存储单元阵列结构和制备方法技术

本公开提供了一种存储单元阵列结构和制备方法，该存储单元阵列结构包括绝缘衬底、形成于所述绝缘衬底表面上的三维存储单元阵列，所述三维存储单元阵列包括多层存储单元，以及位于每一层的多个存储单元、多个位线和多个字线；其中，每个存储单元包括晶体管和电容器，所述电容器包括第一电极、第二电极和电容器电介质层；所述晶体管与所述电容器电连接；每个位线沿第一方向延伸，第一方向平行于所述绝缘衬底表面；位于同一层且对称分布于同一位线的两侧的存储单元共用该同一位线；垂直方向上不同层相邻位线之间的存储单元的电容器共用同一第二电极；每个字线沿第二方向延伸，第二方向垂直于所述绝缘衬底表面；垂直方向上不同层的存储单元共用同一字线。存储单元共用同一字线。存储单元共用同一字线。

【技术实现步骤摘要】
存储单元阵列结构和制备方法


[0001]本公开涉及半导电材料
，尤指一种存储单元阵列结构和制备方法。

技术介绍

[0002]目前，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access memory，DRAM)的制造通常采用二维结构，并缩小位线、字线以及晶体管等的尺寸，以增加更多的一个晶体管一个电容器(1Transistor and 1Capacitor，1T1C)元件数来满足下一代存储器的需求。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种存储单元阵列和制备方法。与传统工艺相比，该存储单元阵列可以直接堆叠，一次蚀刻多层，从而优化了阵列堆叠的工艺流程，降低制造成本。
[0004]本公开提供了一种存储单元阵列结构，
[0005]包括绝缘衬底、形成于所述绝缘衬底表面上的三维存储单元阵列，所述三维存储单元阵列包括多层存储单元，以及位于每一层的多个存储单元、多个位线和多个字线；
[0006]其中，每个存储单元包括晶体管和电容器，所述电容器包括第一电极、第二电极和电容器电介质层；所述晶体管与所述电容器电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元阵列结构，其特征在于，包括绝缘衬底、形成于所述绝缘衬底表面上的三维存储单元阵列，所述三维存储单元阵列包括多层存储单元，以及位于每一层的多个存储单元、多个位线和多个字线；其中，每个存储单元包括晶体管和电容器，所述电容器包括第一电极、第二电极和电容器电介质层；所述晶体管与所述电容器电连接；每个位线沿第一方向延伸，第一方向平行于所述绝缘衬底表面；位于同一层且对称分布于同一位线的两侧的存储单元共用该同一位线；垂直方向上不同层相邻位线之间的存储单元的电容器共用同一第二电极；每个字线沿第二方向延伸，第二方向垂直于所述绝缘衬底表面；垂直方向上不同层的存储单元共用同一字线。2.如权利要求1所述的存储单元阵列结构，其特征在于，所述晶体管包括：环沟道；环形栅氧化层；栅极；第一极；第二极；所述不同层存储单元设置有垂直于衬底的通孔，所述通孔贯通各所述存储单元；所述通孔的内侧四周设置所述环沟道；所述环沟道的内侧四周设置有所述环形栅氧化层；所述环形栅氧化层内侧设置所述栅极；所述栅极与对应的字线连接；所述第一极与所述环沟道的第一侧接触；所述第一极用于与对应的位线连接；所述第二极与所述环沟道的第一侧相对的第二侧接触；所述第二极用于与所述电容器连接。3.如权利要求2所述的存储单元阵列结构，其特征在于，所述电容器的第一电极接触所述环沟道的第二侧；所述电容器电介质层位于所述电容器的第一电极上；所述第二电极围绕所述电容器电介质层。4.如权利要求3所述的存储单元阵列结构，其特征在于，所述电容器的第一电极和位线具有相同的厚度。5.如权利要求2所述的存储单元阵列结构，其特征在于，所述环沟道的材料是氧化物半导体材料。6.如权利要求5所述的存储单元阵列结构，其特征在于，所述氧化物半导体材料包括氧化铟、氧化锡、铟锌类氧化物、锡锌类氧化物、铝锌类氧化物、铟镓类氧化物、铟镓锌类氧化物、铟铝锌类氧化物、铟锡锌类氧化物、锡镓锌类氧化物、铝镓锌类氧化物、锡铝锌类氧化物中的至少一种。7.如权利要求1所述的存储单元阵列结构，其特征在于，所述存储单元阵列结构还包括预设数量的字线控制晶体管；每个字线控制晶体管分别与每个字线连接，设置为对所连接的字线进行开关控制。8.一种存储单元阵列结构的制备方法，应用于权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，梁静，余泳，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：