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本发明提供了一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片，包括对单个剥离片的单面的至少一部分进行减薄和/或对该单个剥离片的另一单面的至少一部分进行减薄，从而得到减薄片；所述减薄包括粗磨处理和精磨处理，所述细磨处理的粗糙度小于所述粗磨处理的粗...
该专利属于山东天岳先进科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进科技股份有限公司授权不得商用。

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