一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法、存储介质以及计算机技术

本发明专利技术涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法、存储介质以及计算机，所述方法包括明文数据，将明文数据发送给芯片端，所述芯片端对明文数据进行算法加密得到密文数据，且密文数据不符合预期的数据组合；通过开发测试程序，在测试程序中加入解密密钥，通过解密算法将密文数据还原成预期的明文数据得到符合预期的数据组合；将测试数据写入非易失性存储器中，使用符合预期的测试数据并进行擦写寿命测试评估；本发明专利技术针对目前安全芯片在应用模式下，实现对非易失性存储器擦写寿命评估的方法，可实现使用预期的数据组合对非易失性存储器寿命进行测试评估。器寿命进行测试评估。器寿命进行测试评估。

【技术实现步骤摘要】
一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法、存储介质以及计算机


[0001]本专利技术涉及芯片测试
，具体涉及一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法、存储介质以及计算机。

技术介绍

[0002]非易失性存储器根据存储单元浮栅上是否具有电荷来存储逻辑0、1数据，具有掉电不丢失数据的特性。非易失性存储器的存储单元根据存储介质的不同分为浮栅型和电荷阱型两种器件。根据不同的擦写物理机制和电路结构以及工艺的配合，形成不同结构的非易失性存储器技术路线，目前主流的有Split
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gate、SONOS、pFlash、FLOTO等。根据每个存储单元所需的晶体管数量，又可分为2T、1.5T、1T。非易失性存储器的功能、性能、可靠性是考核产品质量的重点。随着无线通信技术的发展，信息安全也越来越受到人们重视。对数据进行加密处理是保障信息安全的主要手段，目前对于大多数安全类芯片均会采用符合行业要求的加密算法，对芯片内部存储的数据进行加密。
[0003]因为大部分的安全芯片产品均具有数据安全防护机制，例如数据和地址会进行加密，外部数据通过数据加密后写入存储器中不一定与预期一致。因此当我们预期写入目标数据时，真正写入存储器中的物理数据会发生变化，无法达到评估目的。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种解决预期数据与实际写入数据一致的安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法、存储介质以及计算机。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的第一种技术方案为：
[0006]一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法，包括
[0007]明文数据、为预期写入的测试数据；
[0008]数据加密、将明文数据发送给芯片端，所述芯片端对明文数据进行算法加密得到密文数据，且密文数据不符合预期的数据组合；
[0009]开发测试、通过开发测试程序，在测试程序中加入解密密钥，通过解密算法将密文数据还原成预期的明文数据得到符合预期的数据组合；
[0010]测试评估、将测试数据写入非易失性存储器中，使用符合预期的测试数据并进行擦写寿命测试评估。
[0011]进一步的，所述测试数据的格式为全“0”和全“1”。
[0012]进一步的，所述测试数据的格式为正棋盘格数据。
[0013]进一步的，所述测试数据的格式为反棋盘格数据。
[0014]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的第二种技术方案为：
[0015]一种存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法。
[0016]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的第三种技术方案为：
[0017]一种计算机，至少包括存储器、处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器在执行所述存储器上的计算机程序时实现上述的安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法。
[0018]本专利技术的有益效果在于：本申请针对目前安全芯片在应用模式下，实现对非易失性存储器擦写寿命评估的方法，可实现使用预期的数据组合对非易失性存储器寿命进行测试评估，能够为芯片设计公司或者终端用户提供一种有效的评估非易失性存储器的测试方法，能够评估芯片本征寿命能力。
附图说明
[0019]图1为本专利技术具体实施方式的一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法的流程图。
具体实施方式
[0020]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0021]请参照图1，一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法，包括明文数据、为预期写入的测试数据；
[0022]数据加密、将明文数据发送给芯片端，所述芯片端对明文数据进行算法加密得到密文数据，且密文数据不符合预期的数据组合；
[0023]开发测试、通过开发测试程序，在测试程序中加入解密密钥，通过解密算法将密文数据还原成预期的明文数据得到符合预期的数据组合；
[0024]测试评估、将测试数据写入非易失性存储器中，使用符合预期的测试数据并进行擦写寿命测试评估。
[0025]从上述描述可知，本申请针对目前安全芯片在应用模式下，实现对非易失性存储器擦写寿命评估的方法，可实现使用预期的数据组合对非易失性存储器寿命进行测试评估，能够为芯片设计公司或者终端用户提供一种有效的评估非易失性存储器的测试方法，能够评估芯片本征寿命能力。
[0026]从上述描述可知，所述测试数据的格式为全“0”和全“1”。
[0027]从上述描述可知，所述测试数据的格式为正棋盘格数据。
[0028]从上述描述可知，所述测试数据的格式为反棋盘格数据。
[0029]实施例一
[0030]一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法，包括
[0031]明文数据、为预期写入的测试数据；
[0032]数据加密、将明文数据发送给芯片端，所述芯片端对明文数据进行算法加密得到密文数据，且密文数据不符合预期的数据组合；
[0033]开发测试、通过开发测试程序，在测试程序中加入解密密钥，通过解密算法将密文数据还原成预期的明文数据得到符合预期的数据组合；
[0034]测试评估、将测试数据写入非易失性存储器中，使用符合预期的测试数据并进行
擦写寿命测试评估。
[0035]所述测试数据的格式为全“0”和全“1”。
[0036]实施例二
[0037]一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法，包括
[0038]明文数据、为预期写入的测试数据；
[0039]数据加密、将明文数据发送给芯片端，所述芯片端对明文数据进行算法加密得到密文数据，且密文数据不符合预期的数据组合；
[0040]开发测试、通过开发测试程序，在测试程序中加入解密密钥，通过解密算法将密文数据还原成预期的明文数据得到符合预期的数据组合；
[0041]测试评估、将测试数据写入非易失性存储器中，使用符合预期的测试数据并进行擦写寿命测试评估。
[0042]所述测试数据的格式为正棋盘格数据。
[0043]实施例三
[0044]一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法，包括
[0045]明文数据、为预期写入的测试数据；
[0046]数据加密、将明文数据发送给芯片端，所述芯片端对明文数据进行算法加密得到密文数据，且密文数据不符合预期的数据组合；
[0047]开发测试、通过开发测试程序，在测试程序中加入解密密钥，通过解密算法将密文数据还原成预期的明文数据得到符合预期的数据组合；
[0048]测试评估、将测试数据写入非易失性存储器中，使用符合预期的测试数据并进行擦写寿命测试评估。
[0049]所述测试数据的格式为反棋盘格数据。
[0050]实施例四
[0051]一种存储介质，存储有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法，其特征在于，包括明文数据、为预期写入的测试数据；数据加密、将明文数据发送给芯片端，所述芯片端对明文数据进行算法加密得到密文数据，且密文数据不符合预期的数据组合；开发测试、通过开发测试程序，在测试程序中加入解密密钥，通过解密算法将密文数据还原成预期的明文数据得到符合预期的数据组合；测试评估、将测试数据写入非易失性存储器中，使用符合预期的测试数据并进行擦写寿命测试评估。2.根据权利要求1所述的安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写寿命测试方法，其特征在于，所述测试数据的格式为全“0”和全“1”。3.根据权利要求1所述的安全芯片嵌入式非易失性存储器擦写...

【专利技术属性】
技术研发人员：隗合朋，刘英，雷黎丽，张俊超，邹广才，原诚寅，
申请(专利权)人：北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：