用于基准电压源的启动电路及基准电压源制造技术

本申请的实施例提供一种用于基准电压源的启动电路及基准电压源，所述启动电路连接至所述基准电压源的核心电流镜电路，所述启动电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管和第一三极管，所述第一NMOS管的栅极连接至所述核心电流镜电路，其漏极连接至所述第三NMOS管的漏极，其源极经由第一三极管接地，所述第一三极管的基极与集电极相连接并且接地；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管各自的栅极和漏极相连接；所述第二NMOS管的漏极连接至所述第三NMOS管的源极，其源极连接至第一NMOS管的源极；所述第四NMOS管的栅极连接至所述第五NMOS管的漏极，其漏极连接至电源电压，其源极连接至所述核心电流镜电路并且作为启动电路的输出端。出端。出端。

【技术实现步骤摘要】
用于基准电压源的启动电路及基准电压源


[0001]本说明书涉及集成电路
，具体涉及一种用于基准电压源的启动电路及基准电压源。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的发展，带隙基准电压源获得了越来越广泛的应用。带隙基准电压源有两大类，一类是基于运算放大器，另外一类是基于电流镜的结构。基于电流镜的带隙基准电压源由于其架构简单，功耗低，在低成本产品中得到了广泛应用。
[0003]图1是一种传统的基准电压源的电路图，它通常有两个稳定态。一个稳定态是核心电流镜电路中的MOS管处于正常公共区域，基准电压源输出正常的工作电压Vbg，另外一个稳定态是核心电流镜电路中的MOS管处于截止区，MOS管中没有电流通过。因此，需要一个启动电路使基准电压源的核心电流镜电路从死区进入到正常的工作区域。在图1中，基准电压源包括启动电路110和核心电流镜电路120，其中启动电路110由PMOS管P1、P2、P3、P4、NMOS管MN1、MN2、以及反相器INV1组成。PMOS管P1、P2用于复制基准电压源的核心电流镜电路120的电流，当核心电流镜电路120处于死区时，PMOS管P1、P2没有电流流过，NMOS管N2处于截止状态，因此NMOS管N1没有电流流过。同时，由于PMOS管P4的上拉作用，反相器INV1的输入端a为高电平，输出端b为低电平，PMOS管P3导通，将电流注入到节点c，从而使核心电流镜电路120启动，同时，PMOS管P1、P2开始有电流流过，NMOS管N1开始导通。当NMOS管N1的电流大到一定程度后，反相器INV1的输入端a的电平降低，使反相器INV1发生翻转，其输出端b的电平为高，从而使PMOS管P3截止，带隙基准处于正常的工作状态。
[0004]然而，图1的这种传统的启动电路在基准电压源芯片处于正常工作状态时，需要节点b处于高电平，而节点b的状态取决于节点a的电压及反相器INV1的翻转电平。当电源电压的范围很宽时，PMOS管P4的等效电阻变化很大，再加上反相器INV1的翻转电平变化，就会导致在芯片处于正常工作状态时，节点b不是电源电压，从而使启动管P3无法关断，从而影响基准电压的精度。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本说明书实施例提供一种用于基准电压源的启动电路及基准电压源，使得基准电压源进入正常状态后，启动电路能够可靠关断，不受电源电压变化的影响。
[0006]本说明书实施例提供以下技术方案：
[0007]本说明书实施例提供一种用于基准电压源的启动电路，所述启动电路连接至所述基准电压源的核心电流镜电路，用于在所述基准电压源的核心电流镜电路处于死区时为所述核心电流镜电路提供启动电流，以启动所述核心电流镜电路；
[0008]所述启动电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管和第一三极管，其中：所述第一NMOS管的栅极连接至所述核心电流镜电路，其漏极连接至所述第三NMOS管的漏极，其源极经由第一三极管接地，所述第一三极管的基
极与集电极相连接并且接地；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管各自的栅极和漏极相连接；所述第二NMOS管的漏极连接至所述第三NMOS管的源极，其源极连接至第一NMOS管的源极；所述第四NMOS管的栅极连接至所述第五NMOS管的漏极，其漏极连接至电源电压，其源极连接至所述核心电流镜电路并且作为所述启动电路的输出端；所述第五NMOS管的栅极和漏极相连接，并且其漏极连接至第一PMOS管的漏极，其源极连接至第三NMOS管的漏极；以及所述第一PMOS管的源极连接至电源电压，其栅极接地。
[0009]在一个实施例中，所述核心电流镜电路包括输入节点，当所述核心电流镜电路处于死区时，所述输入节点处为低电平，当所述核心电流镜电路处于正常工作状态时，所述输入节点处为高电平。
[0010]在一个实施例中，所述第一NMOS管的栅极连接至所述核心电流镜电路的输入节点。
[0011]在一个实施例中，所述第四NMOS管的源极连接至所述核心电流镜电路的输入节点。
[0012]在一个实施例中，所述第一三极管为PNP型三极管。
[0013]本说明书实施例还提供一种基准电压源，所述基准电压源包括基准电压源的核心电流镜电路和启动电路，所述启动电路连接至所述基准电压源的核心电流镜电路，用于在所述基准电压源的核心电流镜电路处于死区时为所述核心电流镜电路提供启动电流，以启动所述核心电流镜电路；所述启动电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管和第一三极管，其中：所述第一NMOS管的栅极连接至所述核心电流镜电路，其漏极连接至所述第三NMOS管的漏极，其源极经由第一三极管接地，所述第一三极管的基极与集电极相连接并且接地；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管各自的栅极和漏极相连接；所述第二NMOS管的漏极连接至所述第三NMOS管的源极，其源极连接至第一NMOS管的源极；所述第四NMOS管的栅极连接至所述第五NMOS管的漏极，其漏极连接至电源电压，其源极连接至所述核心电流镜电路并且作为所述启动电路的输出端；所述第五NMOS管的栅极和漏极相连接，并且其漏极连接至第一PMOS管的漏极，其源极连接至第三NMOS管的漏极；以及所述第一PMOS管的源极连接至电源电压，其栅极接地。
[0014]与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：本申请的用于基准电压源的启动电路及基准电压源通过控制启动电路的栅源电压，使启动电路在各种条件下均能够正常启动，而且当芯片进入正常工作状态后，启动电路能可靠关断，不影响基准电压源的输出精度。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0016]图1是一种传统的基准电压源的电路图；
[0017]图2是根据本申请一实施例的基准电压源的电路图。
具体实施方式
[0018]下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
[0019]以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]图2示出了本申请一实施例的基准电压源的电路图，所述基准电压源包括启动电路210和基准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于基准电压源的启动电路，其特征在于，所述启动电路连接至所述基准电压源的核心电流镜电路，用于在所述基准电压源的核心电流镜电路处于死区时为所述核心电流镜电路提供启动电流，以启动所述核心电流镜电路；所述启动电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管和第一三极管，其中：所述第一NMOS管的栅极连接至所述核心电流镜电路，其漏极连接至所述第三NMOS管的漏极，其源极经由第一三极管接地，所述第一三极管的基极与集电极相连接并且接地；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管各自的栅极和漏极相连接；所述第二NMOS管的漏极连接至所述第三NMOS管的源极，其源极连接至第一NMOS管的源极；所述第四NMOS管的栅极连接至所述第五NMOS管的漏极，其漏极连接至电源电压，其源极连接至所述核心电流镜电路并且作为所述启动电路的输出端；所述第五NMOS管的栅极和漏极相连接，并且其漏极连接至第一PMOS管的漏极，其源极连接至第三NMOS管的漏极；以及所述第一PMOS管的源极连接至电源电压，其栅极接地。2.根据权利要求1所述的用于基准电压源的启动电路，其特征在于，所述核心电流镜电路包括输入节点，当所述核心电流镜电路处于死区时，所述输入节点处为低电平，当所述核心电流镜电路处于正常工作状态时，所述输入节点处为高电平。3.根据权利要求2所述的用于基准电压源的启动电路，其特征在于，所述第一NMOS管的栅极连接至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李天望，
申请(专利权)人：上海瓴瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：