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本发明提供半导体结构及其形成方法。半导体结构的形成方法包括：形成第一外延层在基板上。形成第一凹部在第一外延层中。形成第一介电层在第一凹部中。形成第一导电层在第一介电层上。形成第二外延层在第一外延层上。相似地形成栅极介电层在第二外延层上。形成...
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