一种体声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底、布拉格反射栅、压电层、叉指电极；所述布拉格反射栅位于所述衬底上，所述压电层位于所述布拉格反射栅上，所述叉指电极位于所述压电层上；所述布拉格反射栅包括多层低声阻抗层和多层高声阻抗层，所述高声阻抗层和所述低声阻抗层依次交替组成所述布拉格反射栅，一层所述低声阻抗层与其它所述低声阻抗层的厚度不同。本发明专利技术实施例提供的体声波谐振器解决了如何避免能量由布拉格反射栅向衬底泄露的问题。露的问题。露的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及体声波谐振器制备
，尤其涉及一种体声波谐振器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G时代的到来，各种无线通信设备所需要的工作频率不断提高，频宽也随之增加，这就使得传统的声表面波(SAW)滤波器与薄膜体声波(BAW)滤波器不再能满足目前射频通信市场的需求。XBAR与YBAR是近年来出现的一种新型体声波谐振器，因其具有体积小、机电耦合系数较大、且工作频率高的优势，目前已经成为适用于WIFI6E市场的主流滤波器之一。
[0003]目前主流横向激励型体声波谐振器(XBAR)结构有两种，一种是压电层底部是空腔(空气间隙)，另一种是压电层底部是布拉格反射栅结构(Bragg)。采用XBAR虽然拥有较大的机电耦合系数，但传统的空气间隙型XBAR器件制备工艺较为繁琐，良品率较低，并且该型器件与衬底接触面较小，产生的热量累积效应较为严重，难以适用于一些大功率应用场景。该结构需要首先在晶圆表面刻蚀形成空腔，再填入牺牲层，其次在牺牲层表面形成压电层与电极层图案，最后再使用湿法刻蚀去除牺牲层，形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底、布拉格反射栅、压电层、叉指电极；所述布拉格反射栅位于所述衬底上，所述压电层位于所述布拉格反射栅上，所述叉指电极位于所述压电层上；所述布拉格反射栅包括多层低声阻抗层和多层高声阻抗层，所述高声阻抗层和所述低声阻抗层依次交替组成所述布拉格反射栅，一层所述低声阻抗层与其它所述低声阻抗层的厚度不同。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述布拉格反射栅从下到上依次包括第一低声阻抗层、第一高声阻抗层、第二低声阻抗层、第二高声阻抗层、第三低声阻抗层。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第三低声阻抗层的厚度和所述第一低声阻抗层以及所述第二低声阻抗层的厚度不同；和/或所述第一高声阻抗层和所述第二高声阻抗层的厚度不同。4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一低声阻抗层的厚度为0.21～0.23倍该层材料在滤波器中心频率处所对应的波长、所述第一高声阻抗层的厚度为0.39～0.41倍该层材料在滤波器中心频率处所对应的波长、所述第二低声阻抗层的厚度为0.21～0.23倍该层材料在滤波器中心频率处所对应的波长、所述第二高声阻抗层的厚度为0.22～0.24倍该层材料在滤波器中心频率处所对应的波长、所述第三低声阻抗层的厚度为0.35～0.4倍该层材料在滤波器中心频率处所对应的波长。5.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二低声阻抗层的厚度和所述第一低声阻抗层以及所述第三低声阻抗层的厚度不...

【专利技术属性】
技术研发人员：石林豪，姚文峰，沈君尧，庄肇堂，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：