一种大功率光阻芯片制造技术

本申请提供了一种大功率光阻芯片，涉及半导体技术领域。该大功率光阻芯片包括N+层；位于N+层一侧的N层；位于N层一侧的P+层；其中，P+层上设置有连通至N层的腐蚀槽；钝化层，覆盖于腐蚀槽的表面，且钝化层包括多个子钝化层，每个子钝化层的材料均不相同。本申请提供的大功率光阻芯片具有提高了芯片稳定性及可靠性的优点。优点。优点。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率光阻芯片


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种大功率光阻芯片。

技术介绍

[0002]芯片在焊接过程中会出现一种由机械应力导致的失效，其失效的最终表现形式往往是焊接面裂纹或芯片剥裂。
[0003]尤其对于大尺寸的芯片，受应力的影响更为严重，芯片的稳定性与可靠性将受到影响。
[0004]综上所述，现有技术中大尺寸芯片存在稳定性与可靠性不足的问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种大功率光阻芯片，以解决现有技术中大尺寸芯片存在的稳定性与可靠性不足的问题。
[0006]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请实施例提供一种大功率光阻芯片，所述大功率光阻芯片包括：
[0008]N+层；
[0009]位于所述N+层一侧的N层；
[0010]位于所述N层一侧的P+层；其中，所述P+层上设置有连通至所述N层的腐蚀槽；
[0011]钝化层，覆盖于所述腐蚀槽的表面，且所述钝化层包括多个子钝化层，每个所述子钝化层的材料均不相同。
[0012]可选地，所述钝化层包括Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层；所述Sipos氧化层、所述玻璃层以及所述LTO氧化层逐层连接。
[0013]可选地，所述Sipos氧化层、所述玻璃层以及所述LTO氧化层逐层围成切割道，以便于刀片切割。
[0014]可选地，所述大功率光阻芯片的尺寸大于130mil。
[0015]可选地，所述大功率光阻芯片的厚度为220～250um。
[0016]另一方面，本申请实施例还提供了一种大功率光阻芯片制作方法，所述方法包括：
[0017]提供一N型基片；
[0018]对所述N型基片的两侧进行掺杂，以形成逐层连接的N+层、N层以及的P+层；
[0019]沿所述P+层制作腐蚀槽，直至露出部分N层，以形成腐蚀槽；
[0020]基于所述腐蚀槽的表面制作钝化层，其中，所述钝化层包括多个子钝化层，每个所述子钝化层的材料均不相同。
[0021]可选地，所述基于所述腐蚀槽的表面制作钝化层的步骤包括：
[0022]基于所述腐蚀槽依次制作Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层。
[0023]可选地，所述基于所述腐蚀槽依次制作Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层的步骤包括：
[0024]当制作玻璃层时，逐渐降低烧结温度的升温速率，直至所述升温速率达到阈值或制作玻璃层完成。
[0025]可选地，所述基于所述腐蚀槽依次制作Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层的步骤包括：
[0026]当制作玻璃层时，先逐渐提升烧结温度的升温速率，后逐渐降低烧结温度的升温速率，直至所述升温速率达到阈值或制作玻璃层完成。
[0027]可选地，所述基于所述腐蚀槽依次制作Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层的步骤包括：
[0028]当制作玻璃层时，依据1.5℃/min升降温速率调整烧结温度。相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：
[0029]本申请提供了一种大功率光阻芯片，该大功率光阻芯片包括N+层；位于N+层一侧的N层；位于N层一侧的P+层；其中，P+层上设置有连通至N层的腐蚀槽；钝化层，覆盖于腐蚀槽的表面，且钝化层包括多个子钝化层，每个子钝化层的材料均不相同。由于本申请提供的钝化层包括多个子钝化层，进而通过多个子钝化层的方式，起到致密的钝化保护P/N结作用，进而可以提高芯片稳定性及可靠性。
[0030]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
[0032]图1为本申请实施例提供的大功率光阻芯片的剖面示意图。
[0033]图2为本申请实施例提供的大功率光阻芯片制作方法的示例性流程图。
[0034]图中：110
‑
N+层；120
‑
N层；130
‑
P+层；140
‑
钝化层；141
‑
Sipos氧化层；142
‑
玻璃层；143
‑
LTO氧化层。
具体实施方式
[0035]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0036]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0037]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的
描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0038]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
[0039]下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0040]芯片一般按温度适应能力及可靠性要求，大致分为四类：商业级(0℃
‑
70℃)、工业级(
‑
40℃
‑
85℃)、车规级(
‑
40℃
‑
120℃)、军工级(
‑
55℃
‑
150℃)。芯片可靠性指标的严苛程度和温度要求超过商业级别，符合工业级应用即为工业芯片。工业芯片主要有以下特点：工业产品长期处于极高/低温、高湿、强盐雾和电磁辐射的恶劣环境，使用环境较苛刻，因此工业芯片必须具备稳定性、高可靠性和高安全性，且具备长服役寿命。目前市场上的主流大功率二极管芯片尺寸为120mil，制程工艺采用传统玻璃钝化工艺，但由于工艺制程的限制，该芯片的稳定性和可靠性无法满足工业级芯片的需求。
[0041]然而，正如
技术介绍
中所述，当增大芯片尺寸时，芯片受应力的影响将更为严重，存在应力较大的问题，芯片的稳定性与可靠性将受到影响。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率光阻芯片，其特征在于，所述大功率光阻芯片包括：N+层；位于所述N+层一侧的N层；位于所述N层一侧的P+层；其中，所述P+层上设置有连通至所述N层的腐蚀槽；钝化层，覆盖于所述腐蚀槽的表面，且所述钝化层包括多个子钝化层，每个所述子钝化层的材料均不相同。2.如权利要求1所述的大功率光阻芯片，其特征在于，所述钝化层包括Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层；所述Sipos...

【专利技术属性】
技术研发人员：宣玉龙，
申请(专利权)人：常州星海电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：