电池硅片镀膜方法技术

本公开实施例中提供电池硅片镀膜方法，通过在钝化膜镀膜之前，先在硅片背面形成氧化硅层，这样，在钝化膜镀膜过程中，氧化硅层用于对硅片表面进行保护，使得硅片背面免受PECVD过程中的等离子体轰击，从而增强硅片背面的界面钝化，降低电池硅片的暗片问题，进一步改善太阳能电池片的转换效率。阳能电池片的转换效率。阳能电池片的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
电池硅片镀膜方法


[0001]本公开涉及光伏
，尤其涉及电池硅片镀膜方法。

技术介绍

[0002]PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)，即钝化发射极和背面电池，目前为太阳能晶硅电池主流技术电池。PERC通过在电池硅片的背面添加一个电介质钝化膜，最大化跨越P
‑
N结的电势梯度，有效减少硅片背面少数载流子复合速率，降低背面的发射率，增加长波段太阳光的吸收，使得电池效率有了大的提升。而其中，PERC核心工艺——背面钝化膜的制备，直接影响背钝化效果的好坏。
[0003]因此，如何提升太阳能电池的背钝化效果，是本方案所要解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上相关技术的缺点，本公开的目的在于提供电池硅片镀膜方法，以解决相关技术太阳能电池背钝化效果差的技术问题。
[0005]本公开第一方面提供一种电池硅片镀膜方法，其包括：
[0006]将硅片置于PECVD设备的炉管中，并在硅片背面形成氧化硅层；
[0007]对炉管进行抽真空，并在氧化硅层上形成钝化膜；
[0008]在钝化膜上形成钝化保护层。
[0009]在可选实施例中，在硅片背面形成氧化硅层，包括：
[0010]对炉管进行恒温处理，并在恒温处理的升温阶段，对硅片背面进行氧化，以形成氧化硅层。
[0011]在可选实施例中，对硅片背面进行氧化，包括：
[0012]利用炉管内残留的空气对硅片背面进行氧化。
[0013]在可选实施例中，恒温处理的时间范围是3
‑
5min。
[0014]在可选实施例中，在氧化硅层上形成钝化膜之前，在炉管内通入笑气并进行放电，以对氧化硅层进行加强。
[0015]在可选实施例中，笑气的流量范围是3～10slm，放电时间范围是1
‑
50s。
[0016]在可选实施例中，氧化硅层的厚度范围是0.1
‑
2nm。
[0017]在可选实施例中，在氧化硅层上形成钝化膜，包括：
[0018]在炉管内通入TMA及笑气，以在氧化硅层上形成氧化铝层，钝化膜包括氧化铝层。
[0019]在可选实施例中，电池硅片镀膜方法还包括：
[0020]在钝化膜上形成钝化保护层之前，在炉管内通入笑气、或氨气和笑气的混合气体并进行放电，以对氧化铝层进行修复。
[0021]在可选实施例中，在钝化膜上形成钝化保护层，包括：
[0022]在炉管内通入硅烷和笑气的混合气体，以在钝化膜上形成氮氧化硅层；
[0023]在炉管内通入氨气和硅烷的混合气体，以在氮氧化硅层上形成氮化硅层；
[0024]钝化保护层包括氮氧化硅层和位于氮氧化硅层上的氮化硅层。
[0025]如上，本公开实施例中提供电池硅片镀膜方法，通过在钝化膜镀膜之前，先在硅片背面形成氧化硅层，这样，在钝化膜镀膜过程中，氧化硅层用于对硅片表面进行保护，使得硅片背面免受PECVD过程中的等离子体轰击，从而增强硅片背面的界面钝化，降低电池硅片的暗片问题，进一步改善太阳能电池片的转换效率。
附图说明
[0026]图1展示本公开一种实施例的电池硅片镀膜方法的流程图。
[0027]图2
‑
4展示本公开一种实施例的电池硅片镀膜方法各个阶段的产品结构示意图；
[0028]图5展示本公开又一种实施例的电池硅片镀膜方法形成的产品结构示意图。
具体实施方式
[0029]以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本公开所揭露的消息轻易地了解本公开的其他优点与功效。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用系统，本公开中的各项细节也可以根据不同观点与应用系统，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0030]下面以附图为参考，针对本公开的实施例进行详细说明，以便本公开所属
的技术人员能够容易地实施。本公开可以以多种不同形态体现，并不限定于此处说明的实施例。
[0031]在本公开的表示中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的表示意指结合该实施例或示例表示的具体特征、结构、材料或者特点包括于本公开的至少一个实施例或示例中。而且，表示的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本公开中表示的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0032]此外，术语“第一”、“第二”仅用于表示目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本公开的表示中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0033]为了明确说明本公开，省略与说明无关的器件，对于通篇说明书中相同或类似的构成要素，赋予了相同的参照符号。
[0034]在通篇说明书中，当说某器件与另一器件“连接”时，这不仅包括“直接连接”的情形，也包括在其中间把其它元件置于其间而“间接连接”的情形。另外，当说某种器件“包括”某种构成要素时，只要没有特别相反的记载，则并非将其它构成要素排除在外，而是意味着可以还包括其它构成要素。
[0035]虽然在一些实例中术语第一、第二等在本文中用来表示各种元件，但是这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。例如，第一接口及第二接口等表示。再者，如同在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也
包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在的特征、步骤、操执行、元件、模块、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操执行、元件、模块、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。因此，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A、B和C”。仅当元件、功能、步骤或操执行的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。
[0036]此处使用的专业术语只用于言及特定实施例，并非意在限定本公开。此处使用的单数形态，只要语句未明确表示出与之相反的意义，那么还包括复数形态。在说明书中使用的“包括”的意义是把特定特性、区域、整数、步骤、执行业、要素及/或成分具体化，并非排除其它特性、区域、整数、步骤、执行业、要素及/或成分的存在或附加。
[0037]表示“下”、“上”等相对空间的术语可以为了更容易地说明在附图中图示的一器件相对于另一器件的关系而使用。这种术语是指，不仅是在附图中所指的意义，还包括使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池硅片镀膜方法，其特征在于，包括：将硅片置于PECVD设备的炉管中，并在所述硅片背面形成氧化硅层；对所述炉管进行抽真空，并在所述氧化硅层上形成钝化膜；在所述钝化膜上形成钝化保护层。2.根据权利要求1所述的电池硅片镀膜方法，其特征在于，所述在所述硅片背面形成氧化硅层，包括：对所述炉管进行恒温处理，并在所述恒温处理的升温阶段，对所述硅片背面进行氧化，以形成所述氧化硅层。3.根据权利要求2所述的电池硅片镀膜方法，其特征在于，对所述硅片背面进行氧化，包括：利用所述炉管内残留的空气对所述硅片背面进行氧化。4.根据权利要求3所述的电池硅片镀膜方法，其特征在于，所述恒温处理的时间范围是3
‑
5min。5.根据权利要求1所述的电池硅片镀膜方法，其特征在于，在所述氧化硅层上形成钝化膜之前，在所述炉管内通入笑气并进行放电，以对所述氧化硅层进行加强。6.根据权利要求5所述的电池硅片镀膜方法，其特征在于，所述笑气的流量范围是3～10slm，放电...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅静静，唐鑫鑫，
申请(专利权)人：天合光能科技盐城有限公司，
类型：发明
国别省市：