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一种存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，该存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元包括衬底以及在垂直所述衬底的方向上依次层叠设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管作为读取晶体管，所述第二晶体管作为写入晶体管，所述第一晶体管包括第一沟...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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