一种存储器的操作方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器的操作方法，该操作方法包括如下步骤：接收操作指令：写入操作和刷新操作；若操作指令为写入状态1操作，则对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压；若为写入状态0操作，则对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压；若为刷新操作，则对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压，并检测被选中存储单元是否存在电流，若不存在电流，则先对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压，再对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压；若存在电流，则对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压。本发明专利技术在进行数据写入前无需进行读取操作，可有效缩短写入过程的操作流程，提高写入效率。提高写入效率。提高写入效率。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器的操作方法


[0001]本专利技术属于存储器
，更具体地，涉及一种存储器的操作方法。

技术介绍

[0002]在冯诺依曼体系计算机结构中，DRAM(动态随机存储器)作为主储存器发挥着与CPU直接交换数据的作用。目前对存储器的存储密度等各个方面的性能要求越来越高，但传统的通过微缩尺寸来增加存储密度的方法难以应对目前快速增长的数据处理需求，避开平面缩放限制向第三维架构发展是一种主流的解决方案。但是由于DRAM为1T1C结构，即由1个晶体管和1个存储单元串联组成，为三端口器件，难以实现三维堆叠，外围控制电路造成较大的面积消耗，制约着DRAM向更高存储密度发展。
[0003]为了解决DRAM存储密度低的问题，目前存储器领域的学术界和产业界已经探索了很多种可能取代DRAM的新型存储器，其中中国专利技术专利CN202111280349.1提到的由OTS选通管和电容串联在一起构成存储单元(1S1C存储单元)，在读、写、擦速度与功耗方面均可以和DRAM相媲美，是非常有希望取代DRAM的一种新型存储技术。但是目前针对其阵列的读写擦方案在进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括相互垂直排布的字线、位线及位于字线与位线之间阵列排布的存储单元，所述存储单元包括串联的OTS选通管和电容，OTS选通管具有阈值开启电压V
th
和保持电压V
hold
，所述操作方法包括如下步骤：(1)实时接收外部控制器发来的操作指令，所述操作指令包括被选中存储单元的位置信息和操作指令类型信息，所述操作指令类型信息包括写入状态1操作、写入状态0操作和刷新操作，所述刷新操作为外部控制器定时对存储器发出的刷新指令，刷新周期为T；(2)根据所述操作指令中的操作指令类型信息对被选中存储单元进行相应操作，若接收到的操作指令类型信息为写入状态1操作，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压；若接收到的操作指令类型信息为写入状态0操作，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压；若接收到的操作指令类型信息为刷新操作，则执行步骤(3)；(3)对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压，并检测所述被选中存储单元是否存在电流，若不存在电流，则先对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压，再对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压；若存在电流，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压。2.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，写入状态1的操作电压为向被选中存储单元所在位线上施加一个周期的电压V
S
，向被选中存储单元所在字线上施加一个周期的电压
‑
V
S
；写入状态0的操作电压为向被选中存储单元所...

【专利技术属性】
技术研发人员：童浩，龙少杰，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：