一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池，该背膜结构通过在第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层之间设置一层折射率较低的氧化硅膜层，同时通过工艺优化对其厚度等进行调整，提高氧化硅膜层的钝化性能，在该氧化硅膜层的钝化性能不低于氮化硅膜层的钝化性能的情况下，其光学反射率更低，进而保证采用该背膜结构的太阳能电池的背面吸收阳光的效率更高，从而提高太阳能电池的双面吸光效率。率。率。

Back film structure of solar cell and solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池


[0001]本技术涉及光伏
，更具体地说，涉及一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，太阳能电池是未来发电的一种重要方式，采用晶体硅制造的太阳能电池是未来几年光伏行业的主流技术。
[0003]PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积技术)技术是目前主流的镀膜技术，其做出的膜层均匀性好，致密性高，可以通过调节特气类型及流量等制备出不同的膜层结构，因此目前太阳能电池背表面利用PECVD技术沉积氮化硅是实现界面钝化、增反和保护氧化铝膜层的重要工艺步骤。
[0004]现有太阳能电池中，如双面太阳能电池，在其制备过程中为了保证太阳能电池背面较小的界面态以及场钝化效应等要求，一般会采用氧化铝加氮化硅的背膜结构对太阳能电池的背面进行处理。
[0005]但现有的氧化铝叠加氮化硅膜层结构虽然有比较好的场钝化效应，但是其背面反射率较高，太阳能电池双面率较低。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，为解决上述问题，本技术提供一种太阳能电池的背膜结构及太阳能电池，技术方案如下：
[0007]一种太阳能电池的背膜结构，所述背膜结构包括：
[0008]在第一方向上，依次位于太阳能电池基底一侧的氧化铝膜层以及至少一组堆叠膜层；
[0009]任意一组所述堆叠膜层包括：在所述第一方向上依次叠层设置的第一氮化硅膜层、氧化硅膜层以及第二氮化硅膜层；
[0010]其中，所述第一方向垂直于所述太阳能电池基底，且由所述太阳能电池基底指向所述氧化铝膜层；
[0011]所述第一氮化硅膜层的折射率大于第二氮化硅膜层的折射率大于氧化硅膜层的折射率。
[0012]优选的，在上述背膜结构中，所述第一氮化硅膜层的折射率为2.1
‑
2.45。
[0013]优选的，在上述背膜结构中，所述氧化硅膜层的折射率为1.2
‑
1.9。
[0014]优选的，在上述背膜结构中，所述第二氮化硅膜层的折射率为1.8
‑
2.2。
[0015]优选的，在上述背膜结构中，所述第一氮化硅膜层的厚度为20nm
‑
60nm。
[0016]优选的，在上述背膜结构中，所述氧化硅膜层的厚度为30nm
‑
80nm。
[0017]优选的，在上述背膜结构中，所述第二氮化硅膜层的厚度为10nm
‑
40nm。
[0018]优选的，在上述背膜结构中，所述氧化铝膜层的折射率为1.2
‑
1.9。
[0019]优选的，在上述背膜结构中，所述氧化铝膜层的厚度为5nm
‑
25nm。
[0020]一种太阳能电池，所述太阳能电池包括上述任一项所述的背膜结构。
[0021]相较于现有技术，本技术实现的有益效果为：
[0022]本技术提供的一种太阳能电池的背膜结构包括：在第一方向上，依次位于太阳能电池基底一侧的氧化铝膜层以及至少一组堆叠膜层；任意一组所述堆叠膜层包括：在所述第一方向上依次叠层设置的第一氮化硅膜层、氧化硅膜层以及第二氮化硅膜层；其中，所述第一方向垂直于所述太阳能电池基底，且由所述太阳能电池基底指向所述氧化铝膜层；所述第一氮化硅膜层的折射率大于第二氮化硅膜层的折射率大于氧化硅膜层的折射率。
[0023]该背膜结构通过在第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层之间设置一层折射率较低的氧化硅膜层，同时通过工艺优化对其厚度等进行调整，提高氧化硅膜层的钝化性能，在该氧化硅膜层的钝化性能不低于氮化硅膜层的钝化性能的情况下，其光学反射率更低，进而保证采用该背膜结构的太阳能电池的背面吸收阳光的效率更高，从而提高太阳能电池的双面吸光效率。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0025]图1为本技术实施例提供的一种太阳能电池的背膜结构的结构示意图；
[0026]图2为本技术实施例提供的另一种太阳能电池的背膜结构的结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0029]参考图1，图1为本技术实施例提供的一种太阳能电池的背膜结构的结构示意图。
[0030]本技术提供的背膜结构包括：
[0031]在第一方向X上，依次位于太阳能电池基底11一侧的氧化铝膜层12以及至少一组堆叠膜层13。
[0032]任意一组所述堆叠膜层13包括：在所述第一方向X上依次叠层设置的第一氮化硅膜层14、氧化硅膜层15以及第二氮化硅膜层16。
[0033]其中，所述第一方向垂直于所述太阳能电池基底11，且由所述太阳能电池基底11指向所述氧化铝膜层12。
[0034]所述第一氮化硅膜层14的折射率大于第二氮化硅膜层16的折射率大于氧化硅膜层15的折射率。
[0035]具体的，在本技术的专利技术创造过程中，专利技术人发现，目前太阳能电池采用氧化铝加氮化硅的背膜结构，虽然具有良好的介电特性、高绝缘性、高致密性的氮化硅对杂质离子有很好的阻挡能力，但是该背膜结构的折射率很难做到2.0以下，在光学反射率的表现上俨然已经到了瓶颈。
[0036]因此，在本技术中提出了一种新型的背膜结构，通过在第一氮化硅膜层14和第二氮化硅膜层16之间设置一层折射率较低的氧化硅膜层15，同时通过工艺优化对其厚度等进行调整，提高氧化硅膜层15的钝化性能，在该氧化硅膜层15的钝化性能不低于氮化硅膜层的钝化性能的情况下，其光学反射率更低，进而保证采用该背膜结构的太阳能电池的背面吸收阳光的效率更高，从而提高太阳能电池的双面吸光效率。
[0037]并且，通过PECVD机台作业出的该背膜结构的太阳能电池，通过实验得出其反射率低于现有太阳能电池5％～10％，效率高于现有太阳能电池0.02％～0.05％，双面率提升1％以上。
[0038]需要说明的是，图1中仅仅以一组堆叠膜层为例进行说明，参考图2，图2为本技术实施例提供的另一种太阳能电池的背膜结构的结构示意图，在图2中包括n本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的背膜结构，其特征在于，所述背膜结构包括：在第一方向上，依次位于太阳能电池基底一侧的氧化铝膜层以及至少一组堆叠膜层；任意一组所述堆叠膜层包括：在所述第一方向上依次叠层设置的第一氮化硅膜层、氧化硅膜层以及第二氮化硅膜层；其中，所述第一方向垂直于所述太阳能电池基底，且由所述太阳能电池基底指向所述氧化铝膜层；所述第一氮化硅膜层的折射率大于第二氮化硅膜层的折射率大于氧化硅膜层的折射率。2.根据权利要求1所述的背膜结构，其特征在于，所述第一氮化硅膜层的折射率为2.1
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2.45。3.根据权利要求1所述的背膜结构，其特征在于，所述氧化硅膜层的折射率为1.2
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1.9。4.根据权利要求1所述的背膜结构，其特征在于，所述第二氮化硅膜层的折射率为1.8
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【专利技术属性】
技术研发人员：陆玉刚，陈红，卓启东，左景武，李汉诚，
申请(专利权)人：天合光能科技盐城有限公司，
类型：新型
国别省市：