【技术实现步骤摘要】
包括导电结构的半导体装置
[0001]本申请要求于2021年12月2日向韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0170850号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
[0002]公开的一些示例实施例涉及半导体装置。更具体地，公开的一些示例实施例涉及包括导电结构的半导体装置。
技术介绍
[0003]半导体装置由于其一些特性(诸如小型化、多功能化和低制造成本)而在电子产业中受到重视。半导体装置可以分类为被配置为存储逻辑数据的半导体存储器装置、被配置为算术地处理逻辑数据的半导体逻辑装置和包括存储器元件和逻辑元件的混合半导体装置等。随着电子产业的进步，对半导体装置的特性的需求逐渐增大。例如，对半导体装置的高可靠性、高速度、多功能化等的需求逐渐增大。为了满足对特性的这些需求，半导体装置中的结构变得越来越复杂。此外，半导体装置变得越来越高度地集成。
技术实现思路
[0004]公开的示例实施例提供了包括具有增强的电迁移特性的导电结构的半导体装置。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：绝缘结构；以及导电结构，在所述绝缘结构中，其中，所述导电结构包括：阻挡层，抗迁移层，在所述阻挡层上，衬垫，在所述抗迁移层上，导电层，在所述衬垫上，以及盖层，覆盖所述阻挡层的顶表面和所述抗迁移层的顶表面，其中，所述盖层和所述衬垫包括Co，并且其中，所述抗迁移层包括Mn。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述抗迁移层的上部在所述盖层与所述衬垫之间。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述衬垫的厚度比所述盖层的厚度小。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述抗迁移层包括覆盖所述衬垫的顶表面和所述导电层的顶表面的上部以及覆盖所述衬垫的外侧壁和底表面的下部。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阻挡层包括第一阻挡部分和在所述第一阻挡部分上的第二阻挡部分；所述第一阻挡部分包括TaN；并且所述第二阻挡部分包括Ta。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述衬垫包括覆盖所述导电层的顶表面的上部以及覆盖所述导电层的外侧壁和底表面的下部。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电层包括第一导电部分和在所述第一导电部分中的第二导电部分；所述第一导电部分包括CuMn合金；并且所述第二导电部分包括Cu。8.一种半导体装置，所述半导体装置包括：绝缘结构；以及导电结构，在所述绝缘结构中，其中，所述导电结构包括：导电层，衬垫，覆盖所述导电层的外侧壁，抗迁移层，覆盖所述衬垫的外侧壁，阻挡层，覆盖所述抗迁移层的外侧壁，以及盖层，覆盖所述抗迁移层的顶表面和所述阻挡层的顶表面，其中，所述抗迁移层的上部包括接触所述衬垫的顶表面的底表面。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述衬垫和所述盖层包括掺杂有杂质的Co；并且所述杂质是N、P、W和B中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述抗迁移层...
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