一种高频多层膜声表面波谐振器制造技术

本发明专利技术请求保护一种高频多层膜声表面波谐振器，其包括了压电薄膜、金属电极、SiO2低声阻抗层、Pt高声阻抗层和Si基底；其中金属电极位于压电薄膜上，SiO2低声阻抗层和Pt高声阻抗层依次交替，共5层位于压电薄膜下，基底上。本发明专利技术在压电薄膜，低声抗层和高声阻抗层组成的多层膜结构下，通过改进铌酸锂薄膜的厚度，SiO2低声阻抗层的厚度和Pt高声阻抗层的厚度，提高器件的性能。当λ＝1.77μm，铌酸锂薄膜的厚度为0.35λ(λ为叉指周期)，SiO2低声阻抗层的厚度为0.2λ，Pt高声阻抗层的厚度为0.09λ时，机电耦合系数等于8.418％，Q＝2483，FOM＝209，器件性能得到提高。器件性能得到提高。器件性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
一种高频多层膜声表面波谐振器


[0001]本专利技术属于谐振器
，具体涉及一种高频多层膜声表面波谐振器。

技术介绍

[0002]5G时代来到，对数据传输的要求越来越高，为了以满足无线通信的网络容量需求，下一代系统将需要支持更高的频谱频段。传统声表面波(SAW)滤波器技术存在Q值低(＜1000)和频率随工作温度漂移的特性，已经难以满足频段越来越拥挤的5G时代射频终端对滤波器的要求。BAW可以做到高频且有稳定的性能，但是工艺复杂，造价高，应用于民用产品性价比太低。日本村田研发出了一种I.H.P.SAW，工作频率可达3.5GHz，性能可与BAW滤波器相媲美，在部分领域可以替代BAW滤波器使用。I.H.P.SAW具有高Q值，主要是采用了由低声阻抗层和高声阻抗交替堆叠的结构，低声阻抗层和高层阻抗层形成反射栅，把能量很好的限制在表面。一般低声阻抗层材料选用SiO2，这是因为SiO2具有正温度系数，可以做温度系数补偿。高声阻抗层材料选择多样，例如AlN、SiN等材料。本文选用SiO2作为低声阻抗层，Pt作为高声阻抗层。
[0003]CN1107本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频多层膜声表面波谐振器，其特征在于，包括：压电薄膜、金属电极、SiO2低声阻抗层、Pt高声阻抗层和Si基底；其中所述Si基底位于最底层，所述Si基底上设置有反射层，所述反射层由两层Pt高声阻抗层与三层SiO2低声阻抗层组成，用于把波能量限制在表面，所述三层SiO2低声阻抗层间隔设置两层Pt高声阻抗层，所述低声阻抗层上设置有压电薄膜，所述压电薄膜上设置有金属电极，压电薄膜层在声表面波器件的工作中主要起到两个方面的作用：一是通过正压电效应和逆压电效应完成电能与机械能的互耦，实现电信号和声表面波信号之间的相互转换；二是承载声表面波的传播，金属电极构成叉指换能器IDT和反射栅，叉指换能器IDT主要用于在压电基片表面激励和检测声表面波，并通过其频率响应和脉冲响应来实现滤波的功能，在叉指换能器两端加反射栅，用以反射声波，减小器件的插入损耗，SiO2低声阻抗层和Pt高声阻抗层构成低声阻抗层和高层阻抗层形成反射栅，把能量限制在表面；SiO2低声阻抗层还充当温度补偿层，降低压电层的温度系数，从而改善器件温度稳定性。2.根据权利要求1所述的一种高频多层膜声表面波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜的材料为铌酸锂，其切向为15
°
Y
‑
X，膜厚为0.35λ；采用15
°
Y
‑
X切LN的结构，激发Love波，Love波速度高于瑞利波，达...

【专利技术属性】
技术研发人员：王巍，张迎，王方，滕洪菠，袁军，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：