磁栅距和磁电阻排布间距相对应时，即相邻磁电阻组间间距为磁栅距L，这样相邻磁电阻之间相位差为周期。磁栅尺1上方沿着磁极排布方向上的磁场分布呈现周期性变化。当磁头3沿着磁栅尺1的长度方向运行时，磁头3内部的磁电阻2能感应到周期性变化的磁场，输出相对应的正余弦变化信号。基于输出的正余弦变化信号计算得到长度位移矢量值。
[0004]然而，由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁栅传感器，其特征在于，该磁栅传感器至少包括一个由两个等效磁电阻串联或并联而成的磁阻单元；所述磁阻单元的两个等效磁电阻的磁敏系数大小相等，方向相反；以磁栅磁极任一个周期排布方向为参考方向，所述磁阻单元的两个等效磁电阻沿着该参考方向设置，使所述磁阻单元的电阻值随着该参考方向上、自身所处位置上磁栅磁场的变化而变化。2.如权利要求1所述的磁栅传感器，其特征在于，所述等效磁电阻实现为一个磁电阻，或者由若干个磁电阻串联、并联/串并联。3.如权利要求2所述的磁栅传感器，其特征在于，所述磁阻单元的类型属于包括TMR、AMR、GMR 、CMR、 SMR在内的 XMR。4.如权利要求3所述的磁栅传感器，其特征在于，该磁栅传感器包括由两个所述磁阻单元组成的第一半桥，第一、第二磁阻单元分别作为该半桥的一个臂，所述半桥的输出信号从两个磁阻单元之间引出；第一磁阻单元的第一等效磁电阻和第二磁阻单元的第一等效磁电阻在所述参考方向上的灵敏方向相反、检测到的磁栅磁场的相位相同，第一磁阻单元的第二等效磁电阻和第二磁阻单元的第二等效磁电阻在所述参考方向上的灵敏方向相反、检测到的磁栅磁场的相位相同。5.如权利要求3所述的磁栅传感器，其特征在于，该磁栅传感器包括由两个所述磁阻单元组成的第二半桥，第一、第二磁阻单元分别作为该半桥的一个臂，所述半桥的输出信号从两个磁阻单元之间引出；第一磁阻单元的第一等效磁电阻和第二磁阻单元的第一等效磁电阻在所述参考方向上的灵敏方向相同、检测到的磁栅磁场的相位相差180度，第一磁阻单元的第二等效磁电阻和第二磁阻单...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭海平，宋晨，陆静娟，黄贤峰，李昊晨，沈卫锋，薛松生，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：