基于功率的存储器访问制造技术

技术编号:3777250 阅读:151 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种通过确定可用功率且并行访问存储器中一定数量的位来 访问存储器的设备和方法,其中,并行访问的位的数量至少部分基 于可用功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术 一 般涉及存储器访问,具体涉及基于功率的存储器访问
技术介绍
非接触式集成电路(IC)卡,也就是所谓的芯片卡或智能卡, 是以读和/或写询问装置(一般称为读卡器)基于射频(RF)或电 》兹场ii/(言来工〗乍的。在非接触式IC卡应用中,读卡器通常发射载波频率为13.56 MHz的RF载波。发射的载波一方面用来4妄照现有通信协i义建立卡 与读卡器之间的通信,另一方面用来激励非4妄触式卡,该卡通过感 应方式获得工作所需的能量。要求有激励非接触式IC卡工作的最小发射场强。该最小发射 场强受非接触式IC卡内存特性的显著影响。这些特性包括读/写访 问期间的平均电流和读/写访问期间的峰值电流。虽然这些特性只是 多数存储器的一些方面,但由于需要高电流来产生编程电压,因此 它们是非易失性存储器(NVM)最关键的方面。为了减小非接触式ic卡的功耗,并因此减小激励卡所需的最 小发射场强,需要减小卡存储器的读/写访问期间消耗的电流。减小该电流的一种方式是减小存储器访问的速度。然而,减小访问速度 会导致编程时间更长的不期望结果。减小该电流的另 一种方式是减'j 、并行访问的位数。换句话说, 不是同时对所有位编程,而是将编程划分为序列步骤。然而,要访 问的位数是静态的,所以必须在设计存储器阶^殳进行确定。
技术实现思路
本专利技术才是供 一种通过确定可用功率且并^亍访问存4诸器中 一 定 数量的位来访问存储器的设备和方法,其中,并行访问的位的数量至少部分基于可用功率(available power )。 附图说明图1是方框图,其示出根据本专利技术实施例的访问存储器的设备。 图2A是流程图,其示出4艮据本专利技术实施例的访问存储器的方法。图2B是流程图,其示出才艮据本专利技术实施例的访问存储器的方法。图2C是流程图,其示出根据本专利技术实施例的访问存储器的方法。图3是流程图,其示出根据本专利技术实施例的控制访问存储器的 方法。具体实施例方式本专利技术旨在提出基于可用场强动态调整要并行访问的存储器位数的设备和方法。这在非易失性存储器(NVM)执行写/擦访问 期间特别重要。图l是方框图,其示出作为可用功率的函数来访问存储器的设 备100。该i殳备100可以是例如4妄触式IC卡或装置、非4妄触式IC卡或装置、太阳能装置、或任何其他具有不稳定功率环境的设备。设备100包括测量电路110、访问控制电路120、存储器130、 读/写电路140、和数据緩存器150。测量电路110确定设备100的 可用功率。在非4妻触式IC的情形中,该功率是RF场,而在太阳能 供电装置的情形中,该功率是太阳能功率。访问控制电鴻-12(H吏用 该确定的可用功率来动态确定可并行访问的最大存储单元凄t量。然 后访问控制电路120使用该确定的存储单元数量来控制R/W (读/ 写)电路140对存储器130执行读/写访问操作。同样由访问控制电 路120控制的数据緩存器150存储从读/写电路140接收的数据或要 提供给读/写电路140的数据。存储器130可以是例如随机访问存储器(RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性存储器(NVM)、或任何其他已知类型的存储器。下面将参考图2A-2C来描述这些实例。图2A是流程图210,其示出根据本专利技术实施例的基于用专用 测量电^各所测量的可用功率来访问存4诸器的方法。专用测量电路110测量设备100可用的功率量(步骤212 )。在 非接触式IC卡的情形中,该功率是RF场强,而在太阳能供电的装 置情形中,该功率是太阳能功率(solar power )。具体类型的测量电 路110是适于待测量功率类型的任何测量电路。例如,在^妻触式应 用的情形中,可直接用安培表测量可用功率。然后,由访问控制电路120确定存储器访问所需的功率量(步道存储器要消耗多少功率。该信息可存储在访问控制电路120或某 些其他存储器中。然后,访问控制电路120将所测量的可用功率与存储器访问所 需功率量进行比较,从而确保有足够的功率用于存4诸器访问(步骤 216)。最后,访问控制电路120使用该比较结果来确定要并行访问的 存储器130的位数,以便获得最快的访问速度,同时还确保有足够 的可用功率供以该速度访问存储器(步骤218)。然后,访问控制电 路120控制R/W电路140和数据緩存器150以执行对存储器130 的读/写访问,其中所确定数量的存储位被并行访问。图2B是流程图220,其示出根据本专利技术实施例的基于对设备 控制器运行频率的测量来访问存储器的方法。例如该方法用于非接 触式IC卡,其中时钟频率由RF场控制。测量电^各110通过测量孩t处理器的时4中频率来确定i殳备100可 用的功率量(步骤222),该时钟频率控制对存4诸器130的访问。该 可用功率至少部分基于所测量的时4f频率。访问控-存储器130的位数,以便获得最快的访问速度,同时确保有足够的可用功率供以该速度访问存储器(步骤224)。然后,访问控制电路 120控制R/W电路140和数据緩存器150,从而执行对存储器130 的读/写访问,其中所确定数量的存储位-波并行访问。图2C是流程图230,其示出根据本专利技术实施例的基于对设备 100的操作所耗散功率和剩余功率的测量来访问存储器的方法。该 方法用于例如非接触式IC卡的情形中,其中耗散功率用于非接触 式IC卡的操作,而剩余功率是通过调节电压的分路(shunt)消耗的。测量电路110确定供结合有存储器130的设备100操作所耗散 的功率量(步骤232)。测量电^各110还确定剩余功率的量(步-骤 234)。众所周知,在非接触式IC卡的情形中,该剩余功率是通过 测量经分^各(shunt)库€散的电流量来确定的。访问控制电路120将设备100操作所耗散的功率量和剩余功率 量才目力口 (步4f 236)。最后,访问控制电路120用上面的加和确定要并行访问的存储 器130的位数,以便获得最快的访问速度,同时确保有足够的可用 功率以该速度访问存储器(步骤238)。然后,访问控制电路120控 制R/W电路140和数据緩存器150以执行对存储器130的读/写访 问,其中所确定凄t量的存储位一皮并行访问。如参考图2A-2C所述,在读/写访问过程中要并行访问的存储 器单元的凄t量是作为可用功率的函凄t动态确定的。该可用功率可以 多种方式判断,这些方式包括分别参考图2A-2Ci兌明的三种方式 中的一种。图3是流程图300,其示出根据本专利技术实施例的控制存储器访 问的方 >去。如果没有足够的能量可用来对最小数量的存储器单元进行可 靠的并行写入,则可能阻止对存储器130的编程。如果没有足够的 可用功率,则会对存储器,特别是NVM中的存储器单元,进行不 正确;也写或读。测量电^各IIO确定可用功率量(步务聚310)。该可用功率可以4壬 4可合适的方式判断,如上面参考图2A-2Ci兌明的方式。访问控制电^各120确定要并4亍访问的位的最小#1量,以及该访 问过程需要多大功率(步骤320 )。该最小数量是存储器开发人员在 开发时就已知的,且该信息可存^渚在访问控制电^各120或某些其他 存储器中。最后,如果可用功率不足以并行访问该最小数量的位,访问控 制电路120就阻止R/W电路140访问存储器13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种访问存储器的方法,所述方法包括: 确定可用功率;以及 并行访问存储器的一定数量的位, 其中,并行访问的位的数量至少部分基于所述可用功率动态确定。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:托马斯·洛伊特格布约瑟夫·海德斯特凡·吕平
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:DE

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