一种晶圆检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶圆检测装置，待测晶圆位于陶瓷盘上，包括检测平台，所述检测平台上设置有定位盘，所述定位盘边缘设置有限位条；顶升模组，所述顶升模组包括驱动电机、位于所述驱动电机转轴端的丝杆以及沿所述丝杆长度方向进行运动的顶升块，所述顶升块上设置有顶升杆，所述顶升杆贯穿定位盘，对陶瓷盘进行顶升；检测传感器，所述检测传感器位于所述定位盘上方，对晶圆进行检测；驱动模组，所述驱动模组包括X轴模组以及沿所述X轴模组长度方向进行运动的Y轴模组，所述检测传感器沿所述Y轴模组长度方向进行运动。本实用新型专利技术采用红外干涉传感器作为检测传感器对晶圆表面数据进行自动扫描检测，实现对晶圆表面的全参数测试。实现对晶圆表面的全参数测试。实现对晶圆表面的全参数测试。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆检测装置


[0001]本技术属于晶圆检测
，尤其涉及一种晶圆检测装置。

技术介绍

[0002]在半导体生产中，晶圆是制作芯片的基础，而晶圆的厚度均匀性、弯曲度以及翘曲度等参数对晶圆的应力和性能有很大影响，需要对晶圆的全参数进行检测，因此晶圆检测设备是半导体行业中重要的精密测量设备。
[0003]在现有的生产中，对于晶圆的全参数测试，主要采用的测量方式为干涉测量，干涉测量的效率虽然较高，但干涉测量的方式会导致干涉成像光路系统体积庞大、设计复杂，并且干涉测量的方式对于安装及调试精度的要求很高，而大口径干涉成像关键技术受国外企业封锁，无法大范围推广应用，因此需要一种晶圆检测装置，对晶圆进行全参数的测试。

技术实现思路

[0004]本技术克服了现有技术的不足，提供一种晶圆检测装置，以解决现有技术中存在的问题。
[0005]为达到上述目的，本技术采用的技术方案为：一种晶圆检测装置，待测晶圆位于陶瓷盘上，包括
[0006]检测平台，所述检测平台上设置有定位盘，所述定位盘边缘设置有限位条，所述限位条对陶瓷盘进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测装置，待测晶圆位于陶瓷盘上，其特征在于，包括检测平台，所述检测平台上设置有定位盘，所述定位盘边缘设置有限位条，所述限位条对陶瓷盘进行定位；顶升模组，所述顶升模组包括驱动电机、位于所述驱动电机转轴端的丝杆以及沿所述丝杆长度方向进行运动的顶升块，所述顶升块上设置有顶升杆，所述顶升杆贯穿定位盘，对陶瓷盘进行顶升；检测传感器，所述检测传感器位于所述定位盘上方，对晶圆进行检测；驱动模组，所述驱动模组包括X轴模组以及沿所述X轴模组长度方向进行运动的Y轴模组，所述检测传感器沿所述Y轴模组长度方向进行运动。2.根据权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，还包括固定台架，所述检测平台通过减震块与所述固定台架连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁康，
申请(专利权)人：苏州拓思半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：