基准电压电流产生电路制造技术

本发明专利技术属于集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压电流产生电路。一种基准电压电流产生电路，包括：一启动电路，具有启动端；一产生电路，与启动端连接，由启动电路启动产生电路；产生电路能同时产生基准电压和基准电流。本发明专利技术采用一个电路即可实现基准电压和基准电流，能大大节省芯片面积，降低功耗。降低功耗。降低功耗。

【技术实现步骤摘要】
基准电压电流产生电路


[0001]本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种基准电压电流产生电路。

技术介绍

[0002]基准电压、基准电流是集成电路的两个基本模块，目前常用的做法是采用两个单独的模块设计。基准电压的设计方法有很多种，采用亚阈值区的MOS管设计具有低功耗，面积小的优点。图1采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极
‑
源极电压产生具有负温度系数的电压V
CTAT
，两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极
‑
源极电压之差产生具有正温度系数的电压V
PTAT
，电压V
CTAT
和电压V
PTAT
加权获得带隙基准电压VREF。图2是一个采用正温度系数的电流I1和负温度系数的电流I2加权相加的方式，得到一个温度系数低的基准电流IREF。
[0003]为了实现基准电压和基准电流，通常需要图1和图2两种类型的电路，因此，有必要用一个电路来产生基准电压和电流，有效降低功耗，减少面积。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对在需要实现基准电压和基准电流时，需要分别通过两种类型的电路来分别实现，导致功耗高且占用面积大的技术问题，目的在于提供一种基准电压电流产生电路。
[0005]一种基准电压电流产生电路，包括：
[0006]一启动电路，具有启动端；
[0007]一产生电路，与所述启动端连接，由所述启动电路启动所述产生电路；
[0008]所述产生电路包括：
[0009]一第一电阻，一端连接所述启动电路的启动端；
[0010]一第二电阻，一端连接所述启动电路的启动端，另一端接地；
[0011]一第一MOS管，栅极连接所述启动电路的启动端，漏极连接所述第一电阻的另一端，源极接地；
[0012]一第二MOS管，栅极连接所述启动电路的启动端，源极接地；
[0013]一第三MOS管，栅极连接所述第一电阻的另一端，源极接地；
[0014]一第四MOS管，栅极连接启动电路的启动端，源极连接所述第二MOS管的漏极；
[0015]一第五MOS管，栅极连接第四MOS管的栅极，源极连接所述第三MOS管的漏极；
[0016]一第六MOS管，栅极连接漏极，漏极连接所述第四MOS管的漏极，源极连接电源输入端；
[0017]一第七MOS管，栅极连接所述第六MOS管的栅极，漏极连接所述第五MOS管的漏极，源极连接所述电源输入端；
[0018]一第八MOS管，栅极连接所述第五MOS管的漏极和所述第七MOS管的漏极之间的公共端，漏极分别连接所述第四MOS管的栅极、所述第五MOS管的栅极，源极连接所述电源输入端；
[0019]一第九MOS管，栅极连接所述第八MOS管的栅极，漏极作为基座电流输出端，源极连接所述电源输入端；
[0020]一第十MOS管，栅极连接所述第八MOS管的栅极，漏极作为基座电压输出端，源极所述电源输入端；
[0021]一第三电阻，一端连接所述第十MOS管的漏极；
[0022]一第四电阻，一端连接所述第三电阻的另一端，另一端接地。
[0023]作为优选方案，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管均为NMOS管；
[0024]所述第六MOS管、所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管和所述第十MOS管均为PMOS管。
[0025]作为优选方案，所述第一MOS管的导电沟道的宽长比和所述第二MOS管的导电沟道的宽长比相等；
[0026]所述第三MOS管的导电沟道的宽长比是所述第一MOS管的导电沟道的宽长比的N倍，所述N为预设的常数。
[0027]作为优选方案，所述第四MOS管的导电沟道的宽长比和所述第五MOS管的导电沟道的宽长比相等；
[0028]所述第六MOS管的导电沟道的宽长比和所述第七MOS管的导电沟道的宽长比相等。
[0029]作为优选方案，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管在被所述启动电路启动后，均工作在亚阈值区。
[0030]作为优选方案，所述第一电阻和所述第二电阻采用相同类型的电阻。
[0031]作为优选方案，所述第三电阻采用与所述第一电阻相同的同类型的电阻。
[0032]作为优选方案，所述第四电阻采用与所述第三电阻温度系数相反的电阻。
[0033]作为优选方案，所述启动电路包括：
[0034]一启动电阻，一端连接所述电源输入端；
[0035]一第十一MOS管，漏极连接所述启动电阻的另一端，源极接地；
[0036]一第十二MOS管，栅极连接所述启动电阻的另一端，漏极连接所述电源输入端，源极连接所述第十一MOS管的栅极；
[0037]所述第十一MOS管的的栅极和所述第十二MOS管的源极之间的公共端作为所述启动电路的启动端。
[0038]作为优选方案，所述第十一MOS管和所述第十二MOS管为NMOS管。
[0039]本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术采用基准电压电流产生电路，具有如下优点：
[0040]1、采用一个电路即可实现基准电压和基准电流，能大大节省芯片面积，降低功耗。
[0041]2、第一电阻和第二电阻的引入，特别是第二电阻的引入，有效在正温度系数的电路中，产生了负温度系数的电流。
[0042]3、第八MOS管的引入，简单实现了两种不同温度系数电流的相加。
[0043]4、第三电阻和第四电阻采用不同温度系数的电阻，很简单实现低温度系数的参考电压。
附图说明
[0044]图1为传统基准电压产生电路；
[0045]图2为传统基准电流产生电路；
[0046]图3为本专利技术的一种电路示意图；
[0047]图4为本专利技术的基准电流随温度变化的曲线；
[0048]图5为本专利技术的基准电压随温度变化的曲线。
具体实施方式
[0049]为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本专利技术。
[0050]参照图3，本专利技术提供一种基准电压电流产生电路，包括启动电路1和用于产生基准电压和基准电流的产生电路2，启动电路1具有启动端，如图3中所示，A点为启动端，该启动端连接产生电路2，由启动电路1启动产生电路2同时产生基准电压和基准电流。
[0051]参照图3，本专利技术的产生电路2包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9和第十MOS管M10。
[0052]第一电阻R1的一端连接启动电路1的启动端，第一电阻R1的另一端分别连接第一MOS管M1的漏极、第三MOS管M3的栅极。
[005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基准电压电流产生电路，其特征在于，包括：一启动电路，具有启动端；一产生电路，与所述启动端连接，由所述启动电路启动所述产生电路；所述产生电路包括：一第一电阻，一端连接所述启动电路的启动端；一第二电阻，一端连接所述启动电路的启动端，另一端接地；一第一MOS管，栅极连接所述启动电路的启动端，漏极连接所述第一电阻的另一端，源极接地；一第二MOS管，栅极连接所述启动电路的启动端，源极接地；一第三MOS管，栅极连接所述第一电阻的另一端，源极接地；一第四MOS管，栅极连接启动电路的启动端，源极连接所述第二MOS管的漏极；一第五MOS管，栅极连接第四MOS管的栅极，源极连接所述第三MOS管的漏极；一第六MOS管，栅极连接漏极，漏极连接所述第四MOS管的漏极，源极连接电源输入端；一第七MOS管，栅极连接所述第六MOS管的栅极，漏极连接所述第五MOS管的漏极，源极连接所述电源输入端；一第八MOS管，栅极连接所述第五MOS管的漏极和所述第七MOS管的漏极之间的公共端，漏极分别连接所述第四MOS管的栅极、所述第五MOS管的栅极，源极连接所述电源输入端；一第九MOS管，栅极连接所述第八MOS管的栅极，漏极作为基座电流输出端，源极连接所述电源输入端；一第十MOS管，栅极连接所述第八MOS管的栅极，漏极作为基座电压输出端，源极所述电源输入端；一第三电阻，一端连接所述第十MOS管的漏极；一第四电阻，一端连接所述第三电阻的另一端，另一端接地。2.如权利要求1所述的基准电压电流产生电路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管均为NMOS管；所述第六MOS管、所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九...

【专利技术属性】
技术研发人员：李天望，
申请(专利权)人：上海瓴瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：