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本公开提供了一种存储单元阵列结构和制备方法，该存储单元阵列结构包括绝缘衬底、形成于所述绝缘衬底表面上的三维存储单元阵列，所述三维存储单元阵列包括多层存储单元，以及位于每一层的多个存储单元、多个位线和多个字线；其中，每个存储单元包括晶体管和电...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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