体声波谐振器制造技术

本公开提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括在所述基板上按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极；以及种子层，设置在所述第一电极下方，其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，其中，所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在所述横向谐振抑制部中的厚度分布与在所述有效部中的厚度分布不同。厚度分布与在所述有效部中的厚度分布不同。厚度分布与在所述有效部中的厚度分布不同。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器
[0001]本申请要求于2021年11月29日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0167235号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。


[0002]本公开涉及一种体声波谐振器。

技术介绍

[0003]随着无线通信装置小型化的趋势，对高频组件小型化的需求不断增加，例如，可使用基于半导体薄膜晶片制造技术的体声波谐振器(BAW)型滤波器。
[0004]体声波谐振器(BAW)可指被构造为滤波器的薄膜器件，该体声波谐振器可通过在硅晶片上沉积压电介电材料来利用压电性质引起谐振，硅晶片可以是半导体支撑基板。
[0005]最近，对5G通信技术的兴趣不断增加，并且已经积极进行了可在候选频带中实现的声波谐振器技术的开发。此外，已经进行了各种结构形状和功能的研究以改善体声波谐振器的特性和性能，并且相应地也进行了制造方法的持续研究。
[0006]上述信息仅作为背景信息呈现，以帮助理解本公开。关于上述内容中的任意内容是否可适用作为关于本公开的现有技术，没有做出任何确定，也没有做出断言。

技术实现思路

[0007]提供本
技术实现思路
以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本
技术实现思路
既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0008]在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括在所述基板上按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极；以及种子层，设置在所述第一电极下方，其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，其中，所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在所述横向谐振抑制部中的厚度分布与在所述有效部中的厚度分布不同。
[0009]所述横向谐振抑制部中的所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的厚度可比所述有效部中的所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个的厚度薄。
[0010]所述横向谐振抑制部中的所述种子层的厚度可比所述有效部中的所述种子层的厚度厚。
[0011]所述横向谐振抑制部中的所述种子层可朝向所述第一电极凸出，并且所述种子层凸出的距离可以是至
[0012]所述横向谐振抑制部的宽度可以是2.6μm至6.2μm。
[0013]所述横向谐振抑制部中的所述压电层的厚度可比所述有效部中的所述压电层的厚度厚。
[0014]所述谐振部还可包括设置为围绕所述横向谐振抑制部的延伸部，并且所述延伸部可包括设置在所述第一电极和所述第二电极之间的插入层。
[0015]所述插入层可设置在所述第一电极与所述压电层之间或所述压电层与所述第二电极之间。
[0016]所述横向谐振抑制部中的所述种子层的厚度可等于所述延伸部中的所述种子层的厚度。
[0017]所述压电层可包括堆叠在所述第一电极上的第一压电层和堆叠在所述第一压电层上的第二压电层，并且所述第一压电层和所述第二压电层可利用不同材料形成。
[0018]所述压电层还可包括堆叠在所述第二压电层上的第三压电层，并且所述第三压电层可利用与所述第一压电层相同的材料形成。
[0019]在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；以及谐振部，包括堆叠在所述基板上的多个薄膜层，其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，其中，在所述多个薄膜层中，在所述横向谐振抑制部中的利用金属材料形成的薄膜层的总厚度比所述有效部中的利用金属材料形成的所述薄膜层的总厚度薄至
[0020]所述多个薄膜层可包括种子层和堆叠在所述种子层上的第一电极，并且所述横向谐振抑制部中的所述种子层可朝向所述第一电极凸出。
[0021]所述横向谐振抑制部中的所述种子层和所述第一电极的总厚度可等于所述有效部中的所述种子层和所述第一电极的总厚度。
[0022]所述多个薄膜层可包括按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极，并且所述横向谐振抑制部中的所述压电层可朝向所述第一电极或所述第二电极凸出。
[0023]所述横向谐振抑制部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的总厚度可等于所述有效部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的总厚度。
[0024]在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：多个层，包括在厚度方向上按顺序设置在基板上的种子层、第一电极、压电层和第二电极，其中，所述多个层中的一个或更多个包括设置在横向谐振抑制部中的在厚度方向上的凸起，并且其中，所述多个层在与所述横向谐振抑制部相邻的有效部中的总厚度与在所述横向谐振抑制部中的总厚度相同。
[0025]所述横向谐振抑制部中的所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的厚度可小于所述有效部中的所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个的厚度。
[0026]所述体声波谐振器还可包括在延伸部中设置在所述第一电极和所述第二电极之间的插入层，其中，所述横向谐振抑制部设置在所述有效部和所述延伸部之间。
[0027]所述横向谐振抑制部的宽度可在约2.6μm至约6.2μm的范围内。
[0028]所述凸起可在所述第一电极的厚度的约5％至10％的范围内。
[0029]根据以下具体实施方式和附图，其它特征和方面将是易于理解的。
附图说明
[0030]图1是根据本公开的实施例的体声波谐振器的平面图。
[0031]图2是沿图1的线I
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I'截取的截面图。
[0032]图3是沿图1的线II
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II'截取的截面图。
[0033]图4是沿图1的线III
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III'截取的截面图。
[0034]图5是根据横向谐振抑制部的宽度和厚度的损耗特性的曲线图。
[0035]图6是示意性地示出根据本公开的另一实施例的体声波谐振器的截面图。
[0036]图7是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
[0037]图8是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
[0038]图9是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
[0039]图10是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
[0040]图11是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
[0041]图12是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
[0042]在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的要素。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
[0043]在下文中，尽管现在将参照附图详细描述本公开的示例实施例，但应注意示例不限于此。
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：基板；谐振部，包括在所述基板上按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极；以及种子层，设置在所述第一电极下方，其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，其中，所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在所述横向谐振抑制部中的厚度分布与在所述有效部中的厚度分布不同。2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的厚度比所述有效部中的所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个的厚度薄。3.如权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述种子层的厚度比所述有效部中的所述种子层的厚度厚。4.如权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述种子层朝向所述第一电极凸出，并且其中，所述种子层凸出的距离为至5.如权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部的宽度为2.6μm至6.2μm。6.如权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述压电层的厚度比所述有效部中的所述压电层的厚度厚。7.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振部还包括设置为围绕所述横向谐振抑制部的延伸部，并且其中，所述延伸部包括设置在所述第一电极和所述第二电极之间的插入层。8.如权利要求7所述的体声波谐振器，其中，所述插入层设置在所述第一电极与所述压电层之间或所述压电层与所述第二电极之间。9.如权利要求7所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述种子层的厚度等于所述延伸部中的所述种子层的厚度。10.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包括堆叠在所述第一电极上的第一压电层和堆叠在所述第一压电层上的第二压电层，并且其中，所述第一压电层和所述第二压电层利用不同材料形成。11.如权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述压电层还包括堆叠在所述第二压电层上的第三压电层，并且其中，所述第三压电层利用与所述第一压电层相同的材料形成。12.一种体声波谐振器，包括：基板；以及谐振部，包括堆叠在所述基板上的多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩相宪，孙尙郁，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：