一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池，该背膜结构通过在第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层之间设置一层折射率较低的氧化硅膜层，同时通过工艺优化对其厚度等进行调整，提高氧化硅膜层的钝化性能，在该氧化硅膜层的钝化性能不低于氮化硅膜层的钝化性能的情况下，其光学反射率更低，进而保证采用该背膜结构的太阳能电池的背面吸收阳光的效率更高，从而提高太阳能电池的双面吸光效率。率。率。

Back film structure of solar cell and solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池


[0001]本技术涉及光伏
，更具体地说，涉及一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，太阳能电池是未来发电的一种重要方式，采用晶体硅制造的太阳能电池是未来几年光伏行业的主流技术。
[0003]PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积技术)技术是目前主流的镀膜技术，其做出的膜层均匀性好，致密性高，可以通过调节特气类型及流量等制备出不同的膜层结构，因此目前太阳能电池背表面利用PECVD技术沉积氮化硅是实现界面钝化、增反和保护氧化铝膜层的重要工艺步骤。
[0004]现有太阳能电池中，如双面太阳能电池，在其制备过程中为了保证太阳能电池背面较小的界面态以及场钝化效应等要求，一般会采用氧化铝加氮化硅的背膜结构对太阳能电池的背面进行处理。
[0005]但现有的氧化铝叠加氮化硅膜层结构虽然有比较好的场钝化效应，但是其背面反射率较高，太阳能电池双面率较低。
技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的背膜结构，其特征在于，所述背膜结构包括：在第一方向上，依次位于太阳能电池基底一侧的氧化铝膜层以及至少一组堆叠膜层；任意一组所述堆叠膜层包括：在所述第一方向上依次叠层设置的第一氮化硅膜层、氧化硅膜层以及第二氮化硅膜层；其中，所述第一方向垂直于所述太阳能电池基底，且由所述太阳能电池基底指向所述氧化铝膜层；所述第一氮化硅膜层的折射率大于第二氮化硅膜层的折射率大于氧化硅膜层的折射率。2.根据权利要求1所述的背膜结构，其特征在于，所述第一氮化硅膜层的折射率为2.1
‑
2.45。3.根据权利要求1所述的背膜结构，其特征在于，所述氧化硅膜层的折射率为1.2
‑
1.9。4.根据权利要求1所述的背膜结构，其特征在于，所述第二氮化硅膜层的折射率为1.8
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：陆玉刚，陈红，卓启东，左景武，李汉诚，
申请(专利权)人：天合光能科技盐城有限公司，
类型：新型
国别省市：