晶圆光刻参数获取方法和装置及晶圆光刻实现方法和装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种晶圆光刻参数获取方法和装置及晶圆光刻实现方法和装置，该晶圆光刻参数获取方法包括；获取预先建立的全透明相移掩模参数与晶圆参数对应关系的数据库；获取目标晶圆参数，并根据数据库和目标晶圆参数获取目标全透明相移掩模参数；根据目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真，以获取使得仿真结果满足预设要求的仿真参数以及最终目标全透明相移掩模参数；将仿真参数作为晶圆光刻工艺参数，并将最终目标全透明相移掩模参数作为晶圆光刻所需的全透明相移掩模的参数。该实施例方案使晶圆周期相比掩模周期减半，提升分辨率，并且由于全透明相移掩模线宽尺寸更大，掩模写板速度加快，相应降低掩模制造成本。模制造成本。模制造成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆光刻参数获取方法和装置及晶圆光刻实现方法和装置


[0001]本申请实施例涉及晶圆光刻技术，尤指一种晶圆光刻参数获取方法和装置及晶圆光刻实现方法和装置。

技术介绍

[0002]光刻技术的持续优化是集成电路节点不断缩小的内在驱动力。光刻机是实现光刻的硬件设备，如何把光刻机分辨率使用到极致，一直是科研工作者的追求。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种晶圆光刻参数获取方法和装置及晶圆光刻实现方法和装置，能够使晶圆周期相比掩模周期减半，提升分辨率，并且由于全透明相移掩模线宽尺寸更大，掩模写板速度加快，相应降低掩模制造成本。
[0004]本申请实施例提供了一种晶圆光刻参数获取方法，所述方法可以包括：
[0005]获取预先建立的全透明相移掩模参数与晶圆参数对应关系的数据库；
[0006]获取目标晶圆参数，并根据所述数据库和所述目标晶圆参数获取目标全透明相移掩模参数；
[0007]根据所述目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真，以获取使得仿真结果满足预设要求的仿真参数以及最终目标全透明相移掩模参数；
[0008]将所述仿真参数作为晶圆光刻工艺参数，并将所述最终目标全透明相移掩模参数作为晶圆光刻所需的全透明相移掩模的参数。
[0009]在本申请的示例性实施例中，所述全透明相移掩模参数包括全透明相移掩模线宽和/或间距尺寸；所述晶圆参数包括晶圆线宽和/或间距尺寸；
[0010]建立全透明相移掩模参数与晶圆参数对应关系的数据库，可以包括：r/>[0011]按照瑞利公式确定不同光刻机所能达到的晶圆线宽最小极限，并根据预设倍数关系确定与所述晶圆线宽最小极限对应的全透明相移掩模最小线宽；确定预先设置的晶圆最大线宽，并根据所述预设倍数关系确定与所述晶圆最大线宽对应的全透明相移掩模最大线宽；从而确定全透明相移掩模最大线宽；和/或，
[0012]按照瑞利公式确定不同光刻机所能达到的晶圆间距尺寸最小极限，并根据预设倍数关系确定与所述晶圆间距尺寸最小极限对应的全透明相移掩模最小间距尺寸；确定预先设置的晶圆最大间距尺寸，并根据所述预设倍数关系确定与所述晶圆最大间距尺寸对应的全透明相移掩模最大间距尺寸；从而确定全透明相移掩模最大间距尺寸。
[0013]在本申请的示例性实施例中，所述预设倍数关系可以包括：
[0014]全透明相移掩模线宽为晶圆线宽的a倍；
[0015]全透明相移掩模间距尺寸为晶圆间距尺寸的a倍；
[0016]其中，a为正整数；当晶圆和全透明相移掩模为一比一结构时，a包括2。
[0017]在本申请的示例性实施例中，所述根据所述目标全透明相移掩模参数进行全透明
相移掩模光学仿真，以获取使得仿真结果满足预设要求的仿真参数以及最终目标全透明相移掩模参数，可以包括：
[0018]步骤41、设置仿真参数，根据所述目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真；
[0019]步骤42、判断仿真结果是否满足所述预设要求，如果满足所述预设要求，则进入步骤44，如果不满足所述预设要求，则进入步骤43；
[0020]步骤43、根据仿真结果对所述目标全透明相移掩模参数进行修正，获取修正后的目标全透明相移掩模参数，并对所述仿真参数进行调整，获取调整后的仿真参数；将所述修正后的目标全透明相移掩模参数作为所述目标全透明相移掩模参数，将所述调整后的仿真参数作为待设置的仿真参数，返回步骤41；
[0021]步骤44、输出所设置的仿真参数，并将所述目标全透明相移掩模参数作为所述最终目标全透明相移掩模参数。
[0022]在本申请的示例性实施例中，所述预设要求可以包括以下任意一项或多项：
[0023]空间像归一化图像对数斜率>1.5；
[0024]仿真后获得的晶圆线宽在预设的目标晶圆线宽的浮动范围之内；以及，
[0025]仿真后获得的晶圆间距尺寸在预设的目标晶圆间距尺寸的浮动范围之内；
[0026]其中，所述目标晶圆参数包含所述目标晶圆线宽和所述目标晶圆间距尺寸。
[0027]在本申请的示例性实施例中，所述方法还可以包括：
[0028]采用所述最终目标全透明相移掩模参数更新所述数据库中所述目标晶圆参数对应的全透明相移掩模参数。
[0029]在本申请的示例性实施例中，所述仿真参数可以包括以下任意一种或多种：光源形状、光源孔径以及极化；
[0030]所述目标全透明相移掩模参数还可以包括：相位差。
[0031]本申请实施例还提供了一种晶圆光刻参数获取装置，可以包括：第一处理器和第一计算机可读存储介质，所述第一计算机可读存储介质中存储有第一指令，当所述第一指令被所述第一处理器执行时，实现所述的晶圆光刻参数获取方法。
[0032]本申请实施例还提供了一种晶圆光刻实现方法，所述方法可以包括：
[0033]获取所述的晶圆光刻参数获取方法获得的仿真参数和最终目标全透明相移掩模参数；
[0034]根据所述最终目标全透明相移掩模参数制作全透明相移掩模；
[0035]基于制作的所述全透明相移掩模，将获取的所述仿真参数作为晶圆光刻工艺参数执行晶圆光刻工艺。
[0036]本申请实施例还提供了一种晶圆光刻参数获取装置，可以包括：第二处理器和第二计算机可读存储介质，所述第二计算机可读存储介质中存储有第二指令，当所述第二指令被所述第二处理器执行时，实现所述的晶圆光刻实现方法。
[0037]与相关技术相比，本申请实施例可以包括：获取预先建立的全透明相移掩模参数与晶圆参数对应关系的数据库；获取目标晶圆参数，并根据所述数据库和所述目标晶圆参数获取目标全透明相移掩模参数；根据所述目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真，以获取使得仿真结果满足预设要求的仿真参数以及最终目标全透明相移掩模参
数；将所述仿真参数作为晶圆光刻工艺参数，并将所述最终目标全透明相移掩模参数作为晶圆光刻所需的全透明相移掩模的参数。通过该实施例方案，能够使晶圆周期相比掩模周期减半，提升分辨率，并且由于全透明相移掩模线宽尺寸更大，掩模写板速度加快，相应降低掩模制造成本。
[0038]本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
[0039]附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
[0040]图1为本申请实施例的晶圆光刻参数获取方法流程图；
[0041]图2为本申请实施例的晶圆线条周期减半示意图；
[0042]图3为本申请实施例的全透明相移掩模结构示意图；
[0043]图4为本申请实施例的根据所述目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真的方法流程图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆光刻参数获取方法，其特征在于，所述方法包括：获取预先建立的全透明相移掩模参数与晶圆参数对应关系的数据库；获取目标晶圆参数，并根据所述数据库和所述目标晶圆参数获取目标全透明相移掩模参数；根据所述目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真，以获取使得仿真结果满足预设要求的仿真参数以及最终目标全透明相移掩模参数；将所述仿真参数作为晶圆光刻工艺参数，并将所述最终目标全透明相移掩模参数作为晶圆光刻所需的全透明相移掩模的参数。2.根据权利要求1所述的晶圆光刻参数获取方法，其特征在于，所述全透明相移掩模参数包括全透明相移掩模线宽和/或间距尺寸；所述晶圆参数包括晶圆线宽和/或间距尺寸；建立全透明相移掩模参数与晶圆参数对应关系的数据库，包括：按照瑞利公式确定不同光刻机所能达到的晶圆线宽最小极限，并根据预设倍数关系确定与所述晶圆线宽最小极限对应的全透明相移掩模最小线宽；确定预先设置的晶圆最大线宽，并根据所述预设倍数关系确定与所述晶圆最大线宽对应的全透明相移掩模最大线宽；从而确定全透明相移掩模最大线宽；和/或，按照瑞利公式确定不同光刻机所能达到的晶圆间距尺寸最小极限，并根据预设倍数关系确定与所述晶圆间距尺寸最小极限对应的全透明相移掩模最小间距尺寸；确定预先设置的晶圆最大间距尺寸，并根据所述预设倍数关系确定与所述晶圆最大间距尺寸对应的全透明相移掩模最大间距尺寸；从而确定全透明相移掩模最大间距尺寸。3.根据权利要求2所述的晶圆光刻参数获取方法，其特征在于，所述预设倍数关系包括：全透明相移掩模线宽为晶圆线宽的a倍；全透明相移掩模间距尺寸为晶圆间距尺寸的a倍；其中，a为正整数；当晶圆和全透明相移掩模为一比一结构时，a包括2。4.根据权利要求1所述的晶圆光刻参数获取方法，其特征在于，所述根据所述目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真，以获取使得仿真结果满足预设要求的仿真参数以及最终目标全透明相移掩模参数，包括：步骤41、设置仿真参数，根据所述目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真；步骤42、判断仿真结果是否满足所述预设要求，如果满足所述预设要求，则进入步骤44，如果不满足所述预设要求，则进入步骤43；步骤43、根据仿真结果对所述目标全透明相移掩模参数进行修正...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亮，姜淼，梁迪，闫彬斌，师江柳，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：