一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片制造技术

本发明专利技术提供了一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片，包括对单个剥离片的单面的至少一部分进行减薄和/或对该单个剥离片的另一单面的至少一部分进行减薄，从而得到减薄片；所述减薄包括粗磨处理和精磨处理，所述细磨处理的粗糙度小于所述粗磨处理的粗糙度。本发明专利技术提供的一种激光剥离碳化硅片减薄工艺，能够大幅度提升厚度均匀性，提高减薄片的平整度，降低了SFQR指标，提高碳化硅减薄片的品质。提高碳化硅减薄片的品质。提高碳化硅减薄片的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片


[0001]本专利技术属于激光加工
，具体涉及一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片。

技术介绍

[0002]随着产业的发展，对于元器件的性能要求越来越高，逐步逼近硅材料的物理极限。碳化硅衬底由于其优异的物理特性，相比于硅材料，在高压、高频、高温等领域有着无可比拟的优势。目前广泛应用于电力电子，微波射频器件及高端照明等领域。碳化硅晶体莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，物理化学性质及其稳定，是典型的硬脆材料，超精密加工一直是业界面临的难题。
[0003]现有技术传统的加工方式是采用端面研磨机，通过抛光盘、游离磨料、晶片之间的相互摩擦作用，实现材料去除。通常在减薄碳化硅过程中会造成深浅不一的划痕。而深划痕将会增加碳化硅衬底后续加工中去除不掉部分划痕的可能，或增加更多的去除量才能去除所有的划痕。如果为了保证衬底表面划痕全部去除而增加后续工序的去除量，这样将会增加后续工序的耗材成本，也同时需要更厚的碳化硅衬底，同样增加了碳化硅衬底的损耗。同时，传统技术是采用多片的加工方式，在一个研磨盘面放本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光剥离碳化硅片减薄工艺，其特征在于，所述减薄工艺包括以下步骤：对单个剥离片的单面的至少一部分进行减薄和/或对该单个剥离片的另一单面的至少一部分进行减薄，从而得到减薄片；所述减薄包括粗磨处理和精磨处理，所述精磨处理的粗糙度小于所述粗磨处理的粗糙度；所述剥离片通过激光致裂和振动剥离而得到，进一步讲，所述剥离片的厚度为100～1000μm，尺寸为8英寸，Bow≤60μm，Sori≤100μm，损伤层深度≤100μm且表面裂纹台阶高度最大值不超过损伤层深度的70％。2.根据权利要求1所述的激光剥离碳化硅片减薄工艺，其特征在于，所述剥离片的Bow为30～57μm，Sori为50～97μm，损伤层深度为60～95μm且表面裂纹台阶高度最大值为损伤层深度的50～70％。3.根据权利要求1所述的激光剥离碳化硅片减薄工艺，其特征在于，所述粗磨处理时设置的砂轮倾角为0
°
～0.5
°
，进刀速度为5～30μm/min，砂轮转速为1000～4000rpm，砂轮目数2000～5000目。4.根据权利要求3所述的激光剥离碳化硅片减薄工艺，其特征在于，所述粗磨处理时设置的砂轮倾角为0.1
°
～0.3
°
，进刀速度为10～20μm/min，砂轮转速为2000～2500rpm，砂轮目数3000～4000目。5.根据权利要求6所述的激光剥...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁庆瑞，王瑞，刘家朋，王含冠，马立兴，宋生，李霞，宁秀秀，宗艳民，窦文涛，宋建，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：