动态存储器及其读写方法、存储装置制造方法及图纸

本申请提供一种动态存储器及其读写方法、存储装置，写入模块在将外部输入数据写入存储阵列中后，读出模块从存储阵列中读取数据、并先不将所读取的数据输出，而是根据所读取的数据发送反馈信号或者第二电信号至写入模块，写入模块根据反馈信号(或者第二电信号)与外部输入数据对第一电信号进行调整，并发送调整后的当前第一电信号至被选中的写位线。之后，控制读出模块与输出电路电连接，读出模块再将从存储阵列中读取的数据输出，以完成从存储阵列中读出数据。因此，在对动态存储器进行写入操作时，同时进行读校准，通过反馈机制对写入模块发送至存储阵列的第一电信号进行调整，减小了写入数据和读出数据之间的差异。了写入数据和读出数据之间的差异。了写入数据和读出数据之间的差异。

【技术实现步骤摘要】
动态存储器及其读写方法、存储装置


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体而言，本申请涉及一种动态存储器及其读写方法、存储装置。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，DRAM存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点，随着技术的发展，DRAM存储器的应用日益广泛。
[0003]在进行写操作时，DRAM存储器接收外部输入数据并将外部输入数据存储在DRAM存储器的多个存储单元中，进行读操作时将存储在多个存储单元中的数据输出，以将数据读出。然而，现有的DRAM存储器存在着写入的数据和读出的数据存在差异的问题，这对DRAM存储器的性能造成了影响。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种动态存储器及其读写方法、存储装置，用以解决现有技术中DRAM存储器存在的写入的数据和读出的数据存在差异的问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种动态存储器，包括：
[0006]存储阵列，包括多个阵列排布的存储单元、多条写字线、多条写位线、多条读字线和多条读位线；
[0007]写入模块，与所述存储阵列电连接，用于在一所述写字线和与该写字线对应的读字线被选中时，接收外部输入数据，并根据所述外部输入数据发送第一电信号至被选中的写位线；
[0008]读出模块，分别与所述存储阵列以及所述写入模块电连接，用于在所述写字线和所述读字线被选中时，读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线的电信号，并根据所述读位线的电信号发送反馈信号至所述写入模块，或发送第二电信号至所述写入模块；
[0009]所述写入模块在接收到所述第二电信号后，还用于将所述第二电信号与参考电信号进行比较，根据比较结果调整所述第一电信号，直至所述比较结果满足设定值，终止写操作和读校准操作；或者，所述写入模块在接收到所述反馈信号后，还用于根据所述反馈信号调整所述第一电信号，直至所述反馈信号满足设定条件，发送当前的第一电信号至被选中的写位线，并终止写操作和读校准操作；
[0010]所述读出模块在终止写操作和读校准操作后，还用于输出所述读位线的数据。
[0011]可选的，所述存储单元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的源极电连接。
[0012]可选的，所述写入模块在接受到所述反馈信号后，根据所述反馈信号以及所述外部输入数据调整所述第一电信号，直至所述反馈信号与所述外部输入数据一致，发送当前的第一电信号至被选中的写位线，并终止写操作和读校准操作。
[0013]可选的，所述读出模块包括读电路，所述读电路分别与所述存储阵列以及所述写入模块电连接；
[0014]所述读电路用于在所述写字线和所述读字线被选中时，读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线的电信号，将所述电信号转换为数字信号，并将转换成的数字信号作为所述反馈信号发送至所述写入模块。
[0015]可选的，所述写入模块包括互相电连接的输入信号转换模块和比较器，所述输入信号转换模块与所述存储阵列电连接，所述比较器分别与所述读出模块和所述输入信号转换模块电连接；
[0016]所述输入信号转换模块用于在一所述写字线和与该写字线对应的读字线被选中时，接收外部输入数据，将所述外部输入数据转为第三电信号，根据所述第三电信号生成第一电信号和参考电信号，并将所述第一电信号输出至被选中的所述写位线，将所述参考电信号输出至所述比较器；以及，
[0017]所述比较器用于接收所述读出模块发送的所述第二电信号，将所述第二电信号与参考电信号进行比较，若所述第二电信号与参考电信号的差值超出预设范围，发送第一调节信号给所述输入信号转换模块，若所述第二电信号与参考电信号的差值在预设范围内，发送第二调节信号给所述输入信号转换模块；
[0018]所述输入信号转换模块还用于在接收到所述第一调节信号后，调整所述第一电信号，并将调整后的所述第一电信号发送至被选中的写位线；以及在接收到所述第二调节信号后，将当前调整后的所述第一电信号发送至被选中的写位线，并终止写操作和读校准操作。
[0019]可选的，所述读出模块包括互相电连接的读出放大器和输出信号转换模块，所述读出放大器分别与所述存储阵列和所述比较器电连接，所述输出信号转换模块与所述读出放大器电连接；
[0020]所述读出放大器用于在所述写字线和所述读字线被选中时，读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线的电信号，并将该电信号放大为所述第二电信号后发送至所述比较器；以及，在终止写操作和读校准操作后，读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线当前的电信号，并将所述当前的电信号放大后发送给所述输出信号转换模块；
[0021]所述输出信号转换模块用于接收所述当前的电信号放大后的信号，并将所述当前的电信号放大后的信号转换为数字信号输出。
[0022]第二个方面，本申请实施例提供了一种动态存储器，包括本申请实施例中的存储装置。
[0023]第三个方面，本申请实施例提供了一种动态存储器的读写方法，所述读写方法包括：
[0024]控制所述存储阵列的读写状态为读校准状态，以使一所述写字线和与该写字线对应的读字线被选中，并向写入模块发送外部输入数据；
[0025]所述写入模块根据所述外部输入数据发送第一电信号至被选中的写位线，所述读出模块读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线的电信号，并根据所述读位线的电信号发送反馈信号至所述写入模块，或发送第二电信号至所述写入模块；
[0026]所述写入模块将接收到的所述第二电信号与参考电信号进行比较，根据比较结果
调整所述第一电信号，直至所述比较结果满足设置值，发送当前的第一电信号至被选中的写位线；或者，根据接收到的所述反馈信号调整所述第一电信号，直至所述反馈信号满足设定条件，发送当前的第一电信号至被选中的写位线；
[0027]控制所述存储阵列的读写状态为读出状态，以终止写操作和读校准操作，所述读出模块将所述读位线的数据输出。
[0028]可选的，控制所述存储阵列的读写状态为读校准状态，包括：
[0029]对被选中行的写字线施加第一特定电压，以及对被选中行的读字线施加第二特定电压；
[0030]控制所述存储阵列的读写状态为读出状态，包括：
[0031]去除对被选中行的写字线施加的第一特定电压，以及去除对被选中行的读字线施加的第二特定电压。
[0032]可选的，所述写入模块根据接收到的所述反馈信号调整所述第一电信号，直至所述反馈信号满足设定条件，发送当前的第一电信号至被选中的写位线，包括：
[0033]所述写入模块在接受到所述反馈信号后，将所述反馈信号与所述外部输入数据进行比较；
[0034]若所述反馈信号小于所述外部输入数据，增大所述第一电信号，直至所述反馈信号等于所述外部输入数据，发送当前本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态存储器，其特征在于，包括：存储阵列，包括多个阵列排布的存储单元、多条写字线、多条写位线、多条读字线和多条读位线；写入模块，与所述存储阵列电连接，用于在一所述写字线和与该写字线对应的读字线被选中时，接收外部输入数据，并根据所述外部输入数据发送第一电信号至被选中的写位线；读出模块，分别与所述存储阵列以及所述写入模块电连接，用于在所述写字线和所述读字线被选中时，读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线的电信号，并根据所述读位线的电信号发送反馈信号至所述写入模块，或发送第二电信号至所述写入模块；所述写入模块在接收到所述第二电信号后，还用于将所述第二电信号与参考电信号进行比较，根据比较结果调整所述第一电信号，直至所述比较结果满足设定值，终止写操作和读校准操作；或者，所述写入模块在接收到所述反馈信号后，还用于根据所述反馈信号调整所述第一电信号，直至所述反馈信号满足设定条件，发送当前的第一电信号至被选中的写位线，并终止写操作和读校准操作；所述读出模块在终止写操作和读校准操作后，还用于输出所述读位线的数据。2.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述存储单元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的源极电连接。3.根据权利要求2所述的动态存储器，其特征在于，所述写入模块在接受到所述反馈信号后，根据所述反馈信号以及所述外部输入数据调整所述第一电信号，直至所述反馈信号与所述外部输入数据一致，发送当前的第一电信号至被选中的写位线，并终止写操作和读校准操作。4.根据权利要求3所述的动态存储器，其特征在于，所述读出模块包括读电路，所述读电路分别与所述存储阵列以及所述写入模块电连接；所述读电路用于在所述写字线和所述读字线被选中时，读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线的电信号，将所述电信号转换为数字信号，并将转换成的数字信号作为所述反馈信号发送至所述写入模块。5.根据权利要求2所述的动态存储器，其特征在于，所述写入模块包括互相电连接的输入信号转换模块和比较器，所述输入信号转换模块与所述存储阵列电连接，所述比较器分别与所述读出模块和所述输入信号转换模块电连接；所述输入信号转换模块用于在一所述写字线和与该写字线对应的读字线被选中时，接收外部输入数据，将所述外部输入数据转为第三电信号，根据所述第三电信号生成第一电信号和参考电信号，并将所述第一电信号输出至被选中的所述写位线，将所述参考电信号输出至所述比较器；以及，所述比较器用于接收所述读出模块发送的所述第二电信号，将所述第二电信号与参考电信号进行比较，若所述第二电信号与参考电信号的差值超出预设范围，发送第一调节信号给所述输入信号转换模块，若所述第二电信号与参考电信号的差值在预设范围内，发送第二调节信号给所述输入信号转换模块；所述输入信号转换模块还用于在接收到所述第一调节信号后，调整所述第一电信号，并将调整后的所述第一电信号发送至被选中的写位线；以及在接收到所述第二调节信号
后，将当前调整后的所述第一电信号发送至被选中的写位线，并终止写操作和读校准操作。6.根据权利要求5所述的动态存储器，其特征在于，所述读出模块包括互相电连接的读出放大器和输出信号转换模块，所述读出放大器分别与所述存储阵列和所述比较器电连接，所述输出信号转换模块与所述读出放大器电连接；所述读出放大器用于在所述写字线和所述读字线被选中时，读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线的电信号，并将该电信号放大为所述第二电信号后发送至所述比较器；以及，在终止终止写操作和读校准操作后，读取与被选中的所述写位线对应的所述读位线当前的电信号，并将所述当前的电信号放大后发送给所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：