一种磁传感器芯片测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的一种磁传感器芯片测试装置，包括第一固定板、测试件和磁场发生组件，第一固定板适于放置磁传感器芯片，测试件与所述磁传感器芯片连接，以对其进行测试，磁场发生组件与所述第一固定板连接，所述磁场发生组件设于所述磁传感器芯片一侧，以在所述磁传感器芯片处提供梯度磁场，在对不同的磁传感器芯片进行测试时，仅需要更换不同的磁传感器芯片，相对于现有技术中采用额外磁场发生装置来提供梯度磁场来进行测试，本发明专利技术直接在磁传感器芯片一侧设置磁场发生组件，能够提高测试效率。能够提高测试效率。能够提高测试效率。

【技术实现步骤摘要】
一种磁传感器芯片测试装置


[0001]本专利技术涉及传感器的测试工装
，具体涉及一种磁传感器芯片测试装置。

技术介绍

[0002]梯度磁电阻传感芯片，一般分为梯度半桥磁电阻传感芯片和梯度全桥磁电阻传感芯片，无论是半桥结构还是全桥结构，通常每个桥臂上的磁电阻元件及其灵敏度是相同的，若这类磁电阻传感芯片处于绝对磁场中，那么每个磁电阻元件的电阻值变化是相同的，梯度桥式磁电阻传感芯片的输出不变，即在绝对磁场中无法对梯度磁电阻传感芯片进行测量。
[0003]传统芯片测试工装往往会提供绝对磁场，此时测量的数据为梯度磁电阻传感芯片的偏置输出(offset)，其无法检测梯度磁电阻传感芯片在梯度磁场变化下的输出情况，即无法得到梯度磁电阻传感芯片的输出与梯度磁场之间的关系曲线，无法通过此关系曲线得到梯度磁电阻传感芯片的基本特性，比如其灵敏度、精度等，以至于无法获取梯度磁电阻传感芯片本身的灵敏度，从而影响判断梯度磁电阻传感芯片性能优良的判断，造成不良品外流，严重影响效益。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术所要解决的技术问题在于现有技术中芯片测试工装往往会提供绝对磁场，此时测量的数据为梯度磁电阻传感芯片的偏置输出(offset)，其无法检测梯度磁电阻传感芯片在梯度磁场变化下的输出情况，即无法得到梯度磁电阻传感芯片的输出与梯度磁场之间的关系曲线，即无法通过此关系曲线得到梯度磁电阻传感芯片的基本特性，比如其灵敏度、精度等，以至于无法获取梯度磁电阻传感芯片本身的灵敏度，从而影响判断梯度磁电阻传感芯片性能优良的判断，造成不良品外流，严重影响效益。
[0005]为此，本专利技术提供一种磁传感器芯片测试装置，包括：
[0006]第一固定板，其上适于放置磁传感器芯片；
[0007]测试件，与所述磁传感器芯片连接，以对其进行测试；
[0008]磁场发生组件，与所述第一固定板连接，所述磁场发生组件设于所述磁传感器芯片一侧，以在所述磁传感器芯片处提供梯度磁场。
[0009]可选地，所述磁场发生组件包括磁芯，其上缠绕电流线圈。
[0010]可选地，所述磁芯内部设有绕线腔，所述绕线腔内设有绕线柱以将所述绕线腔分为左右两腔室。
[0011]可选地，还包括底座，所述底座上设有连接所述磁场发生组件的放置槽，所述第一固定板设于所述磁场发生组件远离所述底座一侧。
[0012]可选地，还包括第二固定板，与所述底座连接，且所述第二固定板套设在所述磁场发生组件中磁芯外周侧，以固定所述磁芯。
[0013]可选地，所述测试件设于所述第一固定板与所述第二固定板之间。
[0014]可选地，还包括若干探针，其一端与所述测试件连接，探针另一端穿过所述第一固定板与磁传感器芯片连接。
[0015]可选地，磁芯中心线位于所述磁传感器芯片内若干磁电阻构成的磁感应区域内。
[0016]可选地，还包括基准芯片，与所述测试件连接，以标定梯度磁场大小。
[0017]可选地，还包括载板，所述载板通过无磁单排排针与所述测试件连接，所述基准芯片设于所述载板靠近所述第一固定板一侧。
[0018]本专利技术提供的一种磁传感器芯片测试装置，具有如下优点：
[0019]1.本专利技术提供的一种磁传感器芯片测试装置，包括第一固定板、测试件和磁场发生组件，第一固定板适于放置磁传感器芯片，测试件与所述磁传感器芯片连接，以对其进行测试，磁场发生组件与所述第一固定板连接，所述磁场发生组件设于所述磁传感器芯片一侧，以在所述磁传感器芯片处提供梯度磁场。
[0020]此结构的磁传感器芯片测试装置，通过在磁传感器芯片一侧设置磁场发生组件，磁场发生组件为磁传感器芯片处提供梯度磁场，以通过测试件检测磁传感器芯片在梯度磁场变化下的输出情况，进而得到磁传感器芯片的输出与梯度磁场之间的关系曲线，通过此关系曲线可以得到磁传感器芯片的基本特性，以获取磁传感器芯片本身的灵敏度，从而判断磁传感器芯片的性能。
[0021]2.本专利技术提供的一种磁传感器芯片测试装置，所述磁场发生组件包括磁芯，其上缠绕电流线圈，所述磁芯内部设有绕线腔，所述绕线腔内设有绕线柱以将所述绕线腔分为左右两腔室。
[0022]此结构的磁传感器芯片测试装置，在磁芯上缠绕电流线圈，并由电流源提供可变化的交流电，根据电生磁原理可以知道在通电导线周围会有磁场产生，又根据右手螺旋定则判断NS极，即可得出电流线圈周围磁感应线分布，这样的磁感应线分布可以在磁芯腔室中产生两个方向相反的梯度磁场。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本专利技术的实施例中提供的磁传感器芯片测试装置的结构示意视图；
[0025]图2为本专利技术的实施例中提供的磁传感器芯片测试装置的爆炸视图；
[0026]图3为本专利技术的实施例中提供的磁传感器芯片测试装置中测试件及磁传感器芯片的位置关系图；
[0027]图4为本专利技术的实施例中提供的磁传感器芯片测试装置的俯视图；
[0028]图5为本专利技术的实施例中提供的磁传感器芯片测试装置中磁芯的结构示意图；
[0029]图6为本专利技术的实施例中提供的磁传感器芯片测试装置中磁芯内部磁场示意图。
[0030]图7为现有技术中磁芯的结构示意图；
[0031]图8为现有技术中磁芯内部磁场示意图；
[0032]附图标记说明：
[0033]1‑
第一固定板；
[0034]2‑
磁传感器芯片；
[0035]3‑
测试件；
[0036]4‑
磁芯；
[0037]5‑
底座；
[0038]6‑
第二固定板；
[0039]7‑
探针；
[0040]8‑
基准芯片；
[0041]9‑
载板；
[0042]10
‑
无磁单排排针；
具体实施方式
[0043]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0044]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器芯片测试装置，其特征在于，包括：第一固定板(1)，其上适于放置磁传感器芯片(2)；测试件(3)，与所述磁传感器芯片(2)连接，以对其进行测试；磁场发生组件，与所述第一固定板(1)连接，所述磁场发生组件设于所述磁传感器芯片(2)一侧，以在所述磁传感器芯片(2)处提供梯度磁场。2.根据权利要求1所述的磁传感器芯片测试装置，其特征在于，所述磁场发生组件包括磁芯(4)，其上缠绕电流线圈。3.根据权利要求2所述的磁传感器芯片测试装置，其特征在于，所述磁芯(4)内部设有绕线腔，所述绕线腔内设有绕线柱以将所述绕线腔分为左右两腔室。4.根据权利要求1
‑
3中任意一项所述的磁传感器芯片测试装置，其特征在于，还包括底座(5)，所述底座(5)上设有连接所述磁场发生组件的放置槽，所述第一固定板(1)设于所述磁场发生组件远离所述底座(5)一侧。5.根据权利要求4所述的磁传感器芯片测试装置，其特征在于，还包括第二固定板(6)，与所述底座(5)连接，且所述第二固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：白建民，高慧欣，朱跃强，于升辉，姚锡刚，白俊，朱海华，
申请(专利权)人：蚌埠希磁科技有限公司，
类型：发明
国别省市：