一种半导体器件与电子设备制造技术

本申请提供了一种半导体器件与电子设备，涉及半导体领域。该半导体器件包括：器件主体；位于器件主体内的栅极；位于器件主体一侧的源极；位于器件主体与源极一侧的第一介质层；位于第一介质层远离器件主体一侧的第二介质层；贯穿第二介质层与第一介质层并与源极互连的金属连线；位于第二介质层内且与金属连线间隔设置的导电场板；其中，导电场板用于调节源极的电场分布。本申请提供的半导体器件与电子设备具有的电荷不易在源极附近累积，减少了器件漏电，提升了器件整体性能的优点。提升了器件整体性能的优点。提升了器件整体性能的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件与电子设备


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件与电子设备。

技术介绍

[0002]随着第三代半导体行业的快速发展以及应用，根据硅基形式的沟槽碳化硅方式也得到了人们的关注，根据数据分析，沟槽型碳化硅比平面具有更低的导通电阻，大大降低了功耗。
[0003]然而由于应用端高压问题，导致源极会出现电荷累积的现象，进一步导致器件漏电大，器件性能较差。
[0004]综上，现有技术中存在器件源极出现电荷累积现象，导致器件性能较差的问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种半导体器件与电子设备，以解决现有技术中存在的器件源极出现电荷累积现象，导致器件性能较差的问题。
[0006]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：
[0008]器件主体；
[0009]位于所述器件主体内的栅极；
[0010]位于所述器件主体一侧的源极；
>[0011]位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件(100)，其特征在于，所述半导体器件(100)包括：器件主体(110)；位于所述器件主体(110)内的栅极(120)；位于所述器件主体(110)一侧的源极(130)；位于所述器件主体(110)与所述源极(130)一侧的第一介质层(140)；位于所述第一介质层(140)远离所述器件主体(110)一侧的第二介质层(150)；贯穿所述第二介质层(150)与所述第一介质层(140)并与所述源极(130)互连的金属连线(160)；位于所述第二介质层(150)内且与所述金属连线(160)间隔设置的导电场板(170)；其中，所述导电场板(170)用于调节所述源极(130)的电场分布。2.如权利要求1所述的半导体器件(100)，其特征在于，所述导电场板(170)位于所述金属连线(160)的两侧。3.如权利要求1所述的半导体器件(100)，其特征在于，所述导电场板(170)位于所述金属连线(160)的其中一侧。4.如权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光宇，吕芳栋，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：