一种存储器、电子设备制造技术

一种存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，该存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元包括衬底以及在垂直所述衬底的方向上依次层叠设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管作为读取晶体管，所述第二晶体管作为写入晶体管，所述第一晶体管包括第一沟道，所述第一沟道为硅半导体，所述第二晶体管包括第二沟道，所述第二沟道为氧化物半导体。所述第二沟道为氧化物半导体。所述第二沟道为氧化物半导体。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器、电子设备


[0001]本公开实施例涉及但不限于半导体
，具体涉及一种存储器、电子设备。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，DRAM存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点，随着技术的发展，DRAM存储器的应用日益广泛。
[0003]存储器具有较高的集成度是重要的发展方向，以满足消费者对优良的性能以及低廉的价格的需求。对于存储器，由于它们的集成度会是决定产品价格的重要因素，因此会特别期望提高集成度。对于二维或平面存储器，由于它们的集成度主要由存储器占据的面积决定，因此集成度受精细图案形成技术的水平的影响很大。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]第一方面，本公开实施例提供了一种存储器，包括至少一个存储单元，所述存储单元包括衬底以及在垂直所述衬底的方向上依次层叠设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括至少一个存储单元，所述存储单元包括衬底以及在垂直所述衬底的方向上依次层叠设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管作为读取晶体管，所述第二晶体管作为写入晶体管，所述第一晶体管包括第一沟道，所述第一沟道为硅半导体，所述第二晶体管包括第二沟道，所述第二沟道为氧化物半导体。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管包括：第一栅极，位于所述衬底上，所述第一栅极呈柱状；第一沟道，位于所述第一栅极的外侧，与所述第一栅极绝缘；第一导电层，位于所述第一沟道靠近所述衬底一侧，所述第一导电层与所述第一沟道连接，所述第一导电层与所述第一沟道在所述衬底的正投影存在不交叠区域；第二导电层，位于所述第一沟道远离所述衬底一侧，且与所述第一沟道连接。3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第二晶体管包括：第二栅极，位于所述第一栅极远离所述衬底一侧，所述第二栅极呈柱状；第二沟道，位于所述第二栅极的外侧，与所述第二栅极绝缘；第三导电层，位于所述第二沟道的外侧，所述第三导电层与所述第二沟道连接。4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第二沟道...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛淑娟，王桂磊，赵超，戴瑾，项金娟，王祥升，桂文华，于伟，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：