【技术实现步骤摘要】
磁阻效应元件、磁阻效应装置和磁传感器
[0001]本专利技术涉及磁阻效应元件、包括磁阻效应元件的磁阻效应装置、和包括磁阻效应元件的磁传感器。
技术介绍
[0002]近年来，在各种用途中利用了使用磁阻效应元件(下面，也记作MR元件)的磁传感器。作为MR元件的例子，已知有一种MR元件，其包括：具有方向被固定的磁化的磁化固定层；具有方向能够与施加磁场的方向相应地变化的磁化的自由层；和配置在磁化固定层与自由层之间的间隙层。
[0003]另外，作为MR元件的其它例子，已知有像中国专利申请公开第113196078A号说明书、日本特许申请公开2000
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504430号公报中公开的那样的结构的MR元件。在中国专利申请公开第113196078A号说明书中公开了一种隧道MR元件，其包括第一自由层、第二自由层和配置在第一自由层与第二自由层之间的势垒层。在中国专利申请公开第113196078A号说明书中，设置有能够产生偏置磁场的硬偏置层，使得能够在第一自由层的磁化与第二自由层的磁化之间形成规定的角度。
[0004]...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁阻效应元件，其电阻值能够响应外部磁场而变化，所述磁阻效应元件的特征在于，包括：第一磁性层，其形状磁各向异性被设定在第一基准方向，且所述第一磁性层具有方向能够响应所述外部磁场而变化、并且在没有施加所述外部磁场的状态下朝向第一磁化方向的磁化，所述第一磁化方向是与所述第一基准方向平行的一个方向；第二磁性层，其形状磁各向异性被设定在与所述第一基准方向交叉的第二基准方向，且所述第二磁性层具有方向能够响应所述外部磁场而变化、并且在没有施加所述外部磁场的状态下朝向第二磁化方向的磁化，所述第二磁化方向是与所述第二基准方向平行的一个方向；和配置在所述第一磁性层与所述第二磁性层之间的非磁性层。2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于：所述第一基准方向与所述第二基准方向彼此正交。3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于：所述非磁性层为隧道势垒层。4.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于：所述第一磁性层包括彼此分离的多个第一部分，所述第二磁性层包括彼此分离的多个第二部分。5.根据权利要求4所述的磁阻效应元件，其特征在于：在从与所述第一基准方向和所述第二基准方向各自正交的一个方向看时，所述多个第一部分和所述多个第二部分呈格子状排列。6.根据权利要求4所述的磁阻效应元件，其特征在于：所述多个第一部分各自的形状磁各向异性被设定在所述第一基准方向，且所述多个第一部分各自具有方向能够响应所述外部磁场而变化、并且在没有施加所述外部磁场的状态下朝向所述第一磁化方向的磁化，所述多个第二部分各自的形状磁各向异性被设定在所述第二基准方向，且所述多个第二部分各自具有方向能够响应所述外部磁场而变化、并且在没有施加所述外部磁场的状态下朝向所述第二磁化方向的磁化。7.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于：没有设置对所述第一磁性层和所述第二磁性层各自施加偏置磁场的偏置磁场发生器。8.一种磁阻效应装置，其特征在于，包括：权利要求1所述的磁阻效应元件；和能够产生第一线圈磁场的第一线圈，所述第一线圈能够对所述第一磁性层和所述第二磁性层各自施加所述第一线圈磁场的第一磁场方向的第一磁场分量，所述第一磁场方向为所述第一基准方向与所述第二基准方向之间的方向。9.根据权利要求8所述的磁阻效应装置，其特征在于：所述第一线圈包括能够产生所述第一线圈磁场、并且在与所述第一基准方向和所述第二基准方向各自交叉的方向上延伸的第一线圈元素。10.根据权利要求8所述的磁阻效应装置，其特征在于：
还包括能够产生第二线圈磁场的第二线圈，所述第二线圈能够对所述第一磁性层和所述第二磁性层各自施加所述第二线圈磁场的第二磁场方向的第二磁场分量，所述第二磁场方向为所述第一基准方向与所述第二基准方向之间的方向，并且所述第一基准方向和所述第二基准方向中的一者位于所述第二磁场方向与所述第一磁场方向之间。11.根据权利要求10所述的磁阻效应装置，其特征在于：所述第二线圈包括能够产生所述第二线圈磁场...
【专利技术属性】
技术研发人员：高野大地，太田宪和，平林启，渡部司也，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：
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