用于光学邻近校正的方法和制造半导体器件的方法技术

用于光学邻近校正(OPC)的方法，该方法可以包括：输入与要形成的目标层相对应的弯曲布局数据；基于弯曲布局数据执行曼哈顿化，并获取曼哈顿化数据；对曼哈顿化数据执行分段，并将曼哈顿化数据分解为多个数据分量；基于多个数据分量生成OPC模型，并对OPC模型执行模拟以提取OPC模型的轮廓；计算OPC模型的轮廓和与目标层相邻的层之间的重叠分数，并将所计算的重叠分数反映在OPC模型中；以及基于模拟结果来获取用于形成目标层的设计数据。因此，通过根据本公开的一些示例实施例的用于光学邻近校正的方法，可以获得具有根据考虑到相邻层定位目标层而优化的定位的设计数据。目标层而优化的定位的设计数据。目标层而优化的定位的设计数据。

【技术实现步骤摘要】
用于光学邻近校正的方法和制造半导体器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2021年12月1日递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0170196和2022年2月3日递交的韩国专利申请No.10
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2022
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0014357的优先权，并且每个上述申请的全部内容通过引用并入本文以用于所有目的。


[0003]本公开涉及用于光学邻近校正的方法以及具有该光学邻近校正方法的制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]作为制造半导体器件的一部分，光刻工艺可以包括将先前通过曝光和显影形成在光掩模上的电路图案转移到形成在衬底上的光刻胶。最近，随着构成半导体器件的图案小型化，越来越多地使用利用极紫外光和电子束的光刻技术。同时，随着图案变得越来越小型化，部分由于相邻图案之间的影响，可能发生光学邻近效应(OPE)，其中形成在光掩模上的图案可能变得扭曲并转移到衬底上。可以执行光学邻近校正(OPC)方法来克服光学邻近效应，并最小化布本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于光学邻近校正OPC的方法，包括：输入与要形成的目标层相对应的弯曲布局数据；基于所述弯曲布局数据执行曼哈顿化，并获取曼哈顿化数据；对所述曼哈顿化数据执行分段，并将所述曼哈顿化数据分解为多个数据分量；基于所述多个数据分量生成OPC模型，并对所述OPC模型执行模拟以提取所述OPC模型的轮廓；计算所述OPC模型的轮廓与所述目标层的相邻层之间的重叠分数；基于所计算的重叠分数调整所述OPC模型；以及基于模拟结果来获取用于形成所述目标层的设计数据。2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过多次执行所述模拟并获取所述设计数据来优化所述设计数据。3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用所述弯曲布局数据的定位来优化所述设计数据的定位。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在执行所述模拟之后，计算所述目标层与所述OPC模型的轮廓之间的边缘放置误差EPE。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在执行所述模拟之后，基于所述EPE来移动所述多个数据分量的位置。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述曼哈顿化数据是多边形形式的数据，所述多边形包括仅使用0
°
、45
°
和/或90
°
角的图案。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述弯曲布局数据中设置任意相邻点，并且当所述任意相邻点处的两条切线之间的角小于临界角时，基于所述两条切线来执行所述曼哈顿化。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述临界角是大于0
°
且小于90
°
的锐角。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述弯曲布局数据具有与所述目标层的图像相同的形状。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述相邻层是多个层中的层，所述层包括与所述目标层重叠的第一层和不与所述目标层重叠的第二层。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：申裕汀，丁成坤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：