半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供半导体结构及其形成方法。半导体结构的形成方法包括：形成第一外延层在基板上。形成第一凹部在第一外延层中。形成第一介电层在第一凹部中。形成第一导电层在第一介电层上。形成第二外延层在第一外延层上。相似地形成栅极介电层在第二外延层上。形成栅极电极在栅极介电层上。本发明专利技术可以降低沟槽的深宽比，提升部件可靠性。提升部件可靠性。提升部件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术是关于半导体结构及其形成方法，特别是关于具有优异的可靠性的半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着时代的演进，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从平面式MOSFET、超接合式MOSFET、沟槽式MOSFET不停地革新到屏蔽栅沟槽式MOSFET(shielded gate trench MOSFET，SGT
‑
MOSFET)，来符合更多不同的需求。沟槽式MOSFET中具有用于容置立式栅极电极的沟槽结构，因此能够缩小器件尺寸，而具有较小的器件间距(device pitch)及较低的栅极与漏极间电容(C
gd
)，可以有效降低导通电阻(R
on
)与开关损耗(switching loss)。更甚者，由于SGT
‑
MOSFET中包括作为屏蔽电极(shield electrode)的源极电极，因此，SGT
‑
MOSFET能够基于电荷平衡技术，来获得更低的导通电阻与更低的开关损耗。r/>[0003]然本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成一第一外延层在一基板上；形成一第一凹部在该第一外延层中；形成一第一介电层在该第一凹部中；形成一第一导电层在该第一介电层上；形成一第二外延层在该第一外延层上；相似地形成一栅极介电层在该第二外延层上；以及形成一栅极电极在该栅极介电层上。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，更包括：形成一第二凹部在该第二外延层中，以使该第二凹部暴露该第一导电层的上表面。3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，更包括：形成一第二介电层在该第二凹部的下表面与侧表面上及该第二外延层的上表面上，且该第二介电层的一部分延伸至该第二外延层中。4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，在相似地形成该栅极介电层在该第二外延层上之前，该方法更包括：移除该第二介电层的一部分，以暴露该第二凹部的侧表面及该第二外延层的上表面。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，更包括：形成一半导体层在该第二外延层中；形成一第一掺杂区于该半导体层中；形成一层间介电层于该栅极电极上；形成一第二掺杂区于该半导体层中；形成一接触物，该接触物穿过该层间介电层及该第一掺杂区以与该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：