一种重布线层的制备方法及封装结构技术

本发明专利技术提供一种重布线层的制备方法及封装结构，其制备方法是首先作业绝缘层，做出图案化的第一开孔，然后在第一开孔中填充导电层之后，通过平坦化工艺做出平坦的镶嵌式结构，在平整的镶嵌式结构表面形成溅射层，并在溅射层上作业光阻层，图案化光阻层形成第二开孔，且第二开孔的位置与平坦化后的导电层布设位置对应设置，在第二开孔中电镀金属，从而形成金属互联层，最后去除光阻层和被光阻层覆盖的溅射层，以形成重布线层。本发明专利技术最终形成的封装结构中通过电镀所形成的金属互联层的表面平整度更高，避免了传统封装工艺中光阻在较深的孔洞内残留，避免了后续电镀工艺过程异常的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种重布线层的制备方法及封装结构


[0001]本专利技术属于半导体封装
，特别是涉及一种重布线层的制备方法及封装结构。

技术介绍

[0002]晶圆级封装(WLP)是以晶圆为加工对象，对整个晶圆进行封装和测试，保护层可以黏结在晶圆的顶部或底部，然后连接电路，再将晶圆切割成单颗芯片。由于晶圆级封装具有尺寸小、高传输速度、高密度连接、加工速度快、成本低的优势，近年来发展迅速。
[0003]图1～图4是现有技术中提供的一种晶圆级封装结构中重布线层的制作方法，首先采用PI(聚酰亚胺)胶在载体的分解层上作业绝缘层，并对其图案化处理形成图案化的绝缘层，图案化的绝缘层包括若干个在分解层表面间隔排布的绝缘层，且相邻绝缘层之间形成有第一开孔，若干个第一开孔形成图案化的第一开孔；然后在得到的结构表面溅射溅射层，并在溅射层上作业光阻，并图形化光阻以形成第二开孔，第二开孔与第一开孔同轴设置，且第二开孔的孔径大于第一开孔的孔径；基于溅射层在第二开孔中电镀金属，以形成金属互联层；最后去除光阻和被光阻覆盖的溅射层，形成重布线层。但是，采用PI胶在载体上作业绝缘层时，当作业厚度比较大时，会存在涂胶均匀性差、开孔分辨率低的缺点，后来采用干膜来代替PI胶，并且能够形成较厚的绝缘层，即形成的第一开孔的深度较深，在光阻显影时，第一开孔的底部很容易残留光刻胶，会导致后续电镀工艺过程的异常，比如电镀不上或电镀形貌异常的缺陷。
[0004]因此，需要提供一种针对上述现有技术不足的改进技术方案。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种重布线层的制备方法及封装结构，用于解决现有技术中采用超厚干膜作业较厚的绝缘层时形成较深的孔洞，导致光阻显影时孔洞底部残留有光刻胶，使后续电镀工艺过程异常的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种重布线层的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0007]S1、提供载体，并于所述载体上形成分解层；
[0008]S2、于所述分解层上作业图案化的绝缘层，以形成第一开孔，所述第一开孔显露出所述分解层；
[0009]S3、于所述第一开孔处填充导电材料，形成导电层，所述导电层的顶端高出于所述绝缘层；
[0010]S4、对所述导电层执行平坦化工艺，使所述导电层与所述绝缘层形成平坦的镶嵌式结构；
[0011]S5、于所述镶嵌式结构的上表面形成溅射层，并于所述溅射层上作业光阻层，图案化所述光阻层以形成第二开孔，所述第二开孔显露出所述溅射层，且第二开孔的位置与平
坦化后的所述导电层布设位置对应设置；
[0012]S6、基于所述溅射层在所述第二开孔中电镀金属，以形成金属互联层；
[0013]S7、去除图案化的所述光阻层和被所述光阻层覆盖的所述溅射层，以形成重布线层。
[0014]优选地，步骤S2中所述绝缘层的厚度与所述第一开孔的深度一致，且均为20μm～30μm。
[0015]优选地，步骤S3中所述导电材料为银浆材料或铜浆材料，填充所述导电材料的方法包括印刷法、化学镀法中的一种或组合。
[0016]优选地，步骤S4中所述平坦化工艺为研磨去除法或化学机械抛光法。
[0017]优选地，步骤S5中所述溅射层为Cu层和Ti层的叠层结构，且所述Cu层位于所述Ti层的上方。
[0018]优选地，步骤S7中去除图案化的所述光阻层的方法为采用槽式浸泡去胶液或单片旋转喷去胶液的方式，将光阻层剥离溶解在去胶液中进行去除。
[0019]优选地，步骤S7中去除被所述光阻层覆盖的所述溅射层的方法，包括以下步骤：先通过铜刻蚀液去除Cu层，再通过钛刻蚀液刻蚀掉Ti层。
[0020]本专利技术还提供一种封装结构，所述封装结构包括：
[0021]载体以及形成于所述载体上的分解层；
[0022]绝缘层，所述绝缘层间隔形成于所述分解层的表面，并形成间隔设置的第一开孔；
[0023]导电层，所述导电层形成于所述第一开孔中，所述导电层与所述绝缘层形成齐平的镶嵌式结构；
[0024]图案化的溅射层，图案化的所述溅射层包括若干个间隔设置的溅射层，所述溅射层形成于所述镶嵌式结构的表面，每个所述溅射层完全覆盖相对应的所述导电层，且部分覆盖位于所述导电层相邻两侧的所述绝缘层；
[0025]金属互联层，所述金属互联层形成于图案化的所述溅射层的表面；
[0026]优选地，所述第一开孔的深度为20μm～30μm。
[0027]优选地，所述溅射层为Cu层和Ti层的叠层结构，且所述Cu层位于所述Ti层的上方。
[0028]如上所述，本专利技术的重布线层的制备方法及封装结构，具有以下有益效果：
[0029]本专利技术提供的重布线层的制备方法是采用超厚干膜作业绝缘层，做出图案化的第一开孔，然后在第一开孔中填充导电层之后，通过平坦化工艺做出平坦的镶嵌式结构，在平整的镶嵌式结构表面形成溅射层，并在溅射层上作业光阻层，图案化光阻层形成第二开孔，且第二开孔的位置与平坦化后的导电层布设位置对应设置，在第二开孔中电镀金属，从而形成金属互联层，最后去除光阻层和被光阻层覆盖的溅射层，以形成重布线层；本专利技术的制备方法是先将超厚干膜形成的第一开孔平整化处理，然后在平整的表面做重布线层，最终形成的封装结构中通过电镀所形成的金属互联层的表面平整度更高，同时，避免了传统封装工艺中光阻在较深的孔洞内残留，避免了后续电镀工艺过程异常的问题。
附图说明
[0030]图1～4显示为现有技术中重布线层结构的制备方法各步骤所呈现的结构示意图。
[0031]图5显示为本专利技术的重布线层的制备方法的流程图。
[0032]图6～12显示为本专利技术的重布线层结构的制备方法中各步骤所呈现的结构示意图，其中，图12显示为本专利技术中封装结构的结构示意图。
[0033]元件标号说明
[0034]100
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载体
[0035]200
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分解层
[0036]300
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绝缘层
[0037]301
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第一开孔
[0038]302
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导电层
[0039]400
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溅射层
[0040]500
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光阻层
[0041]501
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第二开孔
[0042]600
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金属互联层
[0043]700
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种重布线层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、提供载体，并于所述载体上形成分解层；S2、于所述分解层上作业图案化的绝缘层，以形成第一开孔，所述第一开孔显露出所述分解层；S3、于所述第一开孔处填充导电材料，形成导电层，所述导电层的顶端高出于所述绝缘层；S4、对所述导电层执行平坦化工艺，使所述导电层与所述绝缘层形成平坦的镶嵌式结构；S5、于所述镶嵌式结构的上表面形成溅射层，并于所述溅射层上作业光阻层，图案化所述光阻层以形成第二开孔，所述第二开孔显露出所述溅射层，且第二开孔的位置与平坦化后的所述导电层布设位置对应设置；S6、基于所述溅射层在所述第二开孔中电镀金属，以形成金属互联层；S7、去除图案化的所述光阻层和被所述光阻层覆盖的所述溅射层，以形成重布线层。2.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S2中所述绝缘层的厚度与所述第一开孔的深度一致，且均为20μm～30μm。3.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S3中所述导电材料为银浆材料或铜浆材料，填充所述导电材料的方法包括印刷法、化学镀法中的一种或组合。4.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S4中所述平坦化工艺为研磨去除法或化学机械抛光法。5.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，周祖源，薛兴涛，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：